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幫助計算RCC變壓器,如有需要找我,一次優(yōu)化設(shè)計成功!

幫助計算RCC變壓器,如有需要找我,一次優(yōu)化設(shè)計成功!
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xiaodong
LV.9
2
2006-05-07 13:55
看你是個很熱心的人,幫你頂一下.
相對來說RCC的設(shè)計在環(huán)路選擇上是很重要的,好的環(huán)路可以做到比一般PWM芯片的效果還要好.還有一個設(shè)計的難點(diǎn)就是變壓器的繞法和匝比的平衡.
全電壓輸入,輸出6V0.6A,怎么樣來設(shè)計呢?對變壓器繞法有什么好的建議,要達(dá)到高低壓輸入平衡,等等效果.
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2006-05-07 14:34
@xiaodong
看你是個很熱心的人,幫你頂一下.相對來說RCC的設(shè)計在環(huán)路選擇上是很重要的,好的環(huán)路可以做到比一般PWM芯片的效果還要好.還有一個設(shè)計的難點(diǎn)就是變壓器的繞法和匝比的平衡.全電壓輸入,輸出6V0.6A,怎么樣來設(shè)計呢?對變壓器繞法有什么好的建議,要達(dá)到高低壓輸入平衡,等等效果.
能否講一下怎樣計算,謝謝!
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藥師佛
LV.5
4
2006-05-07 14:47
@zhonglingji
能否講一下怎樣計算,謝謝!
回colinzou:你的6V/0.6A變壓器參數(shù)如下:磁心EE16 S=19mm2得:初級感量LP=3.9mH  初級匝數(shù)NP=145TS 線徑=0.15mm  次級匝數(shù)NS=10TS 線徑=0.55mm  反饋繞組ND=7TS  線徑=0.15mm (以上反饋繞組的匝數(shù)以MOSFET 開關(guān)計算)
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藥師佛
LV.5
5
2006-05-07 15:13
@藥師佛
回colinzou:你的6V/0.6A變壓器參數(shù)如下:磁心EE16S=19mm2得:初級感量LP=3.9mH  初級匝數(shù)NP=145TS線徑=0.15mm  次級匝數(shù)NS=10TS線徑=0.55mm  反饋繞組ND=7TS  線徑=0.15mm(以上反饋繞組的匝數(shù)以MOSFET開關(guān)計算)
變壓器的繞法:初級145匝分兩段繞夾次級繞組于其中,由于輸出功率小也可以不分段繞,但變壓器的熱端(MOS管的D極)一定放在繞組的最里面,此EE16的變壓器由于窗口面積小所以不便加擋墻,但由于安規(guī)爬電距離的要求次級采用三重絕緣線繞制,反饋繞組放在最外面均繞,初級與次級繞組間加一層屏蔽(非閉合銅箔或正逆向繞線屏蔽),變壓器外磁心加一層閉合銅箔屏蔽(包住磁心面接合處),為了減少匝間電容初級繞組也可采用“Z”形繞法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建議采用....
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2006-05-07 16:21
@藥師佛
變壓器的繞法:初級145匝分兩段繞夾次級繞組于其中,由于輸出功率小也可以不分段繞,但變壓器的熱端(MOS管的D極)一定放在繞組的最里面,此EE16的變壓器由于窗口面積小所以不便加擋墻,但由于安規(guī)爬電距離的要求次級采用三重絕緣線繞制,反饋繞組放在最外面均繞,初級與次級繞組間加一層屏蔽(非閉合銅箔或正逆向繞線屏蔽),變壓器外磁心加一層閉合銅箔屏蔽(包住磁心面接合處),為了減少匝間電容初級繞組也可采用“Z”形繞法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建議采用....
也幫我設(shè)計一個變壓器,輸入電壓AC176V-AC264V,輸出:5V/0.6A;+/-15V/50mA;15V/30mA;15V/200mA.用EE28或著EI28的變壓器
謝謝!
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zhiquang
LV.5
7
2006-05-07 16:37
@藥師佛
回colinzou:你的6V/0.6A變壓器參數(shù)如下:磁心EE16S=19mm2得:初級感量LP=3.9mH  初級匝數(shù)NP=145TS線徑=0.15mm  次級匝數(shù)NS=10TS線徑=0.55mm  反饋繞組ND=7TS  線徑=0.15mm(以上反饋繞組的匝數(shù)以MOSFET開關(guān)計算)
老兄,反饋繞組的圈數(shù)少不少?
