別聽人瞎說(shuō)。出問(wèn)題不要一味怪罪IC。要找到自己的問(wèn)題。

抓下VS波形，如果板沒(méi)步好的話，振蕩波形超過(guò)5V，就容易把2118內(nèi)部DIODE擊穿。

這個(gè)驅(qū)動(dòng)器我們已經(jīng)生產(chǎn)了一年多了，之前一直沒(méi)有問(wèn)題，就是因?yàn)榻党杀?，換成散新的IR2118S ,才出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題，我說(shuō)芯片是針對(duì)市場(chǎng)上的散新貨而言的，并沒(méi)有說(shuō)正品的IR2118此芯片有問(wèn)題。

所以我說(shuō)的是樓主，考慮是否買到了質(zhì)量不好的IR2118S

呵呵，解決問(wèn)題出發(fā)點(diǎn)不同而已。

樓主明顯是板沒(méi)步好，或是吸收設(shè)計(jì)不好，VS端振蕩大，導(dǎo)致2118壞，因?yàn)?118VS到GND之間有個(gè)反向的DIODE，不能承受負(fù)5V的反壓。

解決問(wèn)題不是全新和散新的問(wèn)題，是要找到導(dǎo)致2118壞的根本原因，這才是鉆研技術(shù)的精神。

言語(yǔ)不當(dāng)之處請(qǐng)諒^-^

技術(shù)討論，言語(yǔ)不是問(wèn)題，我說(shuō)話也比較直。

我剛又看了下IR2118的datasheet,內(nèi)部電路沒(méi)有顯示VS與COM之間有個(gè)反向二極管。而且，我覺(jué)得此處應(yīng)該不會(huì)有反向耐壓只有5V的反向二極管存在吧？  上管導(dǎo)通的時(shí)候，VS腳對(duì)地電壓即為電源電壓，在此處加一反向耐壓只有5V的二極管似乎不可能。

而且，此板生產(chǎn)了不下3K的量了，PCB布線沒(méi)有動(dòng)過(guò)，之前用全新原裝沒(méi)有問(wèn)題，換散新后出現(xiàn)批量問(wèn)題，再次更換原裝全新，再?zèng)]出現(xiàn)此問(wèn)題。

datasheet并不能說(shuō)明問(wèn)題，只是一個(gè)簡(jiǎn)單框圖而已。

如果你連高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC關(guān)于VS瞬間負(fù)壓都不了解的話，可見你的設(shè)計(jì)并沒(méi)有考慮這些因素在里面，所以你的設(shè)計(jì)是有缺陷的。

你只把問(wèn)題簡(jiǎn)單歸納成散新器件造成的，太籠統(tǒng)，你沒(méi)有再進(jìn)一步查明為什么會(huì)導(dǎo)致器件損壞。呵呵

IR有專門的文件詳細(xì)講解了如何處理這些細(xì)節(jié)，以及IC內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，以及造成IC鎖定或是損壞的原理。

對(duì)橋式驅(qū)動(dòng)電路還是有一點(diǎn)點(diǎn)學(xué)習(xí)的。

你這么一說(shuō)，我明白你說(shuō)的是哪個(gè)二極管了。但是你表達(dá)有問(wèn)題吧。你說(shuō)的那個(gè)二極管應(yīng)該是場(chǎng)管柵極與漏極間的穩(wěn)壓二極管（或雙向）吧？那個(gè)二極管也不可能是5V的吧？這個(gè)得根據(jù)場(chǎng)管的驅(qū)動(dòng)電壓在外面加的。

另外一個(gè)管就是自舉電容的隔離二極管了，但是那個(gè)管應(yīng)該是個(gè)快恢復(fù)二極管啊。也不存在電壓一說(shuō)。

除了以上兩個(gè)二極管，我暫時(shí)想不出還是哪個(gè)地方有了。請(qǐng)指教。

這個(gè)電路應(yīng)該和IR2118類似

這是我做的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。上面三個(gè)SO8的芯片便是IR2118.

