SY5800
我用SY5800做了款12W T8方案，為什么輕載時燈會閃爍，滿載時正常，PF0.95效率88%請高手請教。
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@wgm913
你的問題太簡單，沒有描述清楚。如果是輸出工作電壓小于最大輸出電壓一半或略高于一半的輕載，那么，請檢查VCC是否進入了欠壓保護；如果VCC未進入欠壓保護，請檢查ZCS是否進入了是否受干擾，請加一個20pf電容試試；再檢查Iesn是否受干擾，請調(diào)整PCB布線，盡量縮短；也可能是補償偏離太遠(yuǎn)，請調(diào)整COMP電阻電容試試；供你參考！
如果你的輸出電流小于500mA，那么，正常效率應(yīng)該為：
89% @ 120V
90-91% @ 220V
你的效率偏低，請調(diào)整MOS管的驅(qū)動，RCD吸收和變壓器漏感變比線徑。
工作頻率控制在：50-60KHZ @ 120V, 80-90KHZ @ 220V
如果各項做的比較到位的話，92% @ 220V是完全可能的。
我也是一個SY5800用戶，一點意見，供你參考。
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@wgm913
如果你的輸出電流小于500mA，那么，正常效率應(yīng)該為：89%@120V90-91%@220V你的效率偏低，請調(diào)整MOS管的驅(qū)動，RCD吸收和變壓器漏感變比線徑。工作頻率控制在：50-60KHZ@120V,80-90KHZ@220V如果各項做的比較到位的話，92%@220V是完全可能的。我也是一個SY5800用戶，一點意見，供你參考。
另外，要小心高低壓切換損壞MOSFET，主要是注意變壓器的B值要控制在0.22以內(nèi)。
否則，從低壓切換到高壓易損壞MOSFET。但從高壓切換到低壓不會損壞的（即使B值過高）。
你在研發(fā)、測試和生產(chǎn)過程中，還會碰到問題，需要多留意。
同行，路過，給你提個醒。
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@wgm913
如果你的輸出電流小于500mA，那么，正常效率應(yīng)該為：89%@120V90-91%@220V你的效率偏低，請調(diào)整MOS管的驅(qū)動，RCD吸收和變壓器漏感變比線徑。工作頻率控制在：50-60KHZ@120V,80-90KHZ@220V如果各項做的比較到位的話，92%@220V是完全可能的。我也是一個SY5800用戶，一點意見，供你參考。
前輩~小弟能否在此跟您請教一下,附件為SY5800試算表,其中內(nèi)容有幾個參數(shù)不太明白...
就是L6項目(RLED)及B32項目(I%)這兩個參數(shù)是怎麼決取的,不知能否解說給小弟瞭解一下!
小弟先在此感恩了!
Flyback Transformer Calculated Form For PFC function 6Mar2011
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@wgm913
如果你的輸出電流小于500mA，那么，正常效率應(yīng)該為：89%@120V90-91%@220V你的效率偏低，請調(diào)整MOS管的驅(qū)動，RCD吸收和變壓器漏感變比線徑。工作頻率控制在：50-60KHZ@120V,80-90KHZ@220V如果各項做的比較到位的話，92%@220V是完全可能的。我也是一個SY5800用戶，一點意見，供你參考。
樓主真是高手啊,
我現(xiàn)在調(diào)一個電源,IC也是SY5800,輸出是21V 300mA,現(xiàn)在電源220V時效率是87%,PF值是0.95,THD值是7.5%,這個參數(shù)是否正常呢!!
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@larry98012
樓主真是高手啊,我現(xiàn)在調(diào)一個電源,IC也是SY5800,輸出是21V300mA,現(xiàn)在電源220V時效率是87%,PF值是0.95,THD值是7.5%,這個參數(shù)是否正常呢!!
