SiC與Si性能對比 SiC主要在以下3個方面具有明顯的優(yōu)勢為: 1、擊穿電壓強度高（約10倍于Si） 2、更寬的禁帶（約3倍于Si） 3、熱導率高（約3倍于Si）。  高溫工作特性，SiC MOSFET比Si MOSFET更適合應用于高溫工作環(huán)境，原因在于一方面SiC MOSFET 自身損耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對較小，另一方面，熱導率高3倍于Si MOSFET。 

碳化硅是第三代半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強等特性。相比與傳統的硅基功率半導體器件，具有導通電阻低，開關損耗小，工作結溫高，導熱能力強等顯著優(yōu)勢。因此，采用碳化硅半導體器件的電力電子變換器，可以顯著提高開關頻率，縮小散熱器，儲能元件和濾波器的體積，從而實現更高的轉換效率和功率密度。

碳化硅產品在電動汽車，IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統、工業(yè)應用等領域廣泛使用。