散新件確實(shí)不行，全新件裝好，很好用。明天有空我測(cè)試一下VGS，具體波形可能忘了，但是當(dāng)時(shí)測(cè)試應(yīng)該是沒(méi)有問(wèn)題的。

6顆大功率場(chǎng)效應(yīng)管在背面，VGS電壓為12V

呵呵，沒(méi)必要再討論了，我們根本沒(méi)說(shuō)到一塊去。你對(duì)高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC的理解只停留在表面，如果你玩過(guò)大功率的話，你就能深刻體會(huì)。

簡(jiǎn)單的說(shuō)就是2118的VS與COM之間電壓無(wú)論如何不能超過(guò)-5V。玩轉(zhuǎn)HV MOSFET DRIVER關(guān)鍵就在于如何處理VS的瞬態(tài)負(fù)壓。IR官方網(wǎng)站有專門文件詳細(xì)講解這些技巧。

用全新原裝器件并不能掩蓋設(shè)計(jì)上的缺陷，只是說(shuō)這個(gè)缺陷在散新器件上表現(xiàn)突出一些。

更多MOSFET信息

這個(gè)電路不是我的電路。此電路是某商業(yè)電調(diào)上面使用的。

理論上柵極電容越小越好，越能工作在更高頻率，此處確實(shí)不應(yīng)該加電容。

但是，在這個(gè)電路中，開關(guān)頻率在10K左右，作者加并聯(lián)電容，意在增加開通時(shí)間，降低場(chǎng)效應(yīng)管的開關(guān)應(yīng)力，這樣做的好處是能大幅提高抗干擾和抗過(guò)流能力，因?yàn)榇朔桨钢袑?duì)損耗及溫度不敏感，所以做出的折衷。

電路設(shè)計(jì)其實(shí)就某種折衷的過(guò)程，要根據(jù)實(shí)際情況。就像這個(gè)電容，理論上是萬(wàn)萬(wàn)不能加，但是實(shí)際呢，加上此電容在本電路中，得到的好處遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于壞處。

對(duì)驅(qū)動(dòng)電路，不敢說(shuō)玩轉(zhuǎn)，但至少能用我還是比較有把握的。

IR官網(wǎng)上是有關(guān)布線技巧文章的，但并沒(méi)有那么神秘，其實(shí)學(xué)過(guò)開關(guān)電源布線的人，應(yīng)該都有所了解。

我也覺(jué)得我們沒(méi)說(shuō)到一塊去，我已經(jīng)很明確地指出我說(shuō)的地方，是你沒(méi)有很明確的說(shuō)出你所指的地方?；蛘吣惆严嚓P(guān)文檔貼出來(lái)我參考一下。

你說(shuō)VS與COM間由于布線不對(duì)引起負(fù)壓大于5V，導(dǎo)致關(guān)聯(lián)的二極管損壞，我剛才量了幾個(gè)損壞的IR2118，VS與COM間并沒(méi)有像你說(shuō)的擊穿或短路。

我又量了幾個(gè)好的IR2118，VS與COM之間也沒(méi)有所謂的所謂并聯(lián)的二極管，（不信你可以自己測(cè)量，還有datasheet,這么重要的地方，我相信IR不會(huì)不提）而且就算VS與COm間電壓加到電源電壓-12V，也沒(méi)有出現(xiàn)損壞情況，請(qǐng)作解釋，或貼出你所參考的資料出處。

我只是提出我的疑問(wèn)，想搞明白，不想把問(wèn)題放在這里，丟下結(jié)論誤導(dǎo)他人，請(qǐng)理解并指教

我有搭洞洞板實(shí)際測(cè)試過(guò)，頻率大于15K上升沿開始明顯變緩，開關(guān)損耗開始明顯增大，這種做法只適應(yīng)在某些特定的場(chǎng)合。

