在完成了AEC Q100 F組的兩項(xiàng)內(nèi)容介紹后，關(guān)于AEC文件中測(cè)試方法和統(tǒng)計(jì)指導(dǎo)的幾個(gè)內(nèi)容都已經(jīng)完成，這幾個(gè)內(nèi)容對(duì)于剛接觸AEC認(rèn)證和車規(guī)體系的朋友們理解起來(lái)可能有些吃力，所以在此進(jìn)行一下總結(jié)和對(duì)比。
實(shí)際上縱觀整個(gè)AEC相關(guān)附件和AEC Q100的內(nèi)容，除了對(duì)認(rèn)證的樣品測(cè)試有著嚴(yán)格的要求，也對(duì)生產(chǎn)測(cè)試數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)和監(jiān)控有著嚴(yán)格的要求和定義，但是維度缺少了對(duì)測(cè)試設(shè)備穩(wěn)定性的要求，雖然這在E組第5項(xiàng)ED電分配中有所提及，但是并沒(méi)有具體的測(cè)試設(shè)備驗(yàn)收指導(dǎo)方案，不過(guò)我相信各個(gè)車規(guī)零部件生產(chǎn)企業(yè)，都具備16949的質(zhì)量體系，那么自然也就知道測(cè)試設(shè)備如何Release，我也寫了一個(gè)關(guān)于MSA的文章進(jìn)行了深入的介紹和解讀，在此就不詳細(xì)展開，我們還是回到AEC Q100文件本身。
首先我們?cè)倩貞浺幌逻@幾項(xiàng)驗(yàn)證內(nèi)容在AEC Q100圖2中的位置。
如圖中所示，此5項(xiàng)內(nèi)容分布在E和F組，分別屬于E組電性能驗(yàn)證測(cè)試的E5-ED、E6-FG、E7-CHAR，和F組缺陷篩查測(cè)試的F1-PAT和F2-SBA。實(shí)際上PAT、SBA、CHAR又分別對(duì)應(yīng)是AEC Q001、002、003三個(gè)附件文件，是AEC認(rèn)證的通用指導(dǎo)文件。FG對(duì)應(yīng)AEC Q100-007，ED對(duì)應(yīng)AEC Q100-009兩個(gè)AEC Q100的附件。包含的信息量很大。
閱讀過(guò)程會(huì)發(fā)現(xiàn)5個(gè)文件內(nèi)容互相提及并引用，導(dǎo)致朋友們不把5個(gè)文件都看完似乎都很難理解其中某一項(xiàng)的內(nèi)容。
還是先逐項(xiàng)解讀下對(duì)應(yīng)的內(nèi)容，按照比較容易理解的前后順序進(jìn)行介紹：
E6 - FG 故障分級(jí)
FG這個(gè)題目和翻譯，并不是很容易理解，實(shí)際上FG項(xiàng)目是對(duì)芯片規(guī)劃的測(cè)試方法及對(duì)應(yīng)測(cè)試覆蓋率的評(píng)估，也就是芯片制造過(guò)程的測(cè)試程序，是否可以模擬出芯片實(shí)際工作中的種種情況、是否可以對(duì)芯片的輸入輸出進(jìn)行全面的檢測(cè)，F(xiàn)G僅針對(duì)數(shù)字信號(hào)和數(shù)?；旌闲盘?hào)的數(shù)字部分。（模擬輸出部分原則上需要100%檢測(cè)，所以不用經(jīng)過(guò)這個(gè)分級(jí)）
FG關(guān)注的就是輸入輸出發(fā)生卡滯的情況，信號(hào)不能正常反應(yīng)，但是測(cè)試不到的可能。
E7 - CHAR 特征特性
CHAR內(nèi)容，目的是告訴大家如何確定一個(gè)產(chǎn)品的規(guī)格書參數(shù)和規(guī)格書上下限的制定，要在確保產(chǎn)品工藝制程穩(wěn)定性的前提下（Cpk>1.67），根據(jù)對(duì)多批次產(chǎn)品的實(shí)際測(cè)試結(jié)果給出一個(gè)適當(dāng)?shù)囊?guī)格書參數(shù)及范圍。（有朋友會(huì)有疑問(wèn)，把上下限放大，Cpk自然就好，這個(gè)說(shuō)法確實(shí)沒(méi)錯(cuò)，但是上下限放的過(guò)大，客戶也會(huì)對(duì)產(chǎn)品的精確度產(chǎn)生懷疑，會(huì)影響此產(chǎn)品的應(yīng)用，所以需要根據(jù)實(shí)際情況選擇一個(gè)最合適的參數(shù)。）
在新產(chǎn)品推出時(shí)和產(chǎn)品變更時(shí)，都要執(zhí)行CHAR的流程來(lái)重新定義規(guī)格書。
E5 - ED 電性能分配
