小創(chuàng)意
在使用3842等PWM芯片做開關(guān)電源的時候,常常要設(shè)計過流保護(hù)電路,按照標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計是通過在mosfet回路上串連一個采樣電阻,現(xiàn)在我們可以把這個電阻扔掉,我們可以利用mos的RSon做采樣電阻,^_^一定很經(jīng)典的!大家可以嘗試一下哦!
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@well
怎么做,發(fā)個圖出來看看
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1108864423.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 0
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@asm
問題很多:1、MOS管資料一般給出的是最大導(dǎo)通電阻Ron.2、主管關(guān)斷期間幾百伏的高壓與導(dǎo)通時的幾百mV電壓如何處理.這種處理電路不會比用1只電流檢測電阻簡單吧.3、對正激電容諧振復(fù)位電路很難實現(xiàn)實際電流檢測.4、我沒用過TOP開關(guān),TOP芯片內(nèi)部電流檢測,也許單獨用了電阻,只不過集成在內(nèi)部.
我認(rèn)為在最大導(dǎo)通Ron時,就可以了,另外,你可以選用計算出檢流電阻稍大一點Ron的mos管對嗎 IR的mos管Ron一般都比較大,很適合用來做檢測電阻的
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@rainsun
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1108864423.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
這樣應(yīng)用成本太高了.比用電流互感器還要高.
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早就有這樣做的了,但是Rds(on)隨溫度的變化太大了,所以不同溫度下的差異太大,需要溫度補償.而且必須檢測mosfet的溫度,外部做溫度補償不是很好做,不光mosfet可以,連buck電路的電感也可以做電流檢測的,但也存在同樣電阻隨溫度變化的問題.上傳一個關(guān)于這方面的資料,希望對你有用.
1108968825.pdf
1108968825.pdf
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@電源柯南
早就有這樣做的了,但是Rds(on)隨溫度的變化太大了,所以不同溫度下的差異太大,需要溫度補償.而且必須檢測mosfet的溫度,外部做溫度補償不是很好做,不光mosfet可以,連buck電路的電感也可以做電流檢測的,但也存在同樣電阻隨溫度變化的問題.上傳一個關(guān)于這方面的資料,希望對你有用.1108968825.pdf
用在低壓DC/DC就容易做.
用在高壓(AC220V--DC310V)呢?3842做的單端反激電路有700V尖峰電壓.
TOP系列集成內(nèi)部好搞,在集成里面做個零件容易,加一百個都不會增加多少硅片面積.
分立元件恐怕難搞多了.
用在高壓(AC220V--DC310V)呢?3842做的單端反激電路有700V尖峰電壓.
TOP系列集成內(nèi)部好搞,在集成里面做個零件容易,加一百個都不會增加多少硅片面積.
分立元件恐怕難搞多了.
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@rainsun
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1108864423.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
Q1關(guān)斷時采樣點電壓可有幾百伏喲.
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@hjjwb-power
用在低壓DC/DC就容易做.用在高壓(AC220V--DC310V)呢?3842做的單端反激電路有700V尖峰電壓.TOP系列集成內(nèi)部好搞,在集成里面做個零件容易,加一百個都不會增加多少硅片面積.分立元件恐怕難搞多了.
高壓確實不好做,為什么TOP好做呢?難道芯片內(nèi)部不需要高壓的檢測嗎?高壓檢測成本不低.芯片內(nèi)部應(yīng)該也有絕緣距離的要求的,不知道它也是內(nèi)部有電阻呢還是直接從mosfet上檢測呢,從它的示意圖是從mosfet上取的,但很多的示意圖都是和實際有出入的,不知道它是不是真的從mosfet上取電流檢測信號的.
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能否這樣考慮呢.......在MOSFET上串個電阻再接個小開關(guān)進(jìn)行取樣.......此開關(guān)和主開關(guān)管驅(qū)動信號相同,那樣我們就可以得到一個比較真實的電壓信號.但此信號不連續(xù).
示意圖如下.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109068570.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
示意圖如下.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109068570.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 0
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@beyonddj
能否這樣考慮呢.......在MOSFET上串個電阻再接個小開關(guān)進(jìn)行取樣.......此開關(guān)和主開關(guān)管驅(qū)動信號相同,那樣我們就可以得到一個比較真實的電壓信號.但此信號不連續(xù).示意圖如下.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109068570.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
Q2要很高耐壓
1 Q2無法關(guān)斷
2 Q2無法采樣---Q1飽和導(dǎo)通壓降Vds才xxxmV
1 Q2無法關(guān)斷
2 Q2無法采樣---Q1飽和導(dǎo)通壓降Vds才xxxmV
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@電源柯南
高壓確實不好做,為什么TOP好做呢?難道芯片內(nèi)部不需要高壓的檢測嗎?高壓檢測成本不低.芯片內(nèi)部應(yīng)該也有絕緣距離的要求的,不知道它也是內(nèi)部有電阻呢還是直接從mosfet上檢測呢,從它的示意圖是從mosfet上取的,但很多的示意圖都是和實際有出入的,不知道它是不是真的從mosfet上取電流檢測信號的.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109071109.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
看IR的MOS驅(qū)動器(IR2125)的應(yīng)用電路中,有一種特殊的MOS管----多了一個S極---猜想能1/n 比例于主MOS的電流
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@hjjwb-power
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109071109.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">看IR的MOS驅(qū)動器(IR2125)的應(yīng)用電路中,有一種特殊的MOS管----多了一個S極---猜想能1/n比例于主MOS的電流
好多內(nèi)置mos的芯片都是這種表示法.
下面是仙童的.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109072675.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
下面是仙童的.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109072675.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);"> 0
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@beyonddj
好多內(nèi)置mos的芯片都是這種表示法.下面是仙童的.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109072675.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
IR2125只是推動電路而已,這是外置的MOSFET管.
很少見,就算能買到,估計選擇范圍也不寬.
很少見,就算能買到,估計選擇范圍也不寬.
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