在大功率應(yīng)用場(chǎng)景，光伏中IGBT使用，其中雙脈沖測(cè)試基本是標(biāo)配測(cè)試項(xiàng)；

想了解下為什么MOS使用場(chǎng)景不需要考慮雙脈沖測(cè)試，IGBT要使用這個(gè)這個(gè)做考評(píng)，原因是啥？

沒理解這個(gè)差異？MOS使用通過白盒電流，電壓應(yīng)力按照實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景測(cè)試就行了，沒有這么復(fù)雜啊，有經(jīng)驗(yàn)的幫忙指點(diǎn)下；