電源適配器(Power adapter)是小型便攜式電子設(shè)備及電子電器的供電電源變換設(shè)備，按其輸出類型可分為交流輸出型和直流輸出型;按連接方式可分為插墻式和桌面式。廣泛配套于電話子母機、游戲機、語言復(fù)讀機、隨身聽、筆記本電腦、蜂窩電話等設(shè)備中。
改造墻式電源之準諧振QR能帶來什么好處詳談
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@kissxiaolang
我有點強迫癥，愿意幫師長整理一下這18個帖子，合成為一個[圖片]
現(xiàn)在QR越來越多的用在反激電源中，儼然已經(jīng)成了大趨勢。QR的好處大家都知道，能提升效率同時減小EMI。這是書上說的。實際用過的人感覺并不一樣。有人說效率根本沒什么提升，甚至還不如CCM。也有人講能提高效率 5%。QR到底能提高多少效率呢？不知道有沒有人做實驗比較過，好像在壇子里還沒有發(fā)現(xiàn)。類似的問題之前有人提出，但是沒有什么反應(yīng)。相信現(xiàn)在很多人都接觸過了QR的設(shè)計方案，如今再把這個問題提出來，不知道大家有沒有興趣討論一下 ~
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@kissxiaolang
現(xiàn)在QR越來越多的用在反激電源中，儼然已經(jīng)成了大趨勢。QR的好處大家都知道，能提升效率同時減小EMI。這是書上說的。實際用過的人感覺并不一樣。有人說效率根本沒什么提升，甚至還不如CCM。也有人講能提高效率5%。QR到底能提高多少效率呢？不知道有沒有人做實驗比較過，好像在壇子里還沒有發(fā)現(xiàn)。類似的問題之前有人提出，但是沒有什么反應(yīng)。相信現(xiàn)在很多人都接觸過了QR的設(shè)計方案，如今再把這個問題提出來，不知道大家有沒有興趣討論一下~
先找個圖看看 ~ 有人講 QR（準諧振技術(shù)），可以實現(xiàn)開關(guān)管的零電壓開通，從而提高了效率、減少了EMI噪聲。實際上MOS管在開通時 Vds似乎并不是0。只不過電壓處于相對的低位，也就是所謂的低谷。 當(dāng)然，相對來說效率還是有所提高，EMI也會相應(yīng)的有所減少
另外，這個谷底越低，就越接近于零電壓。于是就有了要盡量提高反射電壓Vor的說法 ~
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@kissxiaolang
先找個圖看看~ 有人講QR（準諧振技術(shù)），可以實現(xiàn)開關(guān)管的零電壓開通，從而提高了效率、減少了EMI噪聲。實際上MOS管在開通時Vds似乎并不是0。只不過電壓處于相對的低位，也就是所謂的低谷。當(dāng)然，相對來說效率還是有所提高，EMI也會相應(yīng)的有所減少[圖片] 另外，這個谷底越低，就越接近于零電壓。于是就有了要盡量提高反射電壓Vor的說法~
換一張圖看的清楚些 ~
由上圖看出，這個QR諧振是以Vin為中軸，以Vor為初始振幅，不斷衰減的振蕩。這個振蕩的能量來自MOS管兩端的電容Cp，或者叫Ctot。這個Ctot包括MOS管的輸出電容Coss、變壓器的寄生電容、線路的分布電容以及次級反射到初級的電容，一句話 - 就是Vds兩端看到的所有電容的總和。開始看到 Ctot 的時候有些不解，tot什么意思呢？ 后來想明白了，應(yīng)該是 total 的縮寫 ~
CCM模式下，由于初級電感上的能量沒有全部傳遞到次級。MOS管開通的時候，次級的二極管上面還有電流。Vor一直存在，所以MOS管的Vds上沒能出現(xiàn)振蕩。MOS管開通過程中，Ctot上的電壓由Vin+Vor變成 0。電容上的能量全部消耗在 MOS管上發(fā)熱了，這也就是MOS管的開通損耗 turn-on loss（這里不討論MOS管的 crossover loss）。其大小為
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@kissxiaolang
換一張圖看的清楚些~ 由上圖看出，這個QR諧振是以Vin為中軸，以Vor為初始振幅，不斷衰減的振蕩。這個振蕩的能量來自MOS管兩端的電容Cp，或者叫Ctot。這個Ctot包括MOS管的輸出電容Coss、變壓器的寄生電容、線路的分布電容以及次級反射到初級的電容，一句話-就是Vds兩端看到的所有電容的總和。開始看到Ctot 的時候有些不解，tot什么意思呢？后來想明白了，應(yīng)該是total的縮寫~[圖片] CCM模式下，由于初級電感上的能量沒有全部傳遞到次級。MOS管開通的時候，次級的二極管上面還有電流。Vor一直存在，所以MOS管的Vds上沒能出現(xiàn)振蕩。MOS管開通過程中，Ctot上的電壓由Vin+Vor變成0。電容上的能量全部消耗在MOS管上發(fā)熱了，這也就是MOS管的開通損耗turn-onloss（這里不討論MOS管的crossoverloss）。其大小為 [圖片]
參與振蕩的電感是初級電感 Lp。 如果不受干擾的話，這個諧振會一路衰減下去直到消失。
Ctot上面的能量由原來的
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@kissxiaolang
