最近碰到這樣一個(gè)問題,望知道的大俠知無不言,言無不盡.(附上原理圖、PCB)
采用英飛凌的單個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)器1ED020I12-FA,用4個(gè)芯片組成全橋的驅(qū)動(dòng),所驅(qū)動(dòng)模塊是英飛凌全橋的F4-75R12MS.
輸入母線上的是DC600V,輸出要求達(dá)到AC400V,功率5KW,載波頻率10kHz.在空載下能正常工作,但是在帶載下(30歐姆),輸出電壓達(dá)到一定值(340V左右時(shí)),4個(gè)芯片隨機(jī)的有一個(gè)故障信號(hào)輸出低電平,查看了供電電源,驅(qū)動(dòng)電源,過流保護(hù)都沒有問題.一直沒弄明白這個(gè)故障信號(hào)那里來的. 3112341259835846.rar 3112341259835863.rar
關(guān)于英飛凌驅(qū)動(dòng)器1ED020I12-FA的應(yīng)用(附上原理圖、PCB)
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我也遇到這問題,后來仔細(xì)用示波器觀察DESAT腳的波形,發(fā)現(xiàn)到300多V后是因?yàn)镈ESAT和VE之間的波形有很大的毛刺.更換了多種快速二極管,最后感覺用兩是BYV26C串聯(lián)效果最好. 并且還要在DESAT和VE之間反并一個(gè)嵌位二極管. 在兩個(gè)BYV26C回路再串個(gè)100歐的電阻,則嵌位后的波形幾乎完美. 這個(gè)辦法同樣適用于HCPL316J等IGBT驅(qū)動(dòng)IC.
我分析原因認(rèn)為:阻斷高壓的二極管不是理想二極管.在IGBT導(dǎo)通時(shí)本來IGBT的C極電壓波形就出現(xiàn)一些小的振蕩,會(huì)通過二極管出現(xiàn)到DESAT腳上.再有就是二極管導(dǎo)通時(shí)因?yàn)橛薪Y(jié)電容,本身也會(huì)有小的振蕩.所以解決的方法就是切掉這些毛刺,和選用更理想的二極管.
BYV26C的反向恢復(fù)時(shí)間35nS 耐壓不夠所以兩只串聯(lián) 其它如BYV26E等耐壓高的管子的反向恢復(fù)時(shí)間為75nS,在示波器上是能明顯看出差距的
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@jiangbing_qd
我也遇到這問題,后來仔細(xì)用示波器觀察DESAT腳的波形,發(fā)現(xiàn)到300多V后是因?yàn)镈ESAT和VE之間的波形有很大的毛刺.更換了多種快速二極管,最后感覺用兩是BYV26C串聯(lián)效果最好.并且還要在DESAT和VE之間反并一個(gè)嵌位二極管.在兩個(gè)BYV26C回路再串個(gè)100歐的電阻,則嵌位后的波形幾乎完美. 這個(gè)辦法同樣適用于HCPL316J等IGBT驅(qū)動(dòng)IC.我分析原因認(rèn)為:阻斷高壓的二極管不是理想二極管.在IGBT導(dǎo)通時(shí)本來IGBT的C極電壓波形就出現(xiàn)一些小的振蕩,會(huì)通過二極管出現(xiàn)到DESAT腳上.再有就是二極管導(dǎo)通時(shí)因?yàn)橛薪Y(jié)電容,本身也會(huì)有小的振蕩.所以解決的方法就是切掉這些毛刺,和選用更理想的二極管. BYV26C的反向恢復(fù)時(shí)間35nS 耐壓不夠所以兩只串聯(lián) 其它如BYV26E等耐壓高的管子的反向恢復(fù)時(shí)間為75nS,在示波器上是能明顯看出差距的
你好，我也遇到了相同的問題
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@jiangbing_qd
