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IGBT開通時的電流尖峰

各位高手,請教一下
我們的變頻電源采用全橋模式,采用IGBT(型號:1MBH60D-100),載波頻率為10KHz,
我們加入負(fù)載的時候,在一個開關(guān)管加入一個小電阻作檢測開關(guān)管電流用,檢測到開關(guān)管的電流波形在開關(guān)管開通時有很高的電流過沖尖峰,死區(qū)時間從4us到8us都沒有改善,開關(guān)管兩端的電壓波形倒是沒什么尖峰.
希望各位指點(diǎn)一下.
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abing
LV.8
2
2007-03-31 21:37
改變門極電阻可以改變這種情況.
不過你要確定你所測到的是不效波形而不是干擾波形.
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zli
LV.7
3
2007-04-01 10:29
尖峰通常是續(xù)流二極管反向恢復(fù)電流造成的,較好的辦法是適當(dāng)降低IGBT開通時間,但相應(yīng)會增加開通功耗.只有折中考慮.
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abing
LV.8
4
2007-04-01 10:50
@zli
尖峰通常是續(xù)流二極管反向恢復(fù)電流造成的,較好的辦法是適當(dāng)降低IGBT開通時間,但相應(yīng)會增加開通功耗.只有折中考慮.
不錯,但不知樓主的負(fù)載是不是感性負(fù)載,如果不是感性負(fù)載或是在空載時那么就不受體內(nèi)二極管的影響,
在變頻器中IGBT休內(nèi)二極管導(dǎo)致模塊功耗加大與尖峰電流,對于這方面的改善不知大蝦有何高見,謝謝!!!
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zli
LV.7
5
2007-04-01 11:14
@abing
不錯,但不知樓主的負(fù)載是不是感性負(fù)載,如果不是感性負(fù)載或是在空載時那么就不受體內(nèi)二極管的影響,在變頻器中IGBT休內(nèi)二極管導(dǎo)致模塊功耗加大與尖峰電流,對于這方面的改善不知大蝦有何高見,謝謝!!!
對于你所提的問題,正如你上面所說,適當(dāng)增加門極電阻,降低開通速度,是目前常用的辦法,有些文獻(xiàn)資料中說,用active gate drive技術(shù)可以有效減小高di/dt產(chǎn)生的EMI問題.但我想最根本的辦法還是要在功率集成電路的制造技術(shù)上
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ludascut
LV.2
6
2007-04-03 20:57
我們?nèi)珮蚴遣捎肊XB841的驅(qū)動模塊,門級電阻為15歐,試著減小門級電阻到5歐或是增大到25歐,50歐,開關(guān)管的電流過充都沒有改善.橋壁上串入小的電感可以改善電流過充,但是IGBT集射級的電壓又畸變了.緩充電路采用的是直接在直流母線端并0.47u的無感電容.是不是IGBT型號的問題,要換別的牌子的IGBT.不知道為什么圖片貼不上來,謝謝大家了!
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zli
LV.7
7
2007-04-05 19:45
@ludascut
我們?nèi)珮蚴遣捎肊XB841的驅(qū)動模塊,門級電阻為15歐,試著減小門級電阻到5歐或是增大到25歐,50歐,開關(guān)管的電流過充都沒有改善.橋壁上串入小的電感可以改善電流過充,但是IGBT集射級的電壓又畸變了.緩充電路采用的是直接在直流母線端并0.47u的無感電容.是不是IGBT型號的問題,要換別的牌子的IGBT.不知道為什么圖片貼不上來,謝謝大家了!
應(yīng)該是續(xù)流二極管的反向恢復(fù)造成的,你用的什么二極管,還是用IGBT模塊內(nèi)部集成的二極管?
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ludascut
LV.2
8
2007-04-06 10:08
@zli
應(yīng)該是續(xù)流二極管的反向恢復(fù)造成的,你用的什么二極管,還是用IGBT模塊內(nèi)部集成的二極管?