21V/300mA，輸出功率為6.3W，你的這個效率基本正常。
如果，你還要提高效率的話，請做下列調(diào)整：
1、盡量減小漏感，省去RCD，效率將提高1.5以上，不過會有EMC問題和MOS管反壓問題，請注意；
2、減去輸出二極管的RC吸收，提高效率0.5-1，同意注意EMC問題；
3、盡量使用低Coss的MOSFET，對效率提高也很明顯；
供你參考。
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@ampere
前輩~小弟能否在此跟您請教一下,附件為SY5800試算表,其中內(nèi)容有幾個參數(shù)不太明白...就是L6項目(RLED)及B32項目(I%)這兩個參數(shù)是怎麼決取的,不知能否解說給小弟瞭解一下!小弟先在此感恩了![圖片][圖片]FlybackTransformerCalculatedFormForPFCfunction6Mar2011
你好：
L6的問題，主要涉及阻抗匹配，與B32項計算有用，供計算參考而已。
B32項，指的是你想要達到的輸出電流紋波的百分比，一般而言，取30%時，輸出電解電容較小些，省點成本，但輸出紋波電流稍大些。30%這個值，也是LED燈珠在壽命范圍內(nèi)可以接受的最大值了。
請盡量取在20%
供你參考。
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@wgm913
21V/300mA，輸出功率為6.3W，你的這個效率基本正常。如果，你還要提高效率的話，請做下列調(diào)整：1、盡量減小漏感，省去RCD，效率將提高1.5以上，不過會有EMC問題和MOS管反壓問題，請注意；2、減去輸出二極管的RC吸收，提高效率0.5-1，同意注意EMC問題；3、盡量使用低Coss的MOSFET，對效率提高也很明顯；供你參考。
這個SY5800優(yōu)點是：
1、電路簡單，PSR控制，省去次級電路，效率提高，成本降低；
2、由于有限頻功能，且限頻后仍然工作在QR零電流開通，使得產(chǎn)品效率可以做的很高，這也是所有PSR方案中最特出的優(yōu)點了；
3、限頻后，恒流計算精度得到提高；
缺點是：
1、啟動電路不好，電阻負(fù)載不能可靠啟動。LED燈載，在半壓輸出或低壓85V輸入時，啟動不可靠；外加恒流啟動電路，啟動可靠了，但又導(dǎo)致了新的問題...；
2、Isen易受干擾，導(dǎo)致恒流精度不足，PCB布線要短，地線要合理；
3、大電流輸出時，有新的問題發(fā)生，更需要精心理解IC的構(gòu)造；
4、要求變壓器漏感要小，否則，輸出恒流值有時間漂移和溫度漂移的問題，且超過5%；
同行路過，交流一下，也給各位提個醒。供你參考！
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@wgm913
這個SY5800優(yōu)點是：1、電路簡單，PSR控制，省去次級電路，效率提高，成本降低；2、由于有限頻功能，且限頻后仍然工作在QR零電流開通，使得產(chǎn)品效率可以做的很高，這也是所有PSR方案中最特出的優(yōu)點了；3、限頻后，恒流計算精度得到提高；缺點是：1、啟動電路不好，電阻負(fù)載不能可靠啟動。LED燈載，在半壓輸出或低壓85V輸入時，啟動不可靠；外加恒流啟動電路，啟動可靠了，但又導(dǎo)致了新的問題...；2、Isen易受干擾，導(dǎo)致恒流精度不足，PCB布線要短，地線要合理；3、大電流輸出時，有新的問題發(fā)生，更需要精心理解IC的構(gòu)造；4、要求變壓器漏感要小，否則，輸出恒流值有時間漂移和溫度漂移的問題，且超過5%；同行路過，交流一下，也給各位提個醒。供你參考！
提醒各位：
1、在批量生產(chǎn)前，一定要深入理解這顆IC的特點；
2、盡量做完整樣品測試；
3、一定要做試產(chǎn)，充分暴露完問題，否則，產(chǎn)品一致性難以保證；
4、盲目抄板不可??；
5、多數(shù)原廠FAE對這個IC的理解也不充分，只是一味地說自己的IC好，避開毛病和問題；
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@ampere
前輩~能否請問一下,若是以實際情況來說,怎樣才算是減少層間的分布電容呢!先在此感謝!