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zhiquang
LV.5
8
2006-05-07 16:49
@zhiquang
老兄,反饋繞組的圈數(shù)少不少?
1146991558.xls
請教:以上是一個Vds波形圖,經(jīng)常在分析中碰到,圖中圓圈所指的部分是如何形成的,怎樣去改善呢?多謝!
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藥師佛
LV.5
9
2006-05-07 16:52
@zhiquang
老兄,反饋繞組的圈數(shù)少不少?
不少,MOS的柵極驅(qū)動電壓范為很寬,若輸入電壓為100-240V,反饋電壓一般取5-10V,但電壓太低會造成驅(qū)動遲緩,太高在反饋回路損耗會變大,為了兼顧高低壓輸入所以一般取5-6V來設(shè)計
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zhiquang
LV.5
10
2006-05-07 17:02
@藥師佛
不少,MOS的柵極驅(qū)動電壓范為很寬,若輸入電壓為100-240V,反饋電壓一般取5-10V,但電壓太低會造成驅(qū)動遲緩,太高在反饋回路損耗會變大,為了兼顧高低壓輸入所以一般取5-6V來設(shè)計
次級繞組的單匝電壓是10/6=0.6(V/T),會不會造成反饋繞組電壓偏低?
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藥師佛
LV.5
11
2006-05-07 17:07
@zhiquang
次級繞組的單匝電壓是10/6=0.6(V/T),會不會造成反饋繞組電壓偏低?
不會,因?yàn)樵谟嬎阕儔浩鞯拇渭壚@組匝數(shù)時已包含整流二極管的導(dǎo)通壓降和輸出線路上的壓降
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藥師佛
LV.5
12
2006-05-07 17:16
@藥師佛
不會,因?yàn)樵谟嬎阕儔浩鞯拇渭壚@組匝數(shù)時已包含整流二極管的導(dǎo)通壓降和輸出線路上的壓降
也就是說次級里面多出近1V的電壓...而反饋靠的是不經(jīng)整流的脈沖
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藥師佛
LV.5
13
2006-05-07 17:24
@zhonglingji
也幫我設(shè)計一個變壓器,輸入電壓AC176V-AC264V,輸出:5V/0.6A;+/-15V/50mA;15V/30mA;15V/200mA.用EE28或著EI28的變壓器謝謝!
這么小的功率不會用28的CORE吧
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xiaodong
LV.9
14
2006-05-07 17:28
@藥師佛
變壓器的繞法:初級145匝分兩段繞夾次級繞組于其中,由于輸出功率小也可以不分段繞,但變壓器的熱端(MOS管的D極)一定放在繞組的最里面,此EE16的變壓器由于窗口面積小所以不便加擋墻,但由于安規(guī)爬電距離的要求次級采用三重絕緣線繞制,反饋繞組放在最外面均繞,初級與次級繞組間加一層屏蔽(非閉合銅箔或正逆向繞線屏蔽),變壓器外磁心加一層閉合銅箔屏蔽(包住磁心面接合處),為了減少匝間電容初級繞組也可采用“Z”形繞法,但由于磁性零件制造成本的增加所以不建議采用....
看得出來你在這方面很有經(jīng)驗(yàn).變壓器的繞法也很地道,適用.如果搞得好的話還可以少加一層屏蔽.但對于你這點(diǎn)MOS熱端(D)一定要放在繞組的最里面這點(diǎn)存在疑惑,看過一些廠確是這樣設(shè)計的,也聽過N多朋友這樣說.但不知你有沒有實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),是否事實(shí)證明是這樣的?聽過一個從PI公司出來的人說他們的產(chǎn)品很少是熱端放里面的,而且聽他分析似乎也很有道理.他說,如果是熱端放最里面,這樣就會形成一個動態(tài)磁場,會對EMI不利的.
有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實(shí)一下.
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xiaodong
LV.9
15
2006-05-07 17:33
@藥師佛
這么小的功率不會用28的CORE吧
贊同.
19就夠了,25已很有余.
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xiaodong
LV.9
16
2006-05-07 17:45
藥師傅兄弟在設(shè)計變壓器時反饋都是按這個比例設(shè)計的嗎?一般來說,晶體管是按5V來計算的,MOS管則按10左右來計算的.但我曾設(shè)計過一個產(chǎn)品,36W的,用ER28,反饋一定得按14V來計算,否則在90V時就不能很好的保證起動OK.一時找不到原因來解釋.
