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測(cè)試小結(jié)：1.Rohm的板子防護(hù)較多，適合設(shè)計(jì)安全級(jí)別較高的工程師使用，輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)較為穩(wěn)定2.Cree的板子電路比較簡(jiǎn)單，適合初學(xué)者理解電路原理使用，并且相對(duì)便宜一點(diǎn)3.Rohm管子的耐壓耐流能力都很高

下面是一些雙脈沖的測(cè)試，由于實(shí)驗(yàn)室條件受限，只能測(cè)低壓下的測(cè)試，并且電流探頭帶寬不夠，所以就沒加電流波形。先放c2m00820d的測(cè)試[圖片][圖片][圖片]在第二個(gè)脈沖下關(guān)斷尖峰較高，嘗試在DS兩端加了100p的電容，基本沒有效果，也許大一點(diǎn)會(huì)有，還沒來得及試下面是SCT3080KE的測(cè)試，上升下降時(shí)間均小于30ns[圖片][圖片][圖片]下面是生涯電路的測(cè)試，借用說明書的圖[圖片][圖片]由于沒找到大功率電阻，僅測(cè)試了空載條件下的升壓電路，由100V升至400V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)很穩(wěn)定，輸出電壓也非常穩(wěn)定[圖片]測(cè)試暫告一段落，有機(jī)會(huì)會(huì)借其他實(shí)驗(yàn)室的設(shè)備進(jìn)行進(jìn)一步的測(cè)試并更新此帖。

之前是因?yàn)闆]安裝MOS管，導(dǎo)致板子一直在報(bào)故障信號(hào)，還好有天邊請(qǐng)J版大神指導(dǎo)，測(cè)試得以繼續(xù)，在此表示多謝[圖片]。今天測(cè)了一組驅(qū)動(dòng)的性能，Rohm評(píng)估版驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲1us左右，下圖綠色的是dsp發(fā)出的信號(hào)（時(shí)鐘信號(hào)），紫色的為驅(qū)動(dòng)信號(hào)。[圖片][圖片]驅(qū)動(dòng)沿上升時(shí)間46ns，下降時(shí)間42ns[圖片]接下來看一下Cree公司評(píng)估版采用的ACPL-W346芯片的表現(xiàn)延遲時(shí)間74ns，非常短，但是驅(qū)動(dòng)沿上升時(shí)間較長(zhǎng)，下降時(shí)間也較長(zhǎng)，似乎驅(qū)動(dòng)能力不足，并且該芯片僅有5個(gè)管腳，沒有任何保護(hù)功能。[圖片]還有一個(gè)問題就是在高頻下抖動(dòng)比較嚴(yán)重，如下圖所示。[圖片]

板子跟資料肯定都是真的，看法呢是自己的理解，歡迎探討，一起學(xué)習(xí)

功能方框圖[圖片]再來看下科銳（CREE）公司的半橋評(píng)估板CRD8FF1217P-1，頂視圖[圖片]底視圖[圖片]功能方框圖[圖片]電路圖[圖片]可以明顯看出，CREE公司的評(píng)估板比較粗糙，只有單純的驅(qū)動(dòng)，沒有任何保護(hù)功能，也沒有任何指示燈，下表為兩個(gè)板子的參數(shù)對(duì)比。[圖片]    接下來對(duì)比一下驅(qū)動(dòng)芯片和驅(qū)動(dòng)芯片供電電源。先說驅(qū)動(dòng)芯片，CREE公司用的ACPL-W346（Avago公司的sicmosfet專用驅(qū)動(dòng)芯片），3A的rail-to-rail輸出，光耦隔離，絕緣電壓1140V延遲時(shí)間120nS；Rohm公司用的驅(qū)動(dòng)芯片是自己家的BM6101FV，最高可達(dá)4.5A輸出，絕緣電壓2500V，延遲時(shí)間350nS。在驅(qū)動(dòng)電源方面，CREE公司用的是G1212S，通過調(diào)節(jié)阻容網(wǎng)絡(luò)，可輸出25V電壓，之后用齊納管截取5V電壓作為負(fù)壓驅(qū)動(dòng)。Rohm公司為了電壓可調(diào)和隔離用了三個(gè)芯片依次鏈接，分別是BD7F200EFJ-LBE2，EE222504398-T256和S-19700A00A-E8，具體的還沒有深究。歡迎大家指正和補(bǔ)充，后續(xù)會(huì)做一些對(duì)比測(cè)試，如果大家有什么想看到的測(cè)試結(jié)果，可以留言，我根據(jù)實(shí)驗(yàn)室條件盡量做。      先說一下CREE公司的部分防護(hù)電路，控制信號(hào)進(jìn)驅(qū)動(dòng)芯片前加了一個(gè)choke，有效抑制EMI，在柵源兩端加了兩個(gè)齊納管，分別為5V和24V，以保護(hù)柵源電壓不超過額定值。驅(qū)動(dòng)的低電平電壓-5V也由齊納管ZD6提供。在上管柵極前加了一個(gè)磁珠，降低EMI，但是這個(gè)應(yīng)該會(huì)影響驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)能力或者說會(huì)降低開關(guān)速度。

