samwin_sz02：
對于二次平臺我是這樣理解的，當IC驅(qū)動是高電平時，MOSFET開啟，變壓器初級繞組和MOSFET的Ids電流線性增加，當驅(qū)動電平變?yōu)榈碗娖降倪^程中，會組成一個回路，電流的方向是IC的輸出端-IC地-MOSFET源極電阻-MOS管源柵極-MOS管柵極，這個電流方向和MOS管漏源極電流方向相反，所以產(chǎn)生一個低谷，其實流過變壓器和MOS管中的電流還是增加的，當MOS管柵極電壓降到密勒平臺以下時MOS管才會迅速關(guān)斷，電流減小，這一點你可以用電流鉗測試MOS管漏極的電流。