ponymxy:
目前正在用IR的Class-D方案(基于IRS20955的大功率Class-D)設(shè)計(jì)本公司的Class-D產(chǎn)品(MOSFET用IRFB4020),碰到以下問題:帶載(4Ohm負(fù)載)測(cè)試時(shí),THD+NvsFrequency的性能在中大功率(>20W)很差,主要是在4K-7K的THD+N太大,做FFT分析,該方案的奇次諧波(3次、5次、7次)很大;但如果空載測(cè)試,則THD+N小很多,且做FFT分析時(shí),奇次諧波也小很多.請(qǐng)幫忙分析下是什么原因,有什么好的解決方法.謝謝!