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是的加速關(guān)斷！

能上多少A？？

最大電流就這個了240A的ID，還有其他的大電流MOS嗎？

營長，關(guān)于33貼我有個疑問，你說的Vgs下降時間要后于VDD，但問題是如果用這個MOS去控制系統(tǒng)電源的掉電，也必須要VGS先下降，Vdd才有可能下降的?。。?？？？忘解答！?。?！還有個疑問，如果一個MOS ID200a，我讓它導(dǎo)通恒流200A ，然后瞬間關(guān)斷G極大概1MS，你說可能會燒毀嗎？會有可能超出SOA安全區(qū)嗎？

我又做了個實(shí)驗(yàn)，當(dāng)輸出4.2V時，故意短路，短路保護(hù)電路自鎖關(guān)斷MOS，MOS沒燒，當(dāng)我輸出12.6V時，故意短路，短路保護(hù)電路自鎖關(guān)斷MOS，MOS燒了！我看了下這個MOS管的SOA圖 DS在4V時允許的ID也有250A上，1ms。

電路隨手畫的，畫簡單了應(yīng)該是這樣電路帶短路自鎖，需要把VCC斷開才能恢復(fù)[圖片]

我也不知道適不適合，但是可以肯定的是保持G極12v 能啟動汽車而沒有損壞！！

我想了想能不能在DS間加個大電容，當(dāng)Vgs瞬間下降為0的時候，DS電容分流一部分Ids！??！不至于超出SOA安全區(qū)！不知可行。

[圖片]我看了SUNsigns的SOA注意事項(xiàng)，使Vgs下降時間長于Vdd，對我的電路應(yīng)用來說好像沒辦法實(shí)現(xiàn)！難道要啟動完在關(guān)斷Vgs？那短路就沒意義了！417兄你看有什么好辦法嗎？