里面的晶圓不是越大約好,最新的材料和工藝可以在很小的晶圓面積做出大電流低導(dǎo)通內(nèi)阻的MOS.
記得以前砸的管子,內(nèi)部的芯片基本上跟散熱的銅的面積那么大了
是啊,我做這行的最清楚了假的東西最多了 ,最好是建立自己有保證的供應(yīng)商。
有心人啊
看看這個拆機的
芯片面積6.5X8mm
其實硅晶比以前的小也不一定是假的....大家的工藝都在變化,用更小硅晶制造同樣的元件,這也是進步.
龍王兄十個月前還記得俺
難怪這小管都這么牛120N06
參數(shù)一樣,管芯小的,安全工作區(qū)就會小.
這樣理解不對吧
能否用數(shù)字萬用表二極管檔,判斷管子功率大小
我用數(shù)字表二極管檔量壓降,很好。
我覺得電容法測試不如二極管檔量來得細微