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藥師佛
LV.5
17
2006-05-07 17:45
@xiaodong
看得出來你在這方面很有經(jīng)驗(yàn).變壓器的繞法也很地道,適用.如果搞得好的話還可以少加一層屏蔽.但對于你這點(diǎn)MOS熱端(D)一定要放在繞組的最里面這點(diǎn)存在疑惑,看過一些廠確是這樣設(shè)計的,也聽過N多朋友這樣說.但不知你有沒有實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),是否事實(shí)證明是這樣的?聽過一個從PI公司出來的人說他們的產(chǎn)品很少是熱端放里面的,而且聽他分析似乎也很有道理.他說,如果是熱端放最里面,這樣就會形成一個動態(tài)磁場,會對EMI不利的.有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實(shí)一下.
熱端放在里面的原因是讓自己的其他繞組層來做自己的屏蔽,你也可在最里面靠磁心中柱加一層屏蔽
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xiaodong
LV.9
18
2006-05-07 17:54
@xiaodong
藥師傅兄弟在設(shè)計變壓器時反饋都是按這個比例設(shè)計的嗎?一般來說,晶體管是按5V來計算的,MOS管則按10左右來計算的.但我曾設(shè)計過一個產(chǎn)品,36W的,用ER28,反饋一定得按14V來計算,否則在90V時就不能很好的保證起動OK.一時找不到原因來解釋.
補(bǔ)充一點(diǎn),這樣設(shè)計出來的產(chǎn)品和按10V設(shè)計出來的產(chǎn)品,在待機(jī)功耗是差不多,AC264時是0.5W.
一直想做個40W的把待機(jī)功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項(xiàng)指標(biāo)都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.
一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領(lǐng)啊.
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xiaodong
LV.9
19
2006-05-07 17:57
@藥師佛
熱端放在里面的原因是讓自己的其他繞組層來做自己的屏蔽,你也可在最里面靠磁心中柱加一層屏蔽
好的,有空我要驗(yàn)證一下.
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藥師佛
LV.5
20
2006-05-07 18:34
@xiaodong
補(bǔ)充一點(diǎn),這樣設(shè)計出來的產(chǎn)品和按10V設(shè)計出來的產(chǎn)品,在待機(jī)功耗是差不多,AC264時是0.5W.一直想做個40W的把待機(jī)功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項(xiàng)指標(biāo)都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領(lǐng)啊.
降低待機(jī)功耗可以采用空載跳周模式,去掉Y電容需要在減弱共模干擾上下工夫,主要是從3個方面入手:1.減小dv/dt 2.減小分布電容 3.減小共模電流環(huán)路面積,( 變壓器的繞制工藝,MOS管漏極與變壓器的節(jié)點(diǎn)和變壓器次級與整流管的節(jié)點(diǎn),散熱片,PCB布局等)
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藥師佛
LV.5
21
2006-05-07 18:54
@xiaodong
補(bǔ)充一點(diǎn),這樣設(shè)計出來的產(chǎn)品和按10V設(shè)計出來的產(chǎn)品,在待機(jī)功耗是差不多,AC264時是0.5W.一直想做個40W的把待機(jī)功耗降到0.3W以下,卻未能成.聽過很多人說可以,而且效果不錯,各項(xiàng)指標(biāo)都不錯,包括空載紋波.也聽過很多人說40W以下不用Y電容,卻沒有真正見識過.一直想做個這樣的東西出來卻摸不著要領(lǐng)啊.
可能是你的變壓器設(shè)計的匝比不正確導(dǎo)致低壓無法帶載起動,也或許你的反饋回授環(huán)路設(shè)計不當(dāng),但要具體電路具體分析才行,也不感冒然說出結(jié)論,據(jù)我所設(shè)計的RCC電路一般空載30V左右起動,帶載65V-70V就能起動,而且在高低壓輸入時效率相差不大
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lxjxba
LV.5
22
2006-05-07 20:48
@藥師佛
這么小的功率不會用28的CORE吧
大師,你真是高手,幫我也指點(diǎn)一下,我也做RCC的170-260AC輸入
30V/1A輸出.我用的是EI28,初級120圈0.25,次級18圈0.41,反饋4圈0.25.但無功率輸出.一帶負(fù)載就停振.多謝指點(diǎn).