QR模式下電源實際上工作在DCM模式，MOS管選擇在Vds電壓的低谷時開通。這樣 Ctot上的能量損耗（也就是MOS管的turn-onloss）要小一些~所以，QR的實質(zhì)是減小MOS管的開通損耗。[圖片] 當(dāng)時找來這個圖是為了說明CCM與QR模式Vds電壓的波形。沒有留意電流的樣子，看來似乎是有些錯誤。謝謝你指出來~
那么MOS管上的這個開通損耗有多大呢？我們來看一下PI 的AN，由功率損耗的估算表中可以看出，一個輸出34W、效率 87%的普通反激電源，其MOS管的開通損耗是0.43W，也就是總功率的 1%多一點。QR模式下，即使這個開通損耗減小到 0，效率的提升，充其量也就如此。
到這里我們似乎得出了結(jié)論 -- QR作用于反激電源，其效率的提高不太可能有 5%那么多，（PI的例子中）最多也不會超過1.5%。實際上由于谷底的電壓并非0，這個效率的提升還要再打折扣 ~
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@kissxiaolang
那么MOS管上的這個開通損耗有多大呢？我們來看一下PI的AN，由功率損耗的估算表中可以看出，一個輸出34W、效率87%的普通反激電源，其MOS管的開通損耗是0.43W，也就是總功率的1%多一點。QR模式下，即使這個開通損耗減小到0，效率的提升，充其量也就如此。到這里我們似乎得出了結(jié)論--QR作用于反激電源，其效率的提高不太可能有5%那么多，（PI的例子中）最多也不會超過1.5%。實際上由于谷底的電壓并非0，這個效率的提升還要再打折扣~[圖片]
QR的工作模式就像一個頻率變化的DCM, 所以實際上應(yīng)該和 DCM模式相比較才合理 ~
記得 Z版之前在一個帖子里介紹了ON Semi 的最新準諧振 IC NCP1380， 還附有振蕩的波形 。 從波形中可以看出 -- 相比于之前的版本NCP1337， 1380增加了個 Frequency foldback 或者叫 VCO mode。在輕載的時候降低頻率，以減少MOS管的開通損耗。該模式 ON Bright 的QR IC OB2361在幾年前就有了
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@kissxiaolang
QR的工作模式就像一個頻率變化的DCM,所以實際上應(yīng)該和DCM模式相比較才合理~ 記得Z版之前在一個帖子里介紹了ONSemi的最新準諧振IC NCP1380，還附有振蕩的波形。 從波形中可以看出-- 相比于之前的版本NCP1337，1380增加了個Frequencyfoldback或者叫VCOmode。在輕載的時候降低頻率，以減少MOS管的開通損耗。該模式ONBright的QRICOB2361在幾年前就有了
上面從PI的反激電源案例的MOS管損耗數(shù)據(jù)中，我們可以大致上了解 QR模式對于反激電源的效率提升有多大的影響，但并非準確的計算。下面用一個實際的電源案例來具體的算一下 ~
手上的這個QR反激電源用的IC是OB2361。嚴格地來說這顆IC只能說是帶有QR功能的PWM控制IC.因為IC并不是始終工作在QR模式，只有在高壓或是低壓輕載時才進入QR，低壓滿載時則工作在CCM模式。當(dāng)負載很輕時，頻率會降低到二、三十KHz，以減小開關(guān)損耗，也就是所謂的FB（Frequency foldback）。OB2361的這些特點很好的適應(yīng)了沒有PFC的小功率反激電源。最大限度的發(fā)揮了QR的優(yōu)點，同時彌補了低壓時QR效率低的不足。
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@kissxiaolang
上面從PI的反激電源案例的MOS管損耗數(shù)據(jù)中，我們可以大致上了解QR模式對于反激電源的效率提升有多大的影響，但并非準確的計算。下面用一個實際的電源案例來具體的算一下~ 手上的這個QR反激電源用的IC是OB2361。嚴格地來說這顆IC只能說是帶有QR功能的PWM控制IC.因為IC并不是始終工作在QR模式，只有在高壓或是低壓輕載時才進入QR，低壓滿載時則工作在CCM模式。當(dāng)負載很輕時，頻率會降低到二、三十KHz，以減小開關(guān)損耗，也就是所謂的FB（Frequencyfoldback）。OB2361的這些特點很好的適應(yīng)了沒有PFC的小功率反激電源。最大限度的發(fā)揮了QR的優(yōu)點，同時彌補了低壓時QR效率低的不足。
先帖上些波形圖 ~ 如果用看圖軟件（例如ACDsee）一張張翻看，會很有趣 ~
