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在90V ac時(shí)為什麼是工作在連續(xù)模式,而264V時(shí)為非連續(xù)模式?

今天看書時(shí)想到了一個(gè)問(wèn)題:
關(guān)於Flyback
1>>>在90V ac時(shí)為什麼是工作在連續(xù)模式,而264V時(shí)為非連續(xù)模式
2>>>為什麼MOS在off時(shí)產(chǎn)生的震蕩波形90V ac時(shí)多余264V時(shí)
3>>>在264v時(shí)的Vds在ON的時(shí)候會(huì)有個(gè)凹坑下去,而90v沒(méi)有
望高手賜教
全部回復(fù)(19)
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孤燈下
LV.7
2
2006-08-31 14:14
理論要與實(shí)踐相結(jié)合!
既然想到了問(wèn)題,就自己做實(shí)驗(yàn)來(lái)觀察、驗(yàn)證.初級(jí)選手最好多用示波器看看波形!
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2006-08-31 14:25
在低壓的時(shí)候,占空比比較大,鐵心儲(chǔ)存的能量比較多,所以進(jìn)入了連續(xù)模式.高壓的時(shí)候正好相反.
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rhett
LV.8
4
2006-08-31 15:15
1&3是一個(gè)問(wèn)題,因?yàn)?0時(shí)是CCM,264是DCM.
1),你也一下公式就知道90時(shí)D大于264時(shí)D,然后你在畫一下兩種情況下變壓器二次側(cè)的電流波形就明白了.
沒(méi)明白你第二個(gè)問(wèn)題問(wèn)的是什么
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gddg
LV.4
5
2006-08-31 16:05
@rhett
1&3是一個(gè)問(wèn)題,因?yàn)?0時(shí)是CCM,264是DCM.1),你也一下公式就知道90時(shí)D大于264時(shí)D,然后你在畫一下兩種情況下變壓器二次側(cè)的電流波形就明白了.沒(méi)明白你第二個(gè)問(wèn)題問(wèn)的是什么
2>也就是說(shuō)在MOS由ON轉(zhuǎn)為OFF時(shí)由於Lp的漏感和雜散電容引起的尖峰電壓, 90V時(shí)高於264V時(shí), 我們用示波器可以看到, 90V時(shí)Vpk(尖峰電壓部分)有30v, 而264V有15V,大概的
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gddg
LV.4
6
2006-08-31 16:10
@我愛(ài)網(wǎng)博
在低壓的時(shí)候,占空比比較大,鐵心儲(chǔ)存的能量比較多,所以進(jìn)入了連續(xù)模式.高壓的時(shí)候正好相反.
鐵心儲(chǔ)存的能量比較多?
怎麼理解, 高/低壓應(yīng)該一樣吧
鐵心儲(chǔ)存的能量應(yīng)該和你Output的功率有關(guān)吧
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gddg
LV.4
7
2006-08-31 16:14
@rhett
1&3是一個(gè)問(wèn)題,因?yàn)?0時(shí)是CCM,264是DCM.1),你也一下公式就知道90時(shí)D大于264時(shí)D,然后你在畫一下兩種情況下變壓器二次側(cè)的電流波形就明白了.沒(méi)明白你第二個(gè)問(wèn)題問(wèn)的是什么
還是不明白為什麼會(huì)凹下去,甚至有1-2個(gè)周期的震蕩波
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2006-08-31 16:22
@gddg
還是不明白為什麼會(huì)凹下去,甚至有1-2個(gè)周期的震蕩波
那是因?yàn)楣ぷ髂J讲煌?波形當(dāng)然也不同.
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2006-08-31 16:25
@又冒煙了
那是因?yàn)楣ぷ髂J讲煌?波形當(dāng)然也不同.
第二個(gè)是因?yàn)?0V時(shí)OFF占空比變小,輸出二極管導(dǎo)通角也變小,所以尖峰會(huì)變大.