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xiaodong
LV.9
23
2006-05-07 21:27
@藥師佛
可能是你的變壓器設(shè)計的匝比不正確導(dǎo)致低壓無法帶載起動,也或許你的反饋回授環(huán)路設(shè)計不當(dāng),但要具體電路具體分析才行,也不感冒然說出結(jié)論,據(jù)我所設(shè)計的RCC電路一般空載30V左右起動,帶載65V-70V就能起動,而且在高低壓輸入時效率相差不大
空載20V都能起動,滿載起動跟過流等設(shè)置有很大的關(guān)系.
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90839983
LV.2
24
2006-05-08 00:05
你好:藥師佛,請問用PQ26(初級45T,反饋3T,輸出6T)制作16V5A-19V3.3A電源(采用UC3842PWM常用電路).此變壓器可否通用?應(yīng)注意哪些問題?謝謝!
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90839983
LV.2
25
2006-05-08 00:42
@90839983
你好:藥師佛,請問用PQ26(初級45T,反饋3T,輸出6T)制作16V5A-19V3.3A電源(采用UC3842PWM常用電路).此變壓器可否通用?應(yīng)注意哪些問題?謝謝!
哦,是12V5A-19V3.3A變壓器工藝品不錯,12V時用燈泡作3.5A負(fù)載
整體溫度偏高.整流管MBR20100CT(TO-220)達(dá)70度.MOS管2SK2545達(dá)60度.變壓器55度,覺得不甚理想,請問如何改進(jìn)?
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hjp21cn
LV.5
26
2006-05-08 07:43
請幫忙設(shè)計一個變壓器,輸入電壓AC90V-AC270V,輸出:8V/1A;24V/6A
謝謝!
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philips
LV.8
27
2006-05-08 08:49
@藥師佛
回colinzou:你的6V/0.6A變壓器參數(shù)如下:磁心EE16S=19mm2得:初級感量LP=3.9mH  初級匝數(shù)NP=145TS線徑=0.15mm  次級匝數(shù)NS=10TS線徑=0.55mm  反饋繞組ND=7TS  線徑=0.15mm(以上反饋繞組的匝數(shù)以MOSFET開關(guān)計算)
既然是MOS管的,輸出6V,10T,反饋才7T,幫忙核實(shí)一下!
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2006-05-08 08:53
@xiaodong
看得出來你在這方面很有經(jīng)驗(yàn).變壓器的繞法也很地道,適用.如果搞得好的話還可以少加一層屏蔽.但對于你這點(diǎn)MOS熱端(D)一定要放在繞組的最里面這點(diǎn)存在疑惑,看過一些廠確是這樣設(shè)計的,也聽過N多朋友這樣說.但不知你有沒有實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),是否事實(shí)證明是這樣的?聽過一個從PI公司出來的人說他們的產(chǎn)品很少是熱端放里面的,而且聽他分析似乎也很有道理.他說,如果是熱端放最里面,這樣就會形成一個動態(tài)磁場,會對EMI不利的.有PI公司的人來證明一下嗎?遺憾的是沒時間,有時間一定要自己親自去證實(shí)一下.
你說的是功率比較大點(diǎn)的﹐這時一般不把熱點(diǎn)放在最裡面﹐這樣很難補(bǔ)償平衡.如這樣做﹐一般會加銅箔屏蔽來補(bǔ)償﹐增加成本.
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philips
LV.8
29
2006-05-08 08:55
那就幫咱算一個吧!
輸入:AC85~265
輸出:10V1A    EFD20磁芯
MOS主開關(guān)
謝了!
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藥師佛
LV.5
30
2006-05-08 09:37
@lxjxba
大師,你真是高手,幫我也指點(diǎn)一下,我也做RCC的170-260AC輸入30V/1A輸出.我用的是EI28,初級120圈0.25,次級18圈0.41,反饋4圈0.25.但無功率輸出.一帶負(fù)載就停振.多謝指點(diǎn).
磁心EI28 S=76.3mm2得:初級感量LP=1.69mH  初級匝數(shù)NP=64TS   次級匝數(shù)NS=11TS   反饋繞組ND=2TS   (以上反饋繞組的匝數(shù)以MOSFET 開關(guān)計算)
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藥師佛
LV.5
31
2006-05-08 09:44
@philips
既然是MOS管的,輸出6V,10T,反饋才7T,幫忙核實(shí)一下!
實(shí)踐出真知,最好看看常用MOS管的柵極驅(qū)動曲線圖,這個范圍很寬,你可試試,大概從4點(diǎn)幾伏到10伏之間都無太大變化....
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