3.2 turn-on 狀態(tài)

工作在Q1和Q4象限

注意：相比其他象限，Q4的Igt比較高，di/dt能力較弱

工作在Q2和Q3象限

工作在Q1和Q3象限

IGT：能夠使可控硅導(dǎo)通的最低觸發(fā)電流

VGT：能夠使可控硅導(dǎo)通的最低觸發(fā)電壓

注意：IGT為負(fù)溫度系數(shù)，建議設(shè)計值為規(guī)格書標(biāo)稱值的3倍.

Rg電阻的選擇：

di/dt實測波形  (di/dt超出規(guī)格會導(dǎo)致triac損壞)

波形展開：

IL：擎住電流：當(dāng)主回路電流大到去除觸發(fā)電流后可以照常觸發(fā)導(dǎo)通時的電流.（負(fù)溫度系數(shù)）

3.3 ON狀態(tài)

I T(RMS) ：通態(tài)均方均根電流.在額定結(jié)溫, 允許流過器件的最大有效電流值。                     

在任何條件下流過器件的電流有效值，不超過對應(yīng)殼溫下的方均根電流值

功率損耗的計算

IH-- 維持電流；在門極斷路時。規(guī)定環(huán)境溫度和元件導(dǎo)通條件下，要保持元件能處于導(dǎo)通狀態(tài)所必須的最小正向電流

以上triacs的關(guān)鍵參數(shù)和注意事項已經(jīng)介紹完畢，后面整理下實際的驅(qū)動電路與大家分享.