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3843芯片用在buck電路上，最大功率能做到1300W嗎？

RT：有沒有好的芯片推薦一下，謝謝了！
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2014-04-16 11:24
外接圖騰，心有多高功率就有多大
1
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yhtfeel
LV.7
3
2014-04-16 11:31
@qinzutaim
外接圖騰，心有多高功率就有多大[圖片]

用的是光耦隔離，然后用驅(qū)動(dòng)芯片73711驅(qū)動(dòng)，MOS管很熱（120℃以上）！

您看，這樣能做嗎？MOS管就用了一個(gè)，很大的散熱片，但是散熱片本身不熱，MOS管發(fā)熱太快，散不去

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2014-04-16 11:33
@yhtfeel
用的是光耦隔離，然后用驅(qū)動(dòng)芯片73711驅(qū)動(dòng)，MOS管很熱（120℃以上）！您看，這樣能做嗎？MOS管就用了一個(gè)，很大的散熱片，但是散熱片本身不熱，MOS管發(fā)熱太快，散不去
給出具體條件和電路，大家才能分析原因啊。。。
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yhtfeel
LV.7
5
2014-04-16 11:45
@qinzutaim
給出具體條件和電路，大家才能分析原因啊。。。

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yhtfeel
LV.7
6
2014-04-16 11:46
@yhtfeel
[圖片]
能上網(wǎng)的電腦上傳不了電路圖，我畫了一個(gè)示意圖，大概就是這個(gè)樣子
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2014-04-16 12:00
@yhtfeel
能上網(wǎng)的電腦上傳不了電路圖，我畫了一個(gè)示意圖，大概就是這個(gè)樣子

測(cè)試GS和DS波形，放上來看看。

MOS的導(dǎo)通電阻有多大？

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yhtfeel
LV.7
8
2014-04-16 14:53
@qinzutaim
測(cè)試GS和DS波形，放上來看看。MOS的導(dǎo)通電阻有多大？

Rds=0.7mΩ

您的意思是驅(qū)動(dòng)能力不夠?qū)е陆辉綋p耗太大嗎？可是這種驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)能力是固定的，怎么加強(qiáng)呢？

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2014-04-16 19:43
@yhtfeel
Rds=0.7mΩ您的意思是驅(qū)動(dòng)能力不夠?qū)е陆辉綋p耗太大嗎？可是這種驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)能力是固定的，怎么加強(qiáng)呢？

如果MOS足夠好，那就是驅(qū)動(dòng)的問題。

這個(gè)只有通過波形測(cè)試才好分析。

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ta7698
LV.9
10
2014-04-16 21:05
可能是MOS的Rdson方面的功耗大。
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zh88ha
LV.5
11
2014-04-17 08:34
@yhtfeel
[圖片]
哥們你還真敢玩。這么小的占空比，這么大的輸出電流。個(gè)人覺得這樣很難做的理想。
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yhtfeel
LV.7
12
2014-04-17 09:03
@ta7698
可能是MOS的Rdson方面的功耗大。
那您的意思只能是換MOS了？
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yhtfeel
LV.7
13
2014-04-17 09:05
@qinzutaim
如果MOS足夠好，那就是驅(qū)動(dòng)的問題。這個(gè)只有通過波形測(cè)試才好分析。
請(qǐng)問：如果輸出電感設(shè)計(jì)不合理，比如在高負(fù)載的時(shí)候接近飽和了，會(huì)不會(huì)導(dǎo)致MOS管很熱？
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2014-04-17 09:10
@yhtfeel
請(qǐng)問：如果輸出電感設(shè)計(jì)不合理，比如在高負(fù)載的時(shí)候接近飽和了，會(huì)不會(huì)導(dǎo)致MOS管很熱？
討論的前提當(dāng)然是電感不飽和啊，波形還沒上呢，那MOS什么型號(hào)的？
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yhtfeel
LV.7
15
2014-04-17 09:39
@qinzutaim
討論的前提當(dāng)然是電感不飽和啊，波形還沒上呢，那MOS什么型號(hào)的？

mos是IRRFP4668

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2014-04-17 10:51
@yhtfeel
Rds=0.7mΩ您的意思是驅(qū)動(dòng)能力不夠?qū)е陆辉綋p耗太大嗎？可是這種驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)能力是固定的，怎么加強(qiáng)呢？
續(xù)流二極管壓力山大，你只有20%占空比，續(xù)流二極管要承擔(dān)80%的時(shí)間，然后二極管發(fā)熱，mos也發(fā)熱，建議你還是做成同步降壓拓?fù)浒伞?/div>
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glzhao
LV.6
17
2014-04-17 11:24
@qinzutaim
外接圖騰，心有多高功率就有多大[圖片]