我也遇到這問題,后來仔細(xì)用示波器觀察DESAT腳的波形,發(fā)現(xiàn)到300多V后是因?yàn)镈ESAT和VE之間的波形有很大的毛刺.更換了多種快速二極管,最后感覺用兩是BYV26C串聯(lián)效果最好.并且還要在DESAT和VE之間反并一個(gè)嵌位二極管.在兩個(gè)BYV26C回路再串個(gè)100歐的電阻,則嵌位后的波形幾乎完美. 這個(gè)辦法同樣適用于HCPL316J等IGBT驅(qū)動(dòng)IC.我分析原因認(rèn)為:阻斷高壓的二極管不是理想二極管.在IGBT導(dǎo)通時(shí)本來IGBT的C極電壓波形就出現(xiàn)一些小的振蕩,會(huì)通過二極管出現(xiàn)到DESAT腳上.再有就是二極管導(dǎo)通時(shí)因?yàn)橛薪Y(jié)電容,本身也會(huì)有小的振蕩.所以解決的方法就是切掉這些毛刺,和選用更理想的二極管. BYV26C的反向恢復(fù)時(shí)間35nS 耐壓不夠所以兩只串聯(lián) 其它如BYV26E等耐壓高的管子的反向恢復(fù)時(shí)間為75nS,在示波器上是能明顯看出差距的
我也遇到了這樣的問題，偶爾一路誤報(bào)故障
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@jiangbing_qd
我也遇到這問題,后來仔細(xì)用示波器觀察DESAT腳的波形,發(fā)現(xiàn)到300多V后是因?yàn)镈ESAT和VE之間的波形有很大的毛刺.更換了多種快速二極管,最后感覺用兩是BYV26C串聯(lián)效果最好.并且還要在DESAT和VE之間反并一個(gè)嵌位二極管.在兩個(gè)BYV26C回路再串個(gè)100歐的電阻,則嵌位后的波形幾乎完美. 這個(gè)辦法同樣適用于HCPL316J等IGBT驅(qū)動(dòng)IC.我分析原因認(rèn)為:阻斷高壓的二極管不是理想二極管.在IGBT導(dǎo)通時(shí)本來IGBT的C極電壓波形就出現(xiàn)一些小的振蕩,會(huì)通過二極管出現(xiàn)到DESAT腳上.再有就是二極管導(dǎo)通時(shí)因?yàn)橛薪Y(jié)電容,本身也會(huì)有小的振蕩.所以解決的方法就是切掉這些毛刺,和選用更理想的二極管. BYV26C的反向恢復(fù)時(shí)間35nS 耐壓不夠所以兩只串聯(lián) 其它如BYV26E等耐壓高的管子的反向恢復(fù)時(shí)間為75nS,在示波器上是能明顯看出差距的
你這里說的VE是IGBT的發(fā)射極嗎
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@jiangbing_qd
我也遇到這問題,后來仔細(xì)用示波器觀察DESAT腳的波形,發(fā)現(xiàn)到300多V后是因?yàn)镈ESAT和VE之間的波形有很大的毛刺.更換了多種快速二極管,最后感覺用兩是BYV26C串聯(lián)效果最好.并且還要在DESAT和VE之間反并一個(gè)嵌位二極管.在兩個(gè)BYV26C回路再串個(gè)100歐的電阻,則嵌位后的波形幾乎完美. 這個(gè)辦法同樣適用于HCPL316J等IGBT驅(qū)動(dòng)IC.我分析原因認(rèn)為:阻斷高壓的二極管不是理想二極管.在IGBT導(dǎo)通時(shí)本來IGBT的C極電壓波形就出現(xiàn)一些小的振蕩,會(huì)通過二極管出現(xiàn)到DESAT腳上.再有就是二極管導(dǎo)通時(shí)因?yàn)橛薪Y(jié)電容,本身也會(huì)有小的振蕩.所以解決的方法就是切掉這些毛刺,和選用更理想的二極管. BYV26C的反向恢復(fù)時(shí)間35nS 耐壓不夠所以兩只串聯(lián) 其它如BYV26E等耐壓高的管子的反向恢復(fù)時(shí)間為75nS,在示波器上是能明顯看出差距的
本來想用這款驅(qū)動(dòng)芯片呢，原來還有這個(gè)問題。那可以把DESAT腳直接接地么？
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@jiangbing_qd
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二極管保護(hù)的方式，由于二極管結(jié)電容的影響，在VCE有較大DV/DT時(shí)，都會(huì)產(chǎn)生干擾電流流過高壓二極管到desat引腳形成干擾。一般這種情況我會(huì)在desat引腳對VE、VCC2對DESAT各使用一個(gè)肖特基二極管。另外一般都會(huì)在保護(hù)回路串電阻的啊。
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