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平面變壓器優(yōu)化設(shè)計(jì)的理論基礎(chǔ)和損耗模型之一

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AHB不對(duì)稱半橋反激電路設(shè)計(jì)（四）首樣制作與調(diào)試

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一文秒懂麥科信 MHO14 系列高分辨率平板示波器

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柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計(jì)中的重要作用

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茂睿芯 65W GaN PD高性價(jià)比方案測(cè)評(píng)，開源Demo，拿來(lái)即用！

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白皮書導(dǎo)讀 | 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件

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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十二）——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)

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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

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英飛凌IGBT7系列芯片大解析

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文獻(xiàn)筆記19---基于GaN FET的12V1200W LLC電源設(shè)計(jì)指南

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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 12-27 11:06 # infineon愛(ài)好者 # IGBT/MOS管/三極管 # GaN/SiC
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計(jì)算二極管浪涌電流

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