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zhou689231:
我覺(jué)得是否可以在吸收電路上想一些辦法,可以?xún)?yōu)化突波吸收電路(即RCD緩沖器),減小MOS開(kāi)關(guān)損耗,從而減小溫升。另外你的PCB布局是否合理,我建議可以好好考慮下布局,有可能出現(xiàn)的電流尖峰是由于PCB布局不合理導(dǎo)致初級(jí)寄生出的漏感過(guò)大而導(dǎo)致。
2010-12-23 13:17 回復(fù)
原帖:StackFET技術(shù)一個(gè)很頭疼的問(wèn)題,發(fā)熱嚴(yán)重
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