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=0.1A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=0.2A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=0.3A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=0.4A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=0.5A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=0.6A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=0.7A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=0.8A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=0.9A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=1.0A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=1.1A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=1.2A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=1.3A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=1.4A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=1.5A
Vin=200Vac ； Vout = 19V ； Iout=1.6A
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@kissxiaolang
先帖上些波形圖~ 如果用看圖軟件（例如ACDsee）一張張翻看，會很有趣~ Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.1A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.2A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.3A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.4A[圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.5A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.6A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.7A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.8A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.9A[圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.0A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.1A[圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.2A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.3A[圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.4A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.5A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.6A [圖片]
言歸正傳，分析一個實際的 QR反激案例?？纯聪啾扔诠潭l率的普通電源，QR的效率能提高多少 ~
輸入電壓：90 - 264Vac； 輸出低壓： 19V ； 輸出功率： 24W
輸入端的電解電容 Cin用47uF/400V。根據(jù)下面公式，可以算出最低 DC電壓 Vin(min) = 88V
Dmax取0.46； 則反射電壓
大家都知道，要想發(fā)揮QR的優(yōu)勢，Vor的取值越大越好。然而，沒有PFC 情況下的全電壓輸入電源，由于低壓比較低，Vor不可能太高。所以也用不著800V的MOS管。當(dāng)然，如果舍得給錢的話，加大輸入電容，則可以提高Vin。Vor也能相應(yīng)提高。假設(shè)用68uF/400V的電容，Vin (min) = 102V ; Dmax 取0.48 的話，Vor = 94V 會高一些
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@kissxiaolang
言歸正傳，分析一個實際的QR反激案例。看看相比于固定頻率的普通電源，QR的效率能提高多少~輸入電壓：90-264Vac； 輸出低壓： 19V；輸出功率：24W輸入端的電解電容Cin用47uF/400V。根據(jù)下面公式，可以算出最低DC電壓Vin(min)=88V[圖片]Dmax取0.46；則反射電壓[圖片] 大家都知道，要想發(fā)揮QR的優(yōu)勢，Vor的取值越大越好。然而，沒有PFC情況下的全電壓輸入電源，由于低壓比較低，Vor不可能太高。所以也用不著800V的MOS管。當(dāng)然，如果舍得給錢的話，加大輸入電容，則可以提高Vin。Vor也能相應(yīng)提高。假設(shè)用68uF/400V的電容，Vin(min)=102V; Dmax取0.48的話，Vor=94V 會高一些
