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升壓拓撲(boost)中要求的最大電感量計算
前言前面我已經(jīng)講過降壓(buck)中,其恒流源中電感的計算方式,其本質(zhì)是找到電感電流中電感紋波最大的點,也就是當輸入和輸出存在什么樣的關(guān)系時,電感電流的紋波最大,這個結(jié)論我們已經(jīng)通過推導(dǎo)得到,也就是當
2024-12-01 12:56
光耦的重點參數(shù)-反向耐壓和傳輸特征
(1)發(fā)光二極管反向電壓“BVR”-Input Reverse Breakdown Voltage,光耦的發(fā)光二極管承受反壓能力較弱,使用時必須注意,以下是來自于仙童的6N137M和HCPL2531的
2024-11-10 17:36
來自專題:
功率模塊IGBT和MOSFET的驅(qū)動設(shè)計及模組測試
光耦的重要參數(shù)-共模抑制
共模抑制能力“CMR”,英文為Common Mode Rejection ,由于驅(qū)動器另一側(cè)(副邊)是高壓并且存在不斷的開關(guān)動作,那么它就和低壓側(cè)(原邊)構(gòu)成共模信號路徑,主要是高低壓兩側(cè)的寄生電容構(gòu)
2024-09-01 13:12
來自專題:
功率模塊IGBT和MOSFET的驅(qū)動設(shè)計及模組測試
光耦重點參數(shù)介紹-爬電和電氣間隙
(2)爬電距離和電氣間隙,注意使用條件-海拔(通常都是海拔2000m,超過后要注意使用降額或增量系數(shù)),圖示電氣間隙和爬電距離,內(nèi)部絕緣距離“DTI”是保證光耦在高壓下工作的依據(jù)。以下表格是安華高的H
2024-08-18 14:24
來自專題:
功率模塊IGBT和MOSFET的驅(qū)動設(shè)計及模組測試
光耦重點參數(shù)介紹-VIORM
(1)最大工作絕緣電壓“VIORM”,英文為Maximum Working Insulation Voltage,是可靠工作的峰值電壓,即長期工作耐壓,注意和耐壓的區(qū)別,是我們依據(jù)實際母線電壓選擇設(shè)計
2024-08-16 22:14
來自專題:
功率模塊IGBT和MOSFET的驅(qū)動設(shè)計及模組測試
高速光耦和普通光耦的開關(guān)特性
高速數(shù)字光耦的開關(guān)特性,高速數(shù)字光耦或者我們所說的“開關(guān)光耦”,其主要特性就是開關(guān)特性,也就是開通和關(guān)斷過程的時間特性,以下是數(shù)字光耦HCNW2611的開關(guān)特性測試示意圖及參數(shù),由于良好的開關(guān)特性要求
2024-08-10 17:35
來自專題:
功率模塊IGBT和MOSFET的驅(qū)動設(shè)計及模組測試
TVS參數(shù)含義及選型參考
TVS參數(shù)含義及選型參考6.14 TVS二極管的選用雪崩器件(avalanche device),在規(guī)定電壓擊穿并導(dǎo)通的二極管、氣體放電管或其它器件,這里的TVS二極管也是一種雪崩器件,依賴雪崩效應(yīng)達
2024-08-04 13:56
來自專題:
功率模塊IGBT和MOSFET的驅(qū)動設(shè)計及模組測試
傳輸信號光耦和專用光耦
信號傳輸型光耦,只是負責電氣隔離傳輸信號,由于功能單一,通常需要和外圍電路配合實現(xiàn)驅(qū)動需求,信號通道有單通道和多通道(多通道通常是雙通道,也有4通道類型的光耦),如下圖是單通道和雙通道光耦原理示意圖。
2024-05-05 14:28
來自專題:
功率模塊IGBT和MOSFET的驅(qū)動設(shè)計及模組測試
常見光耦邏輯分類
正邏輯光耦(POSITIVE LOGIC),即當輸入側(cè)發(fā)光二極管發(fā)光時,輸出側(cè)輸出高電平;而當輸入側(cè)發(fā)光二極管不發(fā)光時,輸出保持低電平,這類光耦相對較少,典型的如安華高的HCNW2211。<
2024-05-05 14:08
來自專題:
功率模塊IGBT和MOSFET的驅(qū)動設(shè)計及模組測試
普通光耦和高速光耦
通常是高增益光電探測器或光接收器(低電流可驅(qū)動,無需中間驅(qū)動,控制器可以直接驅(qū)動)多數(shù)采用“高速”或“數(shù)字”光耦,因為它其中一項指標便是數(shù)據(jù)傳輸率,以數(shù)據(jù)信號速率來衡量,可以輕松應(yīng)用在信號通信中,如R
2024-03-17 15:01
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功率模塊IGBT和MOSFET的驅(qū)動設(shè)計及模組測試
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