上一篇文章主要講述了電源在設(shè)計(jì)階段應(yīng)該注意的細(xì)節(jié)部分，本文主要講解在PCB制版和調(diào)試過(guò)程中需要注意的細(xì)節(jié)部分。
2、電源PCB設(shè)計(jì)階段應(yīng)注意的細(xì)節(jié)
1、PCB對(duì)應(yīng)的SCH網(wǎng)絡(luò)要對(duì)應(yīng)，方便后續(xù)更新，花不了多少時(shí)間的。
2、PCB的元器件封裝，標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)里面的按實(shí)際情況需要更改，貼片元件焊盤(pán)加大；插件元件的孔徑比元件管腳大0．3mm，焊盤(pán)直徑大于孔0．8mm以上，焊盤(pán)大些方便焊接，元器件過(guò)波峰焊也容易上錫，PCB廠家做出來(lái)也不容易破孔。還有很多細(xì)節(jié)的東西多了解些對(duì)生產(chǎn)是很大的功勞啊。
3、安規(guī)的要求在PCB上的體現(xiàn)，保險(xiǎn)絲的安規(guī)輸入到輸出距離3mm以上，保險(xiǎn)絲帶型號(hào)需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安規(guī)要求，對(duì)應(yīng)需要做的認(rèn)證與供應(yīng)商溝通能否滿(mǎn)足要求。相應(yīng)的認(rèn)證編號(hào)需印到PCB上。初級(jí)到次級(jí)的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級(jí)與次級(jí)，用擋墻或者次級(jí)用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。
4、橋堆前L，N走線距離2．5mm以上，橋堆后高壓＋，－距離2．5mm以上。走線為大電流回路先走，面積越小越好。信號(hào)線遠(yuǎn)離大電流走線，避免干擾，IC信號(hào)檢測(cè)部分的濾波電容靠近IC，信號(hào)地與功率地分開(kāi)走，星形接地，或者單點(diǎn)接地，最后匯總到大電容的“－”引腳，避免調(diào)試時(shí)信號(hào)受干擾，或者抗擾度出狀況。
5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列，方便過(guò)波峰焊上錫，提高產(chǎn)線效率，避免陰影效應(yīng)，連錫，虛焊等問(wèn)題出現(xiàn)。
6、打AI的元器件需要根據(jù)相應(yīng)的規(guī)則放置元器件，之前看過(guò)一個(gè)日本的PCB，焊盤(pán)做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤(pán)上，漂亮。
7、PCB上的走線對(duì)輻射影響比較大，可以參考相關(guān)書(shū)籍。還有1種情況，PCB當(dāng)單面板布線，弄完后，在頂層敷整塊銅皮接大電容地，抑制傳導(dǎo)和輻射很有效果。
8、布線時(shí)，還需要考慮雷擊，ESD時(shí)或其他干擾的電流路徑，會(huì)不會(huì)影響IC。
3、電源調(diào)試階段應(yīng)注意的細(xì)節(jié)
1、萬(wàn)用表先測(cè)試主電流回路上的二極管，MOSFET，有沒(méi)有短路，有沒(méi)有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測(cè)試，變壓器同名端有沒(méi)有繞錯(cuò)。
2、開(kāi)始上電，我的習(xí)慣是先上100V的低壓，PWM沒(méi)有輸出。用示波器看VCC，PWM腳，VCC上升到啟動(dòng)電壓，PWM沒(méi)有輸出。檢查各引腳的保護(hù)功能是否被觸發(fā)，或者參數(shù)不對(duì)。找不到問(wèn)題，查看IC的上電時(shí)序圖，或者IC的datasheet里面IC啟動(dòng)的條件。示波器使用時(shí)需注意，3芯插頭的地線要拔掉，不拔掉的話(huà)最好采用隔離探頭掛波形，要不怎么炸機(jī)的都不知道。用2個(gè)以上的探頭時(shí)，2根探頭的COM端接同1個(gè)點(diǎn)，避免影響電路，或者夾錯(cuò)位置燒東西。
3、IC啟動(dòng)問(wèn)題解決了，PWM有輸出，發(fā)現(xiàn)啟動(dòng)時(shí)變壓器嘯叫。掛MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能是飽和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB，還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯(cuò)位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問(wèn)題，甚至還碰到過(guò)TVS壞了短路的情況。
4、輸出有了，但是輸出電壓不對(duì)，或者高了，或者低了。這個(gè)需要判斷是初級(jí)到問(wèn)題，還是次級(jí)的問(wèn)題。掛輸出二極管電壓電流波形，是否是正常的反激波形，波形不對(duì)，估計(jì)就是同名端反了。檢查光耦是否損壞，光耦正常，采用穩(wěn)壓管＋1K電阻替換431的位置，即可判斷輸出反饋431部分，或者恒流，或者過(guò)載保護(hù)等保護(hù)的動(dòng)作。常見(jiàn)問(wèn)題，光耦腳位畫(huà)錯(cuò)，導(dǎo)致反饋到不了前級(jí)。431封裝弄錯(cuò)，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問(wèn)題會(huì)導(dǎo)致輸出電壓不對(duì)。
5、輸出電壓正常了，但是不是精確的12V或者24V，這個(gè)時(shí)候一般采用2個(gè)電阻并聯(lián)的方式來(lái)調(diào)節(jié)到精確電壓。采樣電阻必須是1％或者0．5％。
