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樓主威猛！DS加47p電容是不是對(duì)100M-200M頻段特別有效果？

一語中的，事前的設(shè)計(jì)遠(yuǎn)比整改有效的多；樓主的MOSFET S極串聯(lián)磁珠的方法確實(shí)沒有使用過；下次嘗試一下；樓主對(duì)60-80M超標(biāo)有沒有好的方法？

按照46樓的方法，逐一檢測(cè)，排除，用圖表和數(shù)據(jù)說明問題。

確實(shí)不易，綜合性能高確實(shí)較困難。

低壓滿載還是挺明顯的，應(yīng)該在1%-1.5%的提升。

3樓已經(jīng)說的比較清楚，一般要綜合電源的整體效率，MOSFET溫升，電源EMI的因素綜合考慮，測(cè)試確定；對(duì)于Qg較小，開關(guān)速度快得MOS比如超級(jí)結(jié)，適當(dāng)增大阻值；對(duì)于普通的VDMOS則要適當(dāng)減小驅(qū)動(dòng)電阻。

分析總結(jié)的很有道理。

最好捉取VDS,VGS，IDS信號(hào)波形分析，重點(diǎn)是電流波形。你用什么型號(hào)的MOSFET，有沒有規(guī)格書，核對(duì)一下規(guī)格書中的SOA，如果在SOA內(nèi)，MOSFET失效，就要懷疑MOSFET品質(zhì)，如果不在SOA內(nèi)，就要檢查你的過流保護(hù)電路。 

MOSFET是電壓控制器件，如果驅(qū)動(dòng)電阻比較小，MOSFET受控能力減弱；G端驅(qū)動(dòng)電阻有抑制GS振蕩的作用，如果GS振蕩過大，VGSP-P超過額定值，GS擊穿，MOSFET失效;最好捉取VDS,VGS，IDS信號(hào)波形分析。

470是不是阻值有點(diǎn)太大了，200已經(jīng)足夠大了?？纯幢ｋU(xiǎn)絲有沒有燒掉，整流橋是否OK。