幫助計算RCC變壓器,如有需要找我,一次優(yōu)化設(shè)計成功!
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@藥師佛
回colinzou:你的6V/0.6A變壓器參數(shù)如下:磁心EE16S=19mm2得:初級感量LP=3.9mH 初級匝數(shù)NP=145TS線徑=0.15mm 次級匝數(shù)NS=10TS線徑=0.55mm 反饋繞組ND=7TS 線徑=0.15mm(以上反饋繞組的匝數(shù)以MOSFET開關(guān)計算)
變壓器的繞法:初級145匝分兩段繞夾次級繞組于其中,由于輸出功率小也可以不分段繞,但變壓器的熱端(MOS管的D極)一定放在繞組的最里面,此EE16的變壓器由于窗口面積小所以不便加擋墻,但由于安規(guī)爬電距離的要求次級采用三重絕緣線繞制,反饋繞組放在最外面均繞,初級與次級繞組間加一層屏蔽(非閉合銅箔或正逆向繞線屏蔽),變壓器外磁心加一層閉合銅箔屏蔽(包住磁心面接合處),為了減少匝間電容初級繞組也可采用“Z”形繞法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建議采用....
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@藥師佛
變壓器的繞法:初級145匝分兩段繞夾次級繞組于其中,由于輸出功率小也可以不分段繞,但變壓器的熱端(MOS管的D極)一定放在繞組的最里面,此EE16的變壓器由于窗口面積小所以不便加擋墻,但由于安規(guī)爬電距離的要求次級采用三重絕緣線繞制,反饋繞組放在最外面均繞,初級與次級繞組間加一層屏蔽(非閉合銅箔或正逆向繞線屏蔽),變壓器外磁心加一層閉合銅箔屏蔽(包住磁心面接合處),為了減少匝間電容初級繞組也可采用“Z”形繞法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建議采用....
也幫我設(shè)計一個變壓器,輸入電壓AC176V-AC264V,輸出:5V/0.6A;+/-15V/50mA;15V/30mA;15V/200mA.用EE28或著EI28的變壓器
謝謝!
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@zhiquang
老兄,反饋繞組的圈數(shù)少不少?
1146991558.xls
請教:以上是一個Vds波形圖,經(jīng)常在分析中碰到,圖中圓圈所指的部分是如何形成的,怎樣去改善呢?多謝!
請教:以上是一個Vds波形圖,經(jīng)常在分析中碰到,圖中圓圈所指的部分是如何形成的,怎樣去改善呢?多謝!
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@藥師佛
變壓器的繞法:初級145匝分兩段繞夾次級繞組于其中,由于輸出功率小也可以不分段繞,但變壓器的熱端(MOS管的D極)一定放在繞組的最里面,此EE16的變壓器由于窗口面積小所以不便加擋墻,但由于安規(guī)爬電距離的要求次級采用三重絕緣線繞制,反饋繞組放在最外面均繞,初級與次級繞組間加一層屏蔽(非閉合銅箔或正逆向繞線屏蔽),變壓器外磁心加一層閉合銅箔屏蔽(包住磁心面接合處),為了減少匝間電容初級繞組也可采用“Z”形繞法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建議采用....
看得出來你在這方面很有經(jīng)驗(yàn).變壓器的繞法也很地道,適用.如果搞得好的話還可以少加一層屏蔽.但對于你這點(diǎn)MOS熱端(D)一定要放在繞組的最里面這點(diǎn)存在疑惑,看過一些廠確是這樣設(shè)計的,也聽過N多朋友這樣說.但不知你有沒有實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),是否事實(shí)證明是這樣的?聽過一個從PI公司出來的人說他們的產(chǎn)品很少是熱端放里面的,而且聽他分析似乎也很有道理.他說,如果是熱端放最里面,這樣就會形成一個動態(tài)磁場,會對EMI不利的.
有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實(shí)一下.
有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實(shí)一下.