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rhett
LV.8
10
2006-08-31 16:38
@gddg
還是不明白為什麼會(huì)凹下去,甚至有1-2個(gè)周期的震蕩波
去查一下這個(gè)電壓的公式,就知道是為什么了
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一云天
LV.2
11
2006-08-31 20:51
@rhett
去查一下這個(gè)電壓的公式,就知道是為什么了
那電壓的公式是哪一個(gè)呢?
小弟也是新手,請(qǐng)幫忙指點(diǎn)一二
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孤燈下
LV.7
12
2006-08-31 21:09
@gddg
還是不明白為什麼會(huì)凹下去,甚至有1-2個(gè)周期的震蕩波
非連續(xù)模式下,輸出二極管電流已經(jīng)降低為0,而MOSFET尚未導(dǎo)通,這期間,主感值L與MOSFET寄生電容發(fā)生LC振蕩!
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2006-09-01 08:04
@gddg
鐵心儲(chǔ)存的能量比較多?怎麼理解,高/低壓應(yīng)該一樣吧鐵心儲(chǔ)存的能量應(yīng)該和你Output的功率有關(guān)吧
高低壓鐵心儲(chǔ)存的能量是不同的
因?yàn)樵诘蛪旱臅r(shí)候 輸入電流要比高壓時(shí)來(lái)的大 所以變壓器原邊電流也大 因此儲(chǔ)存的能量也多
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LV.1
14
2006-09-01 08:35
@gddg
2>也就是說(shuō)在MOS由ON轉(zhuǎn)為OFF時(shí)由於Lp的漏感和雜散電容引起的尖峰電壓,90V時(shí)高於264V時(shí),我們用示波器可以看到,90V時(shí)Vpk(尖峰電壓部分)有30v,而264V有15V,大概的
應(yīng)該是低壓時(shí)電流大的緣故吧.
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rhett
LV.8
15
2006-09-01 09:14
@一云天
那電壓的公式是哪一個(gè)呢?小弟也是新手,請(qǐng)幫忙指點(diǎn)一二
書上都有就是開(kāi)關(guān)管的反壓(反激的),但你要去理解一下.就會(huì)明白為什么會(huì)...
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2006-09-01 13:17
@孤燈下
非連續(xù)模式下,輸出二極管電流已經(jīng)降低為0,而MOSFET尚未導(dǎo)通,這期間,主感值L與MOSFET寄生電容發(fā)生LC振蕩!
2:
樓上說(shuō)得正是,在DCM下,當(dāng)變壓器裡的能量放完時(shí),MOS還沒(méi)ON,初次極都是沒(méi)有電流的, 這時(shí)反射電壓就沒(méi)有了, 所以, Vds就會(huì)降低到等於Vin, 這樣的改變引起了Lp與分布電容的串聯(lián)諧振...
這段時(shí)間裡Output的電流有輸出電容提供
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gddg
LV.4
17
2006-09-01 15:02
@dianyuan8888
2:樓上說(shuō)得正是,在DCM下,當(dāng)變壓器裡的能量放完時(shí),MOS還沒(méi)ON,初次極都是沒(méi)有電流的,這時(shí)反射電壓就沒(méi)有了,所以,Vds就會(huì)降低到等於Vin,這樣的改變引起了Lp與分布電容的串聯(lián)諧振...這段時(shí)間裡Output的電流有輸出電容提供
哦!明白了
感謝各位熱心朋友的教導(dǎo),小弟在此感激不進(jìn)
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孤燈下
LV.7
18
2006-09-01 18:22
@gddg
哦!明白了感謝各位熱心朋友的教導(dǎo),小弟在此感激不進(jìn)
這樣寫“感激不盡”!
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rhett
LV.8
19
2006-09-02 09:20
@孤燈下
這樣寫“感激不盡”!
呵呵
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gddg
LV.4
20
2006-09-04 09:02
@rhett
呵呵
沒(méi)注意還弄出個(gè)大笑話來(lái)
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