zhangxu869:
產(chǎn)品是由其他型號(hào)產(chǎn)品改的,占空比本來(lái)就偏小,高壓段的占空比更小了,溫度測(cè)試發(fā)現(xiàn)熱點(diǎn)就在原邊開(kāi)關(guān)管上,RDSON我改不了,測(cè)試發(fā)現(xiàn),損耗主要在開(kāi)通損耗上面,芯片用的LM5026驅(qū)動(dòng)能力較弱,就想提高下,MOS管開(kāi)通時(shí)候的上升斜率,減小了輸出電感,即增大了ΔI,間接減小MOS管的開(kāi)通損耗就增加了效率。