中國上海，2025年6月23日——隨著人工智能持續(xù)重新定義計算的邊界，為這些進步提供動力的基礎設施也必須同步發(fā)展。作為功率半導體技術領域公認的領導者，羅姆很榮幸成為支持英偉達全新800V高壓直流（HVDC）架構的主要硅供應商之一。這標志著數(shù)據(jù)中心設計的關鍵轉變，使兆瓦級人工智能工廠變得更加高效、可擴展和可持續(xù)。

羅姆不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設計提供更優(yōu)解決方案。

得益于極高的成本效益和可靠性，Si MOSFET已被廣泛應用于汽車和工業(yè)設備市場的電力轉換。Si MOSFET憑借其在價格、效率和可靠性之間的良好平衡也適用于當前AI基礎設施的升級。

羅姆的Si MOSFET代表產(chǎn)品“RY7P250BM”被全球云平臺企業(yè)認證為推薦器件。該產(chǎn)品作為一款為AI服務器必備的熱插拔電路專門設計的48V電源系統(tǒng)用100V功率MOSFET，以8080的小型封裝實現(xiàn)業(yè)界超寬的SOA（安全工作區(qū)），并實現(xiàn)僅1.86mΩ的超低導通電阻。在要求高密度和高可用性的云平臺中，有助于降低電力損耗并提升系統(tǒng)的可靠性。

SiC元器件的優(yōu)勢在于可降低工業(yè)等領域中高電壓、大電流應用的損耗。英偉達800V HVDC架構旨在為功率超過1MW的服務器機架供電，這對于推進其大規(guī)模部署計劃也起著至關重要的作用。這一新型基礎設施的核心在于可將電網(wǎng)的13.8kV交流電直接轉換為800V的直流電。而傳統(tǒng)的54V機架電源系統(tǒng)除了受物理空間限制（要滿足小型化需求）外，還存在銅材使用量大、電力轉換損耗高等問題。

羅姆的SiC MOSFET在高電壓、大功率環(huán)境下可發(fā)揮出卓越性能，不僅能通過降低開關損耗和導通損耗來提高效率，還以超小體積實現(xiàn)了滿足高密度系統(tǒng)設計要求的高可靠性。這些特性恰好與英偉達800V HVDC架構所追求“減少銅材使用量”、“將能量損耗最小化”以及“簡化數(shù)據(jù)中心整體的電力轉換”等需求相契合。

另外，作為對SiC產(chǎn)品的補充，羅姆同時還積極推進GaN技術研發(fā)，現(xiàn)已推出EcoGaN™系列產(chǎn)品，包括150V和650V耐壓的GaN HEMT、柵極驅動器以及集成了這些器件的Power Stage IC。SiC在高電壓、大電流應用中表現(xiàn)出色，而GaN則在100V~650V電壓范圍內(nèi)性能優(yōu)異，具有出色的介電擊穿強度、低導通電阻以及超高速開關特性。此外，在羅姆自有的Nano Pulse Control™技術的加持下，其開關性能得到進一步提升，脈沖寬度可縮短至最低2ns。這些產(chǎn)品充分滿足AI數(shù)據(jù)中心追求小型化和高效率電源系統(tǒng)的需求。

除功率器件外，羅姆還推出搭載第4代SiC芯片的頂部散熱型HSDIP20等高輸出功率SiC模塊產(chǎn)品。這些1200V SiC模塊已面向LLC方式的AC-DC轉換器和一次DC-DC轉換器進行了優(yōu)化，可實現(xiàn)高效率、高密度的電力轉換。憑借其卓越的散熱性與可擴展性，成為英偉達架構所預想的800V輸配電系統(tǒng)等兆瓦級以上AI工廠的上佳之選。

800V HVDC基礎設施的實現(xiàn)，需要全行業(yè)的協(xié)同合作。羅姆作為實現(xiàn)下一代AI工廠的重要合作伙伴，不僅與英偉達等業(yè)界領導者保持緊密協(xié)作，還將與數(shù)據(jù)中心運營商及電源制造商開展深度合作。通過提供羅姆尤為擅長的SiC和GaN等寬禁帶半導體的先進技術，為構建可持續(xù)且高能效的數(shù)字化社會貢獻力量。

與本文相關的羅姆網(wǎng)站

?關于羅姆適用于AI服務器的MOSFET“RY7P250BM”

https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-06-03_news_mosfet&defaultGroupId=false

?關于羅姆的SiC功率器件

https://www.rohm.com.cn/products/sic-power-devices

?關于羅姆的GaN功率器件

https://www.rohm.com.cn/products/gan-power-devices

?關于羅姆的SiC模塊“HSDIP20”

https://www.rohm.com.cn/news-detail?news-title=2025-04-24_news_hsdip&defaultGroupId=false