把四個(gè)并在柵極的電容取掉，就是一般的驅(qū)動(dòng)電路了。

呵呵！

實(shí)際上并這個(gè)電容，跟調(diào)節(jié)柵極的串聯(lián)電阻是一個(gè)道理。

串聯(lián)電阻可以調(diào)節(jié)充放電電流，防止振蕩；并聯(lián)電容調(diào)節(jié)開通時(shí)間，減小開關(guān)管開通時(shí)承受的應(yīng)力，ΔIΔV會(huì)減小，這對(duì)EMI很有好處的。

哥們，不是說(shuō)你功夫不行，是說(shuō)你理念不行。

你現(xiàn)在不知道HV MOS DRIVER的最需要注重的技巧，不代表你以后不知道，我也不必再過(guò)多討論。

做技術(shù)的不能有半點(diǎn)敷衍，你能解釋為什么2118壞嗎？你的現(xiàn)象是散新2118壞，你沒(méi)給出最有力最有說(shuō)服里的解釋出來(lái)，很籠統(tǒng)歸結(jié)為IC原因。一棒子跳過(guò)很多問(wèn)題。

有IC原因，但是絕不能歸結(jié)成100%的IC原因。哪怕其它原因只占0.1%，你也得找出來(lái)，呵呵

我已經(jīng)指出VS腳的瞬態(tài)負(fù)壓是極其需要考慮的地方，你的問(wèn)題是根本就不知道這點(diǎn)。還需要我說(shuō)什么？

你認(rèn)為我誤導(dǎo)了你，我道歉哈。但愿你以后不要用金錢去為錯(cuò)誤買單，呵呵

這論題就此打住，我閉嘴好啦，呵呵

您嚴(yán)重了?？赡芪冶硎鲇袉?wèn)題。

既然你不肯仔細(xì)解釋VS腳負(fù)壓的問(wèn)題，我再自己查查資料吧。

我理解你說(shuō)的VS負(fù)壓是關(guān)斷的時(shí)候，布線電感與柵極電容放電，引起的電壓尖峰。

但是你說(shuō)的二極管，我真找不到哪個(gè)地方。

還有，就我個(gè)人的案例，已經(jīng)確定了是散新的IR2118不行，不上電路，直接通電就是壞的，有的甚至VCC與GND都是短路的。

你好，我現(xiàn)在在做MOS管的驅(qū)動(dòng)，選的是IRFP264（250V，38A）做開關(guān)管，不知這種管子用IR2118做驅(qū)動(dòng)好么，因?yàn)槲乙郧皼](méi)做個(gè)驅(qū)動(dòng)，初學(xué)不太了解請(qǐng)指教，另外我前面是想用UC3724和UC3725做驅(qū)動(dòng)，你看哪種好呢。

暈，談?wù)摰募壬羁逃帜：?，有些芯片本身質(zhì)量不合格，用在電路里面確實(shí)故障不斷，根據(jù)大多數(shù)規(guī)律而言，一個(gè)芯片的好壞與周圍電路關(guān)系實(shí)在是太密切了。尤其對(duì)于低壓場(chǎng)效應(yīng)管來(lái)說(shuō)，反壓是致命的，即使是一個(gè)耐壓500V的IRF840場(chǎng)效應(yīng)管，只要g-s之間反壓超過(guò)20V 很容易擊穿報(bào)廢。

另外外部感應(yīng)過(guò)來(lái)的稍微高電壓，也可以使芯片內(nèi)部的場(chǎng)小效應(yīng)管擊穿。

大蝦你好，我是mos管驅(qū)動(dòng)的菜鳥，剛剛開始玩這個(gè)，現(xiàn)在碰到的問(wèn)題是驅(qū)動(dòng)管IR2118只有VS端和COM端連接在一起時(shí)HO才有輸出，否則HO和VS間無(wú)電壓，請(qǐng)問(wèn)是什么原因，手冊(cè)上VS和COM不需要連接呀，望請(qǐng)指點(diǎn)，謝謝