IGBT內(nèi)部集成了反向二極管
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ludascut
LV.2
9
2007-04-06 10:20
這個是開關(guān)管電流,開通時電流尖峰很大.500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175825954.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
上面是占空比大時,下面這張是占空比小的時候的波形
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175826019.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
下面這張是IGBT電壓波形500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175826053.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
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莫等閑
LV.5
10
2007-04-06 14:36
@zli
應(yīng)該是續(xù)流二極管的反向恢復(fù)造成的,你用的什么二極管,還是用IGBT模塊內(nèi)部集成的二極管?
不對哦,二極管的反向恢復(fù)電流應(yīng)該在給其加反向電壓是產(chǎn)生,也就是說在這里應(yīng)該是在關(guān)斷時產(chǎn)生,而非是在開啟時產(chǎn)生啊.
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dading1009
LV.2
11
2007-04-07 10:25
頂!期待高手幫助分析一下!
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莫等閑
LV.5
12
2007-04-07 12:52
@dading1009
頂!期待高手幫助分析一下!
請問你帶的是什么負(fù)載測的,純阻性?亦或感性?
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ludascut
LV.2
13
2007-04-07 22:11
@莫等閑
請問你帶的是什么負(fù)載測的,純阻性?亦或感性?
經(jīng)過濾波電感后帶了一個電爐,應(yīng)該是純阻吧
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gxfclw
LV.3
14
2007-04-28 10:12
你用FAIRCHILD的IGBT   FGL60N100BNTD就沒這種問題!
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cherubwu
LV.2
15
2007-04-28 17:05
你做的死區(qū)時間很長啊
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siyin1980
LV.4
16
2007-05-23 16:30
@ludascut
經(jīng)過濾波電感后帶了一個電爐,應(yīng)該是純阻吧
感覺你的波形都不是很好,電壓波形也不對.雖然關(guān)斷電壓尖峰很小,但為什么導(dǎo)通時,電壓會有一個震蕩?
你的檢測電阻是放在哪里的?如何檢測的?

現(xiàn)在有工作到滿載么?有沒有發(fā)生炸管的問題
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junzlok
LV.2
17
2007-05-24 10:05
@cherubwu
你做的死區(qū)時間很長啊
我是專業(yè)生產(chǎn)各種鋁電解電容器的,很高興在這里認(rèn)識各位,希望能個大家交個朋友,有需要的請跟我聯(lián)系,竭誠為你服務(wù)!
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gydz992
LV.2
18
2007-06-02 12:05
@ludascut
這個是開關(guān)管電流,開通時電流尖峰很大.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175825954.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">上面是占空比大時,下面這張是占空比小的時候的波形[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175826019.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">下面這張是IGBT電壓波形[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175826053.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
從圖上看,前沿電流尖峰應(yīng)與電容有關(guān)或上下管中有一管略有延時,此情況常有,如發(fā)熱不大,可忽略.其原因可能與管子質(zhì)量有關(guān).
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liufeng1000
LV.1
19
2007-08-11 15:39
改變你的輸出電路中LCR的參數(shù)
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wangfl518
LV.4
20
2007-08-12 23:10
ce外接電容,極間電容,c極尖峰吸收
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2007-11-30 17:30
@dading1009
頂!期待高手幫助分析一下!
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2007-12-06 17:16
@zli
對于你所提的問題,正如你上面所說,適當(dāng)增加門極電阻,降低開通速度,是目前常用的辦法,有些文獻(xiàn)資料中說,用activegatedrive技術(shù)可以有效減小高di/dt產(chǎn)生的EMI問題.但我想最根本的辦法還是要在功率集成電路的制造技術(shù)上
贊同你的觀點(diǎn)!頂!
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2007-12-06 17:22
@ludascut
這個是開關(guān)管電流,開通時電流尖峰很大.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175825954.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">上面是占空比大時,下面這張是占空比小的時候的波形[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175826019.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">下面這張是IGBT電壓波形[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/52/1175826053.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
IGBT 自身不好,很難解決,建議更換別的IGBT試試.串入電感的做法雖可緩解電流尖峰,但又會形成大的集電極電壓,當(dāng)然如果實(shí)驗(yàn)得當(dāng)取值合理也可解決了這個問題,但比較難!
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