半導(dǎo)體材料特性參數(shù)表

從最常用的硅（Si）材料，直至寬禁帶甚至超寬禁帶的半導(dǎo)體基材，其種類繁多，這里我們只是列舉一些我們常用功率半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)，如下表是硅（Si）、碳化硅（專指4H-SiC）和氮化鎵（GaN）材料的特性參數(shù)，表中材料參數(shù)也代表了以這些材料為基礎(chǔ)的器件本身特性，我們后面會列舉這些參數(shù)對應(yīng)其器件的本身特性。

<常用半導(dǎo)體材料特性參數(shù)表>

特性參數(shù)解釋

熱傳導(dǎo)率λ：也稱為熱導(dǎo)系數(shù)，是物質(zhì)導(dǎo)熱能力的量度，表征了物質(zhì)傳導(dǎo)熱的能力，其定義為單位溫度梯度（在1m長度內(nèi)溫度降低1K）在單位時間內(nèi)經(jīng)單位導(dǎo)熱面所傳遞的熱量，熱導(dǎo)率的單位為瓦每米開爾文-W/（m·K）。

什么是禁帶、禁帶寬度、價帶和導(dǎo)帶？

首先了解一下半導(dǎo)體器件涉及到的固體物理相關(guān)知識，簡單介紹一下與之緊密相關(guān)的能帶理論知識，因為以下幾個定義是界定絕緣體、半導(dǎo)體以及導(dǎo)體的基礎(chǔ)。

（1）禁帶和禁帶寬度：價帶最高能級與導(dǎo)帶最低能級之間的能量間隙，禁止電子存在的禁區(qū)，代表了電子禁區(qū)，即為禁帶；絕對零度T=0K（-273.15℃）即熱力學(xué)零度時破壞共價鍵所需要的能量Eg為禁帶寬度，禁帶寬度是一種能量衡量，單位是電子伏（eV）

1eV=1.602 x 10-19J

（2）價帶：通常是指半導(dǎo)體或絕緣體中，在絕對零度T=0K下，能被電子占滿的最高能帶，即是能量最高的電子占據(jù)帶，也是導(dǎo)帶下的第一個能帶，是由價電子分裂的能帶。從費米能級來看是最高層充滿電子的能帶，具有的能量低于費米能級EF時被稱為價帶，描述價帶最大能量用價帶頂EV，其中V代表價（Value）含義。

（3）導(dǎo)帶：自由電子形成的能量空間，即參與導(dǎo)電的能帶，根據(jù)晶體種類不同可為未滿帶或空帶；也被稱為傳導(dǎo)帶。從費米能級看，其能量高于費米能級，它是比價帶能量更高的能帶，即電子未填滿的能帶。描述導(dǎo)帶最低能量用導(dǎo)帶底能量用EC表示，其中C代表傳導(dǎo)或?qū)щ姡–onduction）含義。

<導(dǎo)帶和價帶及禁帶寬度>

注：T=0K，這是絕對零度，也就是-273.15℃，如果你聽到有人說溫度為20K，那么對應(yīng)我們熟知的溫度就為：-273.15℃+20℃也就是0K+20K。