由于諧振是以Vin為中軸，以Vor為初始振幅，不斷衰減的振蕩。
Vor越大，則谷底（valley) 的電壓Vds就越低。MOS管開通時刻，Ctot上的能量就越小，損耗也就越小 ~ Ctot上的能量大約為
輕載時的頻率會降低，這是OB2361 IC的特性，以此來減小輕載時的開關(guān)損耗 ~ 不算是跳頻吧
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@kissxiaolang
由于諧振是以Vin為中軸，以Vor為初始振幅，不斷衰減的振蕩。[圖片] Vor越大，則谷底（valley)的電壓Vds就越低。MOS管開通時刻，Ctot上的能量就越小，損耗也就越小~Ctot上的能量大約為[圖片] 輕載時的頻率會降低，這是OB2361IC的特性，以此來減小輕載時的開關(guān)損耗~不算是跳頻吧
指教談不上，大家一起討論 ~ 首先覺的你的問題提的非常好，我之前沒有想過這個問題。
1. 關(guān)于MOS管的關(guān)斷損耗（crossover loss），之前有網(wǎng)友 總結(jié)過。請參看 
MOS管的開關(guān)損耗-反激式分析
對于上面的公式，我有不同的看法 。 個人以為公式中的電壓應(yīng)該是電源電壓Vin，而不是Vds。
理由是 -- 反射電壓Vor的出現(xiàn)，是在初級電流Ip停止、次級的整流管導(dǎo)通后，變壓器上的能量在次級繞組中釋放時候才產(chǎn)生的。換句話說 --- 初次級繞組上的電流不能同時存在 ~
2.提高Vor，勢必要提高匝數(shù)比。但是，是以減小次級繞組來實現(xiàn)的。初級繞組的計算另有公式，相信你是很熟的 ~
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@kissxiaolang
指教談不上，大家一起討論~ 首先覺的你的問題提的非常好，我之前沒有想過這個問題。1.關(guān)于MOS管的關(guān)斷損耗（crossoverloss），之前有網(wǎng)友 cheng111[圖片] 總結(jié)過。請參看 [圖片]MOS管的開關(guān)損耗-反激式分析 [圖片] [圖片] 對于上面的公式，我有不同的看法。個人以為公式中的電壓應(yīng)該是電源電壓Vin，而不是Vds。[圖片] 理由是--反射電壓Vor的出現(xiàn)，是在初級電流Ip停止、次級的整流管導(dǎo)通后，變壓器上的能量在次級繞組中釋放時候才產(chǎn)生的。換句話說---初次級繞組上的電流不能同時存在~2.提高Vor，勢必要提高匝數(shù)比。但是，是以減小次級繞組來實現(xiàn)的。初級繞組的計算另有公式，相信你是很熟的~
1. 記得書上說 -- 初級電流截止后，變壓器線圈的極性反轉(zhuǎn)，次級的整流管才得以導(dǎo)通。如果初次級電流同時導(dǎo)通，那么極性到底是怎樣的呢？
對這個問題沒有仔細研究過，希望能有網(wǎng)友給些指導(dǎo) ~
2. 匝數(shù)比提高、Vor增大，MOS管耐壓的提高是必要的。所以看到的一些QR的介紹中，都講要用800V的MOS管以發(fā)揮QR的作用 ~
對于第一點，我認為是這樣的，次級線圈產(chǎn)生使次級整流管導(dǎo)通的正向感應(yīng)電動勢是在初級電流減少時就產(chǎn)生了，根據(jù)楞次定律可以作出判斷。
網(wǎng)上看到的，不知道是否準確 ~
在 PI 的AN里找到了答案
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@kissxiaolang
1.記得書上說--初級電流截止后，變壓器線圈的極性反轉(zhuǎn)，次級的整流管才得以導(dǎo)通。如果初次級電流同時導(dǎo)通，那么極性到底是怎樣的呢？ 對這個問題沒有仔細研究過，希望能有網(wǎng)友給些指導(dǎo)~ 2.匝數(shù)比提高、Vor增大，MOS管耐壓的提高是必要的。所以看到的一些QR的介紹中，都講要用800V的MOS管以發(fā)揮QR的作用~對于第一點，我認為是這樣的，次級線圈產(chǎn)生使次級整流管導(dǎo)通的正向感應(yīng)電動勢是在初級電流減少時就產(chǎn)生了，根據(jù)楞次定律可以作出判斷。網(wǎng)上看到的，不知道是否準確~[圖片] 在PI的AN里找到了答案 [圖片]
接下來要搞清楚Ctot到底是多少， 前面帖子里講了- 這個Ctot包括MOS管的輸出電容Coss、變壓器的寄生電容、線路的分布電容以及次級反射到初級的電容，也就是Vds兩端看到的所有電容的總和。其中輸出電容Coss可以在datasheet中查到，但是通常只給出了 25V時候的數(shù)值。與實際 MOS管開關(guān)時的300~400V，還是有不少出入。
網(wǎng)上看到 樊永隆先生的“確定準諧振反激式變換器主要設(shè)計參數(shù)的實用方法”一文中提到 “ 用25V的數(shù)值來計算，不會有什么影響 ” 的說法，個人以為不太靠譜。