同意，心有多高，就可以有多大

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2014-04-18 16:49
@qinzutaim
外接圖騰，心有多高功率就有多大[圖片]

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2016-02-21 22:24
@yhtfeel
那您的意思只能是換MOS了？
3843可以做1200W我就知道。1300就不知道了。
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zyfdyw
LV.1
20
2018-05-29 11:24
@強(qiáng)輝兄1
3843可以做1200W我就知道。1300就不知道了。
我也想用這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)個(gè)輸入DC350V,輸出200V，20A的 DC/DC 降壓電路，請(qǐng)問這種結(jié)構(gòu)合適嗎？
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XRoad
LV.3
21
2018-07-30 11:15
@yhtfeel
[圖片]
MOS管在前端的，一般都浮地。你把芯片做成實(shí)地，然后用光耦隔離，不知道你是幾個(gè)意思，既然你已經(jīng)芯片實(shí)地了，干嘛不把MOS管放在后端。
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2018-07-30 12:58
@yhtfeel
Rds=0.7mΩ您的意思是驅(qū)動(dòng)能力不夠?qū)е陆辉綋p耗太大嗎？可是這種驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)能力是固定的，怎么加強(qiáng)呢？

IRFP4668的Rds=8mΩ，不是0.7mΩ。而且在管芯溫度120℃時(shí)，Rds=17.6mΩ。

如此算來，MOS管的導(dǎo)通損耗約13W

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2018-07-30 13:09
@世界真奇妙
IRFP4668的Rds=8mΩ，不是0.7mΩ。而且在管芯溫度120℃時(shí)，Rds=17.6mΩ。如此算來，MOS管的導(dǎo)通損耗約13W

再加上開關(guān)損耗，MOS管的總損耗一定大于15W，一個(gè)247封裝的管子，大于15W的發(fā)熱，如果散熱器與管子之間墊有絕緣物，絕緣片的導(dǎo)熱不良好的話，管子與散熱器的溫差就會(huì)很大。

普通絕緣軟墊片的導(dǎo)熱是很不好的，此處必須用陶瓷片做絕緣墊片。

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2018-07-30 13:19
@世界真奇妙
再加上開關(guān)損耗，MOS管的總損耗一定大于15W，一個(gè)247封裝的管子，大于15W的發(fā)熱，如果散熱器與管子之間墊有絕緣物，絕緣片的導(dǎo)熱不良好的話，管子與散熱器的溫差就會(huì)很大。普通絕緣軟墊片的導(dǎo)熱是很不好的，此處必須用陶瓷片做絕緣墊片。
再用示波器看看，IRFP4668的漏極和源極之間有沒有大于200V的瞬時(shí)過壓，60A的電流，在高速開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰一般會(huì)大于100V，再加上供電的100V，可以想象會(huì)發(fā)生什么。
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2018-07-30 13:25
@世界真奇妙
再用示波器看看，IRFP4668的漏極和源極之間有沒有大于200V的瞬時(shí)過壓，60A的電流，在高速開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰一般會(huì)大于100V，再加上供電的100V，可以想象會(huì)發(fā)生什么。
還有，續(xù)流二極管應(yīng)該用肖特基，如果用超快二極管，也會(huì)對(duì)MOS管的發(fā)熱產(chǎn)生不良影響。
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2018-07-30 16:56
做多大功率，與芯片的型號(hào)沒有直接的關(guān)系，不用說1300W沒有問題，13000W也絕對(duì)沒有問題。
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2018-11-12 13:19
@世界真奇妙
做多大功率，與芯片的型號(hào)沒有直接的關(guān)系，不用說1300W沒有問題，13000W也絕對(duì)沒有問題。

輸入72V輸出12v50A怎么樣呢

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