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@xiaodong
看得出來你在這方面很有經(jīng)驗(yàn).變壓器的繞法也很地道,適用.如果搞得好的話還可以少加一層屏蔽.但對于你這點(diǎn)MOS熱端(D)一定要放在繞組的最里面這點(diǎn)存在疑惑,看過一些廠確是這樣設(shè)計的,也聽過N多朋友這樣說.但不知你有沒有實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),是否事實(shí)證明是這樣的?聽過一個從PI公司出來的人說他們的產(chǎn)品很少是熱端放里面的,而且聽他分析似乎也很有道理.他說,如果是熱端放最里面,這樣就會形成一個動態(tài)磁場,會對EMI不利的.有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實(shí)一下.
熱端放在里面的原因是讓自己的其他繞組層來做自己的屏蔽,你也可在最里面靠磁心中柱加一層屏蔽
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@xiaodong
藥師傅兄弟在設(shè)計變壓器時反饋都是按這個比例設(shè)計的嗎?一般來說,晶體管是按5V來計算的,MOS管則按10左右來計算的.但我曾設(shè)計過一個產(chǎn)品,36W的,用ER28,反饋一定得按14V來計算,否則在90V時就不能很好的保證起動OK.一時找不到原因來解釋.
補(bǔ)充一點(diǎn),這樣設(shè)計出來的產(chǎn)品和按10V設(shè)計出來的產(chǎn)品,在待機(jī)功耗是差不多,AC264時是0.5W.
一直想做個40W的把待機(jī)功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項(xiàng)指標(biāo)都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.
一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領(lǐng)啊.
一直想做個40W的把待機(jī)功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項(xiàng)指標(biāo)都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.
一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領(lǐng)啊.
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@xiaodong
補(bǔ)充一點(diǎn),這樣設(shè)計出來的產(chǎn)品和按10V設(shè)計出來的產(chǎn)品,在待機(jī)功耗是差不多,AC264時是0.5W.一直想做個40W的把待機(jī)功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項(xiàng)指標(biāo)都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領(lǐng)啊.
降低待機(jī)功耗可以采用空載跳周模式,去掉Y電容需要在減弱共模干擾上下工夫,主要是從3個方面入手:1.減小dv/dt 2.減小分布電容 3.減小共模電流環(huán)路面積,( 變壓器的繞制工藝,MOS管漏極與變壓器的節(jié)點(diǎn)和變壓器次級與整流管的節(jié)點(diǎn),散熱片,PCB布局等)
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@xiaodong
補(bǔ)充一點(diǎn),這樣設(shè)計出來的產(chǎn)品和按10V設(shè)計出來的產(chǎn)品,在待機(jī)功耗是差不多,AC264時是0.5W.一直想做個40W的把待機(jī)功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項(xiàng)指標(biāo)都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領(lǐng)啊.
可能是你的變壓器設(shè)計的匝比不正確導(dǎo)致低壓無法帶載起動,也或許你的反饋回授環(huán)路設(shè)計不當(dāng),但要具體電路具體分析才行,也不感冒然說出結(jié)論,據(jù)我所設(shè)計的RCC電路一般空載30V左右起動,帶載65V-70V就能起動,而且在高低壓輸入時效率相差不大
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@xiaodong
看得出來你在這方面很有經(jīng)驗(yàn).變壓器的繞法也很地道,適用.如果搞得好的話還可以少加一層屏蔽.但對于你這點(diǎn)MOS熱端(D)一定要放在繞組的最里面這點(diǎn)存在疑惑,看過一些廠確是這樣設(shè)計的,也聽過N多朋友這樣說.但不知你有沒有實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),是否事實(shí)證明是這樣的?聽過一個從PI公司出來的人說他們的產(chǎn)品很少是熱端放里面的,而且聽他分析似乎也很有道理.他說,如果是熱端放最里面,這樣就會形成一個動態(tài)磁場,會對EMI不利的.有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實(shí)一下.
你說的是功率比較大點(diǎn)的﹐這時一般不把熱點(diǎn)放在最裡面﹐這樣很難補(bǔ)償平衡.如這樣做﹐一般會加銅箔屏蔽來補(bǔ)償﹐增加成本.
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