下面是（本案例中使用的）MOS管 4N60的datasheet 中的Coss參數(shù)，及隨電壓的變化曲線 ~
由上圖可以看出Coss的數(shù)值，在電壓上升到25V以后繼續(xù)減小，到 300~400V時有可能少了一半。估計大概有50~60pF的樣子吧。查看了一些大電流的MOS管，其Coss隨電壓的變化趨勢都差不多是這樣 ~
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@kissxiaolang
接下來要搞清楚Ctot到底是多少，前面帖子里講了-這個Ctot包括MOS管的輸出電容Coss、變壓器的寄生電容、線路的分布電容以及次級反射到初級的電容，也就是Vds兩端看到的所有電容的總和。其中輸出電容Coss可以在datasheet中查到，但是通常只給出了25V時候的數(shù)值。與實際MOS管開關(guān)時的300~400V，還是有不少出入。網(wǎng)上看到樊永隆先生的“確定準諧振反激式變換器主要設(shè)計參數(shù)的實用方法”一文中提到 “ 用25V的數(shù)值來計算，不會有什么影響”的說法，個人以為不太靠譜。下面是（本案例中使用的）MOS管4N60的datasheet中的Coss參數(shù)，及隨電壓的變化曲線~[圖片] [圖片] 由上圖可以看出Coss的數(shù)值，在電壓上升到25V以后繼續(xù)減小，到300~400V時有可能少了一半。估計大概有50~60pF的樣子吧。查看了一些大電流的MOS管，其Coss隨電壓的變化趨勢都差不多是這樣~
如果假設(shè) Coss在 Ctot中占到超過一半或是80~90%的話，可以忽略其他的寄生電容、分布電容等等，用 Coss來當(dāng)做Ctot計算MOS管開通損耗。不過，這是紙上談兵的做法。
如果電源已經(jīng)做好，能夠觀察波形的話，便可以得到 QR諧振的頻率，進而準確的計算出Ctot的大小。 下面先來看看諧振的頻率~
DCM模式，次級電流截止后，參與初級電容 Ctot 振蕩的是初級電感 Lp。 而之前產(chǎn)生尖峰的是漏感 Lleak。（這個大家都很熟悉了）
這個諧振的頻率可以寫成
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@kissxiaolang
如果假設(shè)Coss在Ctot中占到超過一半或是80~90%的話，可以忽略其他的寄生電容、分布電容等等，用Coss來當(dāng)做Ctot計算MOS管開通損耗。不過，這是紙上談兵的做法。如果電源已經(jīng)做好，能夠觀察波形的話，便可以得到QR諧振的頻率，進而準確的計算出Ctot的大小。 下面先來看看諧振的頻率~[圖片] DCM模式，次級電流截止后，參與初級電容Ctot 振蕩的是初級電感Lp。而之前產(chǎn)生尖峰的是漏感Lleak。（這個大家都很熟悉了）[圖片] 這個諧振的頻率可以寫成[圖片]
前面我上了些MOS管的開關(guān)波形。由下面的波形圖可以測量出，諧振的周期大概是3.2us（我自己在顯示器上放大了用尺子量的，5us一格）。
已知初級電感 Lp=1.4mH，則根據(jù)頻率公式可以推算出電容Ctot
如果我上面的計算沒有錯誤的話，看來電容Ctot要比MOS管的Coss大不少啊 ~ 也可能是我的變壓器繞得太差勁了
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@kissxiaolang
前面我上了些MOS管的開關(guān)波形。由下面的波形圖可以測量出，諧振的周期大概是3.2us（我自己在顯示器上放大了用尺子量的，5us一格）。[圖片] 已知初級電感Lp=1.4mH，則根據(jù)頻率公式可以推算出電容Ctot[圖片] 如果我上面的計算沒有錯誤的話，看來電容Ctot要比MOS管的Coss大不少啊~ 也可能是我的變壓器繞得太差勁了
OB2361在低壓滿載的時候，頻率固定在 50KHz, 工作于CCM模式。高壓的時候工作在QR模式，頻率會相應(yīng)地升高，最高頻率 90KHz。這里我們用一個固定頻率 50KHz 的普通反激電源（低壓滿載CCM，高壓DCM)來與之做比較。比較一下高壓 Vin = 360V 時的MOS管開通損耗。 已知 Vor= 75V ； Ctot = 185pF
普通反激電源高壓時，工作在 DCM模式，頻率 50KHz。MOS管上的開通損耗功率為
QR反激電源高壓時，工作在 QR模式，假設(shè)頻率上升到 75KHz。MOS管上的開通損耗功率為
兩者相比，QR模式下的功率損耗要比DCM模式小 ~
0.87W-0.58W=0.29W
0.29W 對于24W的電源來說是1% 多一點，如果考慮到由于頻率上升而增加的變壓器損耗和MOS管的關(guān)斷損耗，實際的效率提高就不知道有沒有1% 了
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@kissxiaolang
