不由分說(shuō)：
MOSFET關(guān)斷過(guò)程中米勒平臺(tái)電壓，管子的漏源之間電壓要從0V上升到相應(yīng)的高電壓，這期間內(nèi)流過(guò)管子的電流只比導(dǎo)通時(shí)的電流小一點(diǎn)點(diǎn)，在米勒平臺(tái)區(qū)過(guò)了，再到柵極電壓下降到Vth閾值電壓期間內(nèi)管子的電流才完全降為零。您說(shuō)的（只要關(guān)斷過(guò)程中，電壓還沒上升或只上升了一點(diǎn)點(diǎn)）好像和MOSFET的關(guān)斷波形圖有些出入啊。[圖片]