ED的測(cè)試內(nèi)容，也是對(duì)多批次產(chǎn)品測(cè)試結(jié)果進(jìn)行Cpk值的統(tǒng)計(jì)計(jì)算，要求是Cpk必須大于1.67。但是ED項(xiàng)目必須以規(guī)格書參數(shù)為基準(zhǔn)并且進(jìn)行測(cè)試設(shè)備偏差的修正后得出結(jié)果，所以ED項(xiàng)目必須在CHAR之后進(jìn)行，如果沒(méi)有規(guī)格書參數(shù)，ED項(xiàng)目無(wú)法開展。
CHAR是根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)實(shí)際情況來(lái)確定規(guī)格書參數(shù)，而ED是驗(yàn)證制定規(guī)格書參數(shù)后，其余批次產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝穩(wěn)定性是否可以達(dá)到規(guī)格書參數(shù)要求。
F1 - PAT 過(guò)程平均測(cè)試
PAT的內(nèi)容，是根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程對(duì)規(guī)格書中定義的上下限進(jìn)行不斷的修正，以確保生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量可靠性和一致性，在這里要知道幾個(gè)上下限的區(qū)別，LSL/USL是規(guī)格書中定義的上下限，LTL/UTL是測(cè)試程序中定義的上下限，PAT上下限是基于Robust均值和Robust標(biāo)準(zhǔn)差定義的上下限。原則上，LSL/USL的范圍>LTL/UTL范圍>PAT Limit范圍，而AEC文件中定義部分測(cè)試內(nèi)容必須采用PAT限值來(lái)作為L(zhǎng)TL和UTL，所以說(shuō)PAT就是把測(cè)試要求變得更加嚴(yán)格。
PAT的做法，實(shí)際上就是為了防止上文提到的在CHAR的過(guò)程為了確保Cpk而盲目放大上下限，卻忽略的對(duì)生產(chǎn)工藝穩(wěn)定性的改善。
看到這里就知道車規(guī)芯片認(rèn)證的要求有多嚴(yán)格，實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，我不確定有幾個(gè)企業(yè)能夠做到此點(diǎn)內(nèi)容，但是這確實(shí)是流程所要求必須執(zhí)行的。
F2 - SBA 統(tǒng)計(jì)良率/分bin分析
相對(duì)于上述幾個(gè)互相糾纏的概念，SBA的理解就容易很多，SBA實(shí)際上包含兩個(gè)內(nèi)容，一是SYA Statistical Yield Analysis，二是SBA Statistical Bin Analysis。內(nèi)容是要根據(jù)生產(chǎn)過(guò)程中至少6個(gè)批次的良率和分bin統(tǒng)計(jì)，對(duì)任何低于SYL1或超過(guò)SBL1的晶圓或批次都應(yīng)標(biāo)記以供工程評(píng)審。此外，對(duì)任何低于SYL2或超過(guò)SBL2的批次都要求被隔離并給出改善措施。
注意的是，SBA內(nèi)容要求使用PAT的上下限進(jìn)行統(tǒng)計(jì)，這也加大了對(duì)生產(chǎn)工藝穩(wěn)定性的要求。
上面是對(duì)5項(xiàng)內(nèi)容進(jìn)行了總結(jié)，簡(jiǎn)單歸納總結(jié)一下：
首先必須根據(jù)FG要求定義測(cè)試覆蓋率；
然后要根據(jù)CHAR要求定規(guī)格書參數(shù)；
定了規(guī)格書參數(shù)后要做ED確定產(chǎn)品是否都可以達(dá)到Cpk>1.67的標(biāo)準(zhǔn)；
樣品就算ED Cpk通過(guò)，還要對(duì)長(zhǎng)期生產(chǎn)進(jìn)行更嚴(yán)格的PAT測(cè)試限值修正；
基于PAT的測(cè)試限值，要對(duì)批次進(jìn)行SBA/SYA統(tǒng)計(jì)監(jiān)控。
這就是AEC Q100中FG、CHAR、PAT、SBA、ED，這5項(xiàng)內(nèi)容的關(guān)系和區(qū)別，您了解了嗎？
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