SIC 碳化硅MOS管及功率模塊：
碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、擊穿場強(qiáng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強(qiáng)等特性。相比與傳統(tǒng)的硅基功率半導(dǎo)體器件，具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小，工作結(jié)溫高，導(dǎo)熱能力強(qiáng)等顯著優(yōu)勢。因此，采用碳化硅半導(dǎo)體器件的電力電子變換器，可以顯著提高開關(guān)頻率，縮小散熱器，儲能元件和濾波器的體積，從而實(shí)現(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。碳化硅產(chǎn)品在電動汽車，IT設(shè)備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域廣泛使用。