尊敬的主辦方您好：   本人是在校研究生一枚，有幸看到這則消息，想要申請(qǐng)貴公司的評(píng)估版，申請(qǐng)理由如下：1.本人大論文課題是sicmosfet模型的研究，現(xiàn)在正在進(jìn)行雙脈沖實(shí)驗(yàn)，以后打算做一個(gè)基于sicmosfet的PFC電路，故想申請(qǐng)貴公司的評(píng)估板。2.本人手里有幾顆cree公司的c3m0065090d,還有幾顆貴公司的sct2080ke,打算做一些這兩個(gè)產(chǎn)品的對(duì)比性實(shí)驗(yàn)。3.本人在恩智浦半導(dǎo)體實(shí)習(xí)，有幸了解到IGBT驅(qū)動(dòng)的芯片以及外圍電路，想要研究一下IGBT的驅(qū)動(dòng)和mosfet的驅(qū)動(dòng)的差異主要體現(xiàn)在哪些方面，以及有多大。    使用計(jì)劃：1.做雙脈沖實(shí)驗(yàn)，對(duì)比兩種產(chǎn)品的差異，以及動(dòng)態(tài)特性的差異，還有柵極電阻在不同電路下的影響程度。2.用IGBT的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)sicmosfet，與貴公司的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行對(duì)比，看優(yōu)勢(shì)有多大。3.測(cè)試基于sicmosfet的電源相關(guān)參數(shù)，如效率，功率因數(shù)，過流，紋波等。

尊敬的主辦方您好：   本人是在校研究生一枚，有幸看到這則消息，想要申請(qǐng)貴公司的評(píng)估版，申請(qǐng)理由如下：1.本人大論文課題是sicmosfet模型的研究，現(xiàn)在正在進(jìn)行雙脈沖實(shí)驗(yàn)，以后打算做一個(gè)基于sicmosfet的PFC電路，故想申請(qǐng)貴公司的評(píng)估板。2.本人手里有幾顆cree公司的c3m0065090d,還有幾顆貴公司的sct2080ke,打算做一些這兩個(gè)產(chǎn)品的對(duì)比性實(shí)驗(yàn)。3.本人在恩智浦半導(dǎo)體實(shí)習(xí)，有幸了解到IGBT驅(qū)動(dòng)的芯片以及外圍電路，想要研究一下IGBT的驅(qū)動(dòng)和mosfet的驅(qū)動(dòng)的差異主要體現(xiàn)在哪些方面，以及有多大。    使用計(jì)劃：1.做雙脈沖實(shí)驗(yàn)，對(duì)比兩種產(chǎn)品的差異，以及動(dòng)態(tài)特性的差異，還有柵極電阻在不同電路下的影響程度。2.用IGBT的驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)sicmosfet，與貴公司的驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行對(duì)比，看優(yōu)勢(shì)有多大。3.測(cè)試基于sicmosfet的電源相關(guān)參數(shù)，如效率，功率因數(shù)，過流，紋波等。