首先我们看一下一般的bldc驱动电路的基本电路架构如下图所示
当IN输入低电平时，HO输出低电平，LO输出高电平，上桥断开，下桥导通；当IN输入高电平，HO输出高电平，VS输出低电平，VB和HO内部是连在一起的。
Vcc=12V，VM=24V（即up to 600V处接24V），MOS管的一般开启电压值阈值Vth=4V。
第一阶段：首先给IN和SD对应的控制信号，使HO和LO通过内部控制电路分别输出低电平和高电平。此时外部H桥的高端MOS截止，低端MOS导通。VCC通过自举二极管对自举电容充电，使电容两端的压差为Vcc=12V（忽略自举二极管两端压降）。
第二阶段：目前市面上的blcd芯片基本都自带死区控制，此阶段由芯片内部自动产生，HO和LO输出均为低电平，此时高低端MOS管均截止，如下图所示为某款芯片的死区时间。
第三阶段：通过IN和SD使左侧的内部MOS管如下图所示导通。由于自举电容两端的电压不能突变，此时驱动芯片内部上管MOS打开，自举电容上的电压（12V）便可以加到外部高端MOS的栅极和源极上，使得外部高端MOS导通。外部高端MOS导通之后，此时高端MOS的源极对地电压≈VM=24V，自举电容两端电压12V，因此外部高端MOS栅极对地电压≈VM+VCC=36V，因此高端MOS可以正常导通。
更加细节的展示
注意：因为此时电容在持续放电，压差会逐渐减小。最后，电容正极对地电压（即高端MOS栅极对地电压）会降到Vcc，那么高端MOS的栅源电压便≈Vcc-VM=12V-7.4V=4.6V < Vth=6V，高端MOS仍然会关断。
因此想要使高端MOS连续导通，必须令自举电容不断充放电，即循环工作在上述的三个阶段（高低端MOS处于轮流导通的状态，控制信号输入PWM即可），才能保证高端MOS导通。自举二极管主要是用来当电容放电时，防止回流到VCC，损坏电路。
补充说明：在自举电容选择时，其耐压值需大于Vcc并留有一定余量。而自举电容的容值选择需要一定的计算。一般来说，PWM的输入频率越大（即电容充放电频率），电容所需容值越小。