OB2361在低壓滿載的時候，頻率固定在50KHz,工作于CCM模式。高壓的時候工作在QR模式，頻率會相應(yīng)地升高，最高頻率90KHz。這里我們用一個固定頻率50KHz的普通反激電源（低壓滿載CCM，高壓DCM)來與之做比較。比較一下高壓Vin=360V 時的MOS管開通損耗。已知 Vor=75V；Ctot =185pF普通反激電源高壓時，工作在DCM模式，頻率50KHz。MOS管上的開通損耗功率為[圖片]QR反激電源高壓時，工作在QR模式，假設(shè)頻率上升到75KHz。MOS管上的開通損耗功率為 [圖片] 兩者相比，QR模式下的功率損耗要比DCM模式小~0.87W-0.58W=0.29W 0.29W對于24W的電源來說是1%多一點，如果考慮到由于頻率上升而增加的變壓器損耗和MOS管的關(guān)斷損耗，實際的效率提高就不知道有沒有1%了
感謝樓主的講解
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@kissxiaolang
OB2361在低壓滿載的時候，頻率固定在50KHz,工作于CCM模式。高壓的時候工作在QR模式，頻率會相應(yīng)地升高，最高頻率90KHz。這里我們用一個固定頻率50KHz的普通反激電源（低壓滿載CCM，高壓DCM)來與之做比較。比較一下高壓Vin=360V 時的MOS管開通損耗。已知 Vor=75V；Ctot =185pF普通反激電源高壓時，工作在DCM模式，頻率50KHz。MOS管上的開通損耗功率為[圖片]QR反激電源高壓時，工作在QR模式，假設(shè)頻率上升到75KHz。MOS管上的開通損耗功率為 [圖片] 兩者相比，QR模式下的功率損耗要比DCM模式小~0.87W-0.58W=0.29W 0.29W對于24W的電源來說是1%多一點，如果考慮到由于頻率上升而增加的變壓器損耗和MOS管的關(guān)斷損耗，實際的效率提高就不知道有沒有1%了
感謝樓主和kissxiaolang，寫的很好！
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@kissxiaolang
OB2361在低壓滿載的時候，頻率固定在50KHz,工作于CCM模式。高壓的時候工作在QR模式，頻率會相應(yīng)地升高，最高頻率90KHz。這里我們用一個固定頻率50KHz的普通反激電源（低壓滿載CCM，高壓DCM)來與之做比較。比較一下高壓Vin=360V 時的MOS管開通損耗。已知 Vor=75V；Ctot =185pF普通反激電源高壓時，工作在DCM模式，頻率50KHz。MOS管上的開通損耗功率為[圖片]QR反激電源高壓時，工作在QR模式，假設(shè)頻率上升到75KHz。MOS管上的開通損耗功率為 [圖片] 兩者相比，QR模式下的功率損耗要比DCM模式小~0.87W-0.58W=0.29W 0.29W對于24W的電源來說是1%多一點，如果考慮到由于頻率上升而增加的變壓器損耗和MOS管的關(guān)斷損耗，實際的效率提高就不知道有沒有1%了
這個貼子，很不錯。。。
對準諧振的理解很有見地。。。
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@kissxiaolang
先帖上些波形圖~ 如果用看圖軟件（例如ACDsee）一張張翻看，會很有趣~ Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.1A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.2A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.3A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.4A[圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.5A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.6A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.7A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.8A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=0.9A[圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.0A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.1A[圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.2A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.3A[圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.4A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.5A [圖片] Vin=200Vac；Vout=19V；Iout=1.6A [圖片]
學(xué)習(xí)了
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