最近要做低電壓，大電流的DC-DC（同步整流），輸入要20V,40A。所以找了一下額定是80A的MOS。
找下來(lái)發(fā)現(xiàn)即滿(mǎn)足要求又Qg小的管子都是TO220封裝的，大點(diǎn)封裝的（比如TO247）的Qg都好大，接近100nC。
感覺(jué)TO220的腿太細(xì)，上40A的電流感覺(jué)有點(diǎn)虛，但是管子說(shuō)明書(shū)上卻說(shuō)能過(guò)80A的電流。
想請(qǐng)教各位大神在實(shí)踐中有用過(guò)TO220封裝的管子走40A的電流嗎？加大的散熱器嗎？
另外為什么TO247的管子Qg都好大，跪求各位大神指點(diǎn)。
PS：找到一個(gè)稍微大點(diǎn)的，TO251封裝的（STU95NN3LLH6），但是感覺(jué)還是比TO247小。
過(guò)電流的能力主要瓶頸不在管腳粗細(xì)，而主要在芯片打線的條數(shù)和工藝
推薦個(gè)我們公司的SD4836，PDFN或TO252
1.TO252是立式的嗎？我看這個(gè)datasheet里面顯示的是貼片式的。
2.252封裝可以嗎？還沒(méi)TO220的封裝大，感覺(jué)還不如直接上TO220的封裝，這樣感覺(jué)散熱好一點(diǎn)。我今天TO247封裝的管子，上30A的電流，就將近100℃了，有點(diǎn)怕。（散熱片是那種簡(jiǎn)單的單個(gè)管子那種）
3. DFN封裝是貼片式的？很8個(gè)腳的那種，感覺(jué)像芯片的那種嗎？
4. 求大神推薦個(gè)30V80A，TO247封裝的芯片哈
1、我的原句：251相當(dāng)于立式的252。沒(méi)說(shuō)252是立式。
2、我不知你現(xiàn)在用的TO247的管子的具體型號(hào)，但按一般市場(chǎng)的估計(jì)，30V耐壓封247的管子，應(yīng)該是追求低Rdson而忽略Qg的低頻應(yīng)用管，實(shí)測(cè)溫升高，有可能是開(kāi)關(guān)損耗大了。不能排除你用稍高Rdson低Qg的MOS沒(méi)這么大溫升的可能性。
3、我貼的datasheet就是PDFN封裝的，里面有尺寸。
4、上面說(shuō)了，30V這個(gè)電流檔的管子很少封247（因?yàn)椴恍枰Ｗ屛彝扑]，若你的用量足夠大，我?guī)湍阌肧D4836的芯片封成TO247。
3. 4. 我這個(gè)不是批量生產(chǎn)的，所以用不了哈~今天又試了一個(gè)TO220的管子（IPP065N04N）,加上散熱片（100X30X15），結(jié)果沒(méi)開(kāi)一會(huì)管子直接掛了（估計(jì)最大電流在18A左右）。看了TO220的管子不太行，準(zhǔn)備買(mǎi)TO247的管子了（雖然溫升高，起碼沒(méi)壞），挑一個(gè)Rds低的。
補(bǔ)充一下： 14樓所說(shuō)的這些，都是在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下而言。
如果是放大狀態(tài)，如做電子負(fù)載多個(gè)管子并聯(lián)使用時(shí)，即使你的散熱片的條件是足夠的，
但通過(guò)MOS的電流要大打折扣。
如IRF3205 是55V 8mohm 69A@100度的管子，例如用在100A/12V大流電電子負(fù)載時(shí)（一般電池設(shè)備上用），這個(gè)電流須用多個(gè)管子并聯(lián)后加散熱片使用，一般考慮到管子的均流問(wèn)題，每個(gè)MOS管的設(shè)計(jì)是5A，也是就要20個(gè)MOS來(lái)完成。。。
內(nèi)阻太大了吧..你選個(gè)IPP015N04NG試下 1.5mR
貼片的再看下BSC018N04LSG 內(nèi)阻 1.8mR
Gate charge total Qg VDD=20 V, ID=30 A,VGS=0 to 4.5 V 54 72 nC
只看到你說(shuō)同步整流，不知你在選ControlFET，還是SyncFET
不知你是升壓，還是降壓
不知你用的驅(qū)動(dòng)形式
我們能做的，也只是在瞎猜一下
