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好帖欣賞學(xué)習(xí)。逆變器用IGBT很不錯(cuò)，不過(guò)，如果用了碳化硅MOS和碳化硅二極管，損耗更小，效率更高，效率可以提高5%，這是非常高的提高，dmgdlee

又是大圖欣賞，頂。溫度這么高，要不要試試碳化硅二極管，更耐溫，損耗更小，效率提高3%。dmgdlee

用心了，必須精品。高性價(jià)比的MOS選用一下，dmgdlee

wei:dmgdlee,有幾款，電壓650V?

提供IGBT,SICMOSFET,SICSBD

引薦一下IGBT,或是碳化硅MOS，支持國(guó)產(chǎn)化

有三款1200V,42A的，內(nèi)阻80毫歐，只是封裝不一樣，

變頻器確實(shí)離不開(kāi)IGBT,但是，現(xiàn)在不一樣了?，F(xiàn)在碳化硅的發(fā)展在如火如荼，碳化硅各項(xiàng)指標(biāo)都遠(yuǎn)勝于IGBT，所以說(shuō)碳化硅大面積取代IGBT是大勢(shì)所趨。

IGBT是個(gè)好產(chǎn)品，但是碳化硅在耐壓耐流耐溫等，在技術(shù)指標(biāo)方面都是遠(yuǎn)勝于IGBT的。就是有2個(gè)問(wèn)題在困擾著碳化硅，一個(gè)是價(jià)格，二一個(gè)產(chǎn)能。就是因?yàn)楫a(chǎn)能慢，造成價(jià)格高。目前大家已經(jīng)知道碳化硅全面優(yōu)于IGBT，所以都在大力改善產(chǎn)能問(wèn)題，一旦，產(chǎn)能起來(lái)，價(jià)格下來(lái)，碳化硅就會(huì)普及。目前一些高端市場(chǎng)已經(jīng)都在使用碳化硅了