關(guān)于減少漏感和分布電容，這是個基本問題，可以找相關(guān)資料查閱。
我給你點建議：
1、“三明治”繞法是減少漏感的方法，要注意合適選擇“金包銀”或“銀包金”繞法；
2、也有采用“五明治”繞法，當(dāng)然，成本增加太多，需要在成本和性能之間作出合理選擇；
3、每個繞組以一層為選擇原則，以減小層間電容。要選擇合適的磁芯和注意變壓器飽和問題；
4、輸出電壓選擇在50V以上，以增加初次級的藕合，從而減小漏感；
關(guān)于20貼的RCD問題
SY5800由于是初級控制型技術(shù)，附帶了一個優(yōu)點，就是此芯片有開機軟啟動功能，雖然在規(guī)格書中沒有描述。實際測試是完全沒有開機過沖，包括MOSFET過沖和輸出過沖，這就可以適當(dāng)放寬RCD吸收創(chuàng)造了條件，加上減小漏感和分布電容，合理選擇電壓反射比，在輸出電壓大于80V，輸出恒流100mA時，省去RCD完全沒有問題，效率可以達到92%@120V。
對于更低輸出電壓、更高輸出電流的產(chǎn)品，或更高功率的產(chǎn)品，我沒有試驗過，省去RCD應(yīng)該是不合適的，請各位自行試驗，可能有提高效率的更好的見解！
以上建議僅供參考，不一定是最好的方法。
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@wgm913
關(guān)于減少漏感和分布電容，這是個基本問題，可以找相關(guān)資料查閱。我給你點建議：1、“三明治”繞法是減少漏感的方法，要注意合適選擇“金包銀”或“銀包金”繞法；2、也有采用“五明治”繞法，當(dāng)然，成本增加太多，需要在成本和性能之間作出合理選擇；3、每個繞組以一層為選擇原則，以減小層間電容。要選擇合適的磁芯和注意變壓器飽和問題；4、輸出電壓選擇在50V以上，以增加初次級的藕合，從而減小漏感；關(guān)于20貼的RCD問題SY5800由于是初級控制型技術(shù)，附帶了一個優(yōu)點，就是此芯片有開機軟啟動功能，雖然在規(guī)格書中沒有描述。實際測試是完全沒有開機過沖，包括MOSFET過沖和輸出過沖，這就可以適當(dāng)放寬RCD吸收創(chuàng)造了條件，加上減小漏感和分布電容，合理選擇電壓反射比，在輸出電壓大于80V，輸出恒流100mA時，省去RCD完全沒有問題，效率可以達到92%@120V。對于更低輸出電壓、更高輸出電流的產(chǎn)品，或更高功率的產(chǎn)品，我沒有試驗過，省去RCD應(yīng)該是不合適的，請各位自行試驗，可能有提高效率的更好的見解！以上建議僅供參考，不一定是最好的方法。
非常感謝樓主的解說
針對樓主說的去掉RCD提高效這種做法,還得真的想去試試看!!!
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@wgm913
關(guān)于減少漏感和分布電容，這是個基本問題，可以找相關(guān)資料查閱。我給你點建議：1、“三明治”繞法是減少漏感的方法，要注意合適選擇“金包銀”或“銀包金”繞法；2、也有采用“五明治”繞法，當(dāng)然，成本增加太多，需要在成本和性能之間作出合理選擇；3、每個繞組以一層為選擇原則，以減小層間電容。要選擇合適的磁芯和注意變壓器飽和問題；4、輸出電壓選擇在50V以上，以增加初次級的藕合，從而減小漏感；關(guān)于20貼的RCD問題SY5800由于是初級控制型技術(shù)，附帶了一個優(yōu)點，就是此芯片有開機軟啟動功能，雖然在規(guī)格書中沒有描述。實際測試是完全沒有開機過沖，包括MOSFET過沖和輸出過沖，這就可以適當(dāng)放寬RCD吸收創(chuàng)造了條件，加上減小漏感和分布電容，合理選擇電壓反射比，在輸出電壓大于80V，輸出恒流100mA時，省去RCD完全沒有問題，效率可以達到92%@120V。對于更低輸出電壓、更高輸出電流的產(chǎn)品，或更高功率的產(chǎn)品，我沒有試驗過，省去RCD應(yīng)該是不合適的，請各位自行試驗，可能有提高效率的更好的見解！以上建議僅供參考，不一定是最好的方法。
兄弟，我調(diào)了個SY5800的，6個樣機，輸出81V 315MA，同一電路，同一變壓器，做出來的產(chǎn)品，3個輸出達到81V，3個只能到72V，請問兄弟有無遇到這個問題？你認(rèn)為問題出在哪里？我的電路與網(wǎng)上提供的一致。
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@lyj88hf0206
兄弟，我調(diào)了個SY5800的，6個樣機，輸出81V315MA，同一電路，同一變壓器，做出來的產(chǎn)品，3個輸出達到81V，3個只能到72V，請問兄弟有無遇到這個問題？你認(rèn)為問題出在哪里？我的電路與網(wǎng)上提供的一致。
你的問題，我的感覺是VCC的OVP起保護了：
1、VCC的OVP誤差較大，應(yīng)該是引起你輸出不一致的原因；
2、ZCS也有OVP功能，精度較高，應(yīng)該不是這個問題；
建議：
1、減少自舉繞組匝數(shù)，降低VCC值，偏離VCC的OVP，VCC的OVP為15-17.6V。
2、臨時增大自舉整流電阻值，以降低VCC；
3、讓OVP由ZCS起作用，這樣，就可以提高最大輸出電壓的精度；
一點建議，供你參考！
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