jiangbing_qd：
我也遇到這問題,后來仔細(xì)用示波器觀察DESAT腳的波形,發(fā)現(xiàn)到300多V后是因?yàn)镈ESAT和VE之間的波形有很大的毛刺.更換了多種快速二極管,最后感覺用兩是BYV26C串聯(lián)效果最好.并且還要在DESAT和VE之間反并一個(gè)嵌位二極管.在兩個(gè)BYV26C回路再串個(gè)100歐的電阻,則嵌位后的波形幾乎完美. 這個(gè)辦法同樣適用于HCPL316J等IGBT驅(qū)動(dòng)IC.我分析原因認(rèn)為:阻斷高壓的二極管不是理想二極管.在IGBT導(dǎo)通時(shí)本來IGBT的C極電壓波形就出現(xiàn)一些小的振蕩,會通過二極管出現(xiàn)到DESAT腳上.再有就是二極管導(dǎo)通時(shí)因?yàn)橛薪Y(jié)電容,本身也會有小的振蕩.所以解決的方法就是切掉這些毛刺,和選用更理想的二極管. BYV26C的反向恢復(fù)時(shí)間35nS 耐壓不夠所以兩只串聯(lián) 其它如BYV26E等耐壓高的管子的反向恢復(fù)時(shí)間為75nS,在示波器上是能明顯看出差距的