6、輸出能帶載了，帶滿(mǎn)載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。掛PWM波形，是否有大小波或者開(kāi)幾十個(gè)周期，停幾十個(gè)周期，這樣的情況調(diào)節(jié)環(huán)路。431上的C與RC，現(xiàn)在的很多IC內(nèi)部都已經(jīng)集成了補(bǔ)償，環(huán)路都比較好調(diào)整。環(huán)路調(diào)節(jié)沒(méi)有效果，可以計(jì)算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經(jīng)認(rèn)為Isense電阻電壓較小，IC工作在brust mode?？梢愿腎sense電阻阻值測(cè)試。
7、高低壓都能帶滿(mǎn)載了，波形也正常了。測(cè)試電源效率，輸入90V與264V時(shí)效率盡量做到一致（改占空比，匝比），方便后續(xù)安規(guī)測(cè)試溫升。電源效率一般參考老機(jī)種效率，或者查能效等級(jí)里面的標(biāo)準(zhǔn)參考。
8、輸出紋波測(cè)試，一般都有要求用47uF＋104，或者10uF＋104電容測(cè)試。這個(gè)電解電容的容值影響紋波電壓，電容的高頻低阻特性（不同品牌和系列）也會(huì)影響紋波電壓。示波器測(cè)試紋波時(shí)探頭上用彈簧測(cè)試探頭測(cè)試可以避免干擾尖峰。輸出紋波搞不定的情況下，可以改容量，改電容的系列，甚至考慮采用固態(tài)電容。
9、輸出過(guò)流保護(hù)，客戶(hù)要求精度高的，要在次級(jí)放電流保護(hù)電路，要求精度不高的，一般初級(jí)做過(guò)流保護(hù)，大部分IC都有集成過(guò)流或者過(guò)功率保護(hù)。過(guò)流保護(hù)一般放大1．1－1．5倍輸出電流。最大輸出電流時(shí)，元器件的應(yīng)力都需要測(cè)試，并留有余量。電流保護(hù)如增加反饋環(huán)路可以做成恒流模式，無(wú)反饋環(huán)路一般為打嗝保護(hù)模式。做好過(guò)流保護(hù)還需要測(cè)試滿(mǎn)載＋電解電容的測(cè)試，客戶(hù)端有時(shí)提出的要求并未給出是否是容性負(fù)載，能帶多大的電容起機(jī)測(cè)試了后心里比較有底。
10、輸出過(guò)壓保護(hù)，穩(wěn)定性要求高的客戶(hù)會(huì)要求放2個(gè)光耦，1個(gè)正常工作的，一個(gè)是做過(guò)壓保護(hù)的。無(wú)要求的，在VCC的輔助繞組處增加過(guò)壓保護(hù)電路，或者IC里面已經(jīng)有集成的過(guò)壓保護(hù)，外圍器件很少。
11、過(guò)溫保護(hù)一般要看具體情況添加的，安規(guī)做高溫測(cè)試時(shí)對(duì)溫度都有要求，能滿(mǎn)足安規(guī)要求溫度都還可以，除非環(huán)境復(fù)雜或者異常情況，需要增加過(guò)溫保護(hù)電路。
12、啟動(dòng)時(shí)間，一般要求為2S，或者3S內(nèi)起機(jī)，都比較好做，待機(jī)功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒(méi)有什么問(wèn)題。
13、上升時(shí)間和過(guò)沖，這個(gè)通過(guò)調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)和環(huán)路響應(yīng)實(shí)現(xiàn)。
14、負(fù)載調(diào)整率和線性調(diào)整率都是通過(guò)調(diào)節(jié)環(huán)路響應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
15、保持時(shí)間，更改輸入大電容容量即可。
16、輸出短路保護(hù)，現(xiàn)在IC的短路保護(hù)越做越好，一般短路時(shí)，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動(dòng)電阻供電，IC啟動(dòng)后，Isense腳檢測(cè)過(guò)流會(huì)做短路保護(hù)，停止PWM輸出。一般在264V輸入時(shí)短路功率最大，短路功率控制住2W以?xún)?nèi)比較安全。短路時(shí)需要測(cè)試MOSFET的電流與電壓，并通過(guò)查看MOSFET的SOA圖（安全工作區(qū)）對(duì)應(yīng)短路是否超出設(shè)計(jì)范圍。
17、空載起機(jī)后，輸出電壓跳。有可能是輕載時(shí)VCC的輔助繞組感應(yīng)電壓低導(dǎo)致，增加VCC繞組匝數(shù)，還有可能是輸出反饋環(huán)路不穩(wěn)定，需要更新環(huán)路參數(shù)。
18、帶載起機(jī)或者空載切重載時(shí)電壓起不來(lái)。重載時(shí)，VCC輔助繞組電壓高，需查看是否過(guò)壓，或者是過(guò)流保護(hù)動(dòng)作。
還有變壓器設(shè)計(jì)時(shí)按照正常輸出帶載設(shè)計(jì)，導(dǎo)致重載或者過(guò)流保護(hù)前變壓器飽和。
19、元器件的應(yīng)力都應(yīng)測(cè)試，滿(mǎn)載、過(guò)載、異常測(cè)試時(shí)元器件應(yīng)力都應(yīng)有余量，余量大小看公司規(guī)定和成本考慮。 性能測(cè)試與調(diào)試基本完成。調(diào)試時(shí)把自己想成是設(shè)計(jì)這顆IC的人，就能好好理解IC的工作情況并快速解決問(wèn)題。 這些全都按記憶寫(xiě)的，有點(diǎn)亂，有些沒(méi)有記錄到，后續(xù)想到了再補(bǔ)上。
下回我們?cè)谡f(shuō)說(shuō)EMC和最終定版時(shí)候注意的細(xì)節(jié)部分！