日韩在线不卡免费视频一区,日韩欧美精品一区二区三区经典,日产精品码2码三码四码区,人妻无码一区二区三区免费,日本feerbbwdh少妇丰满
暫無內(nèi)容
暫無內(nèi)容
暫無內(nèi)容
求助:全橋驅(qū)動信號的干擾問題
sdkfz171
最新回復(fù):2011-07-12 05:19
3284
4
0
并聯(lián)使用MOSFET,65KHz,應(yīng)該用一個圖騰柱還是多個圖騰柱?
sdkfz171
最新回復(fù):2011-07-14 13:58
1.4w
24
0
新手求答疑:儀器探頭對電路性能的影響
sdkfz171
最新回復(fù):2011-08-10 16:39
3795
24
0
1
sdkfz171:
這個我不大理解。貌似datasheet對ICE2PCS的軟啟動解釋是:在輸出電壓達到設(shè)定值的83%之前,用30UA的電流給電壓補償網(wǎng)絡(luò)充電,C4一般是1uF或數(shù)個uF,如果先上芯片的電,30uA的電流,豈不是幾十個毫秒就把補償網(wǎng)絡(luò)的電壓沖上去了?那么再上主電路的電時,軟啟動又表現(xiàn)在哪里呢?[圖片]
2011-07-14 10:24 回復(fù)
原帖:并聯(lián)使用MOSFET,65KHz,應(yīng)該用一個圖騰柱還是多個圖騰柱?
sdkfz171:
你是電氣專業(yè)的學(xué)生嗎,如果不是的話,至少要是工科背景的吧,否則估計會有點吃力。我也是第一次折騰開關(guān)電源,我現(xiàn)在看過的書只有數(shù)電、模電、電力電子和老外的一本開關(guān)電源技術(shù),呵呵
2011-07-12 05:19 回復(fù)
原帖:求助:全橋驅(qū)動信號的干擾問題
sdkfz171:
恩,正常情況下這里的確是有個尖峰,但小到基本沒影響。我這次尖峰比較大的原因已經(jīng)基本清楚了,是驅(qū)動本身有問題,換了一片就好了。此貼打住,請版主封貼吧
2011-07-12 05:15 回復(fù)
原帖:求助:全橋驅(qū)動信號的干擾問題
sdkfz171:
打樣中,暫時沒有管并聯(lián),直接用大MOS管做到了1.5KW。我想請教一下芯片本身的問題,上電時應(yīng)該先上主電路的電還是先上芯片的電?如果先上芯片的電,那軟啟動的意義在哪里?
2011-07-11 21:11 回復(fù)
原帖:并聯(lián)使用MOSFET,65KHz,應(yīng)該用一個圖騰柱還是多個圖騰柱?
sdkfz171:
我知道了,是Vds振蕩導(dǎo)致開關(guān)信號出現(xiàn)紅圈里的紋波不知道這種振蕩是什么導(dǎo)致的,有沒有相關(guān)文章可以看看?藍色的峰似乎就是芯片受擾了,這個峰出現(xiàn)的次數(shù)與功率因數(shù)成負相關(guān)關(guān)系。但不一定是唯一原因?,F(xiàn)在不在實驗室,晚上再測~~
2011-07-07 09:45 回復(fù)
原帖:并聯(lián)使用MOSFET,65KHz,應(yīng)該用一個圖騰柱還是多個圖騰柱?
sdkfz171:
Vds剛好400V多一點點,屏幕剛好裝不下,就差一點。零線就是示波器的下沿,頂峰在示波器上沿一丁點,應(yīng)該不影響查看吧。沒有驅(qū)動信號時Vds卻下降是測試中最詭異的一點。不過這個下降似乎是跟驅(qū)動信號在那里的波動有關(guān)的(我下面用紅圈圈出來的),這個肯定是有原因的。測試時帶負載了,300W不知道是DCM還是CCM,一會兒把電感搞大一點試試。
2011-07-07 09:42 回復(fù)
原帖:并聯(lián)使用MOSFET,65KHz,應(yīng)該用一個圖騰柱還是多個圖騰柱?
sdkfz171:
剛剛加載到了500W,發(fā)現(xiàn)似乎又不完全是輸入電流大小的影響。因為跟剛才300W的比,500W下,有時其輸入電流比300W糟糕情況(95%)的輸入電流更大,而功率因數(shù)仍很高(99.5%)。300W,功率因數(shù)99.5%時,幾乎不存在那樣的干擾波形,而現(xiàn)在500W時,即便功率因數(shù)99.5,那樣的干擾波形仍然大量存在。不敢再往上加功率了。
2011-07-07 06:49 回復(fù)
原帖:并聯(lián)使用MOSFET,65KHz,應(yīng)該用一個圖騰柱還是多個圖騰柱?
sdkfz171:
總結(jié)起來看似乎有兩方面問題紅圈是芯片驅(qū)動里沒有的,圖騰柱信號里出現(xiàn)了籃圈是芯片自己不應(yīng)該產(chǎn)生的信號,當功率因數(shù)低時就會出現(xiàn),不知道是現(xiàn)象還是結(jié)果。[圖片]
2011-07-07 06:29 回復(fù)
原帖:并聯(lián)使用MOSFET,65KHz,應(yīng)該用一個圖騰柱還是多個圖騰柱?
sdkfz171:
不過上面這些東西是結(jié)果還是原因就說不清楚了。輸入電壓低、電流大時,這個電路的功率因數(shù)會有點低,以上干擾的出現(xiàn)概率高,輸入電壓高、電流小時,出現(xiàn)以上干擾的概率就很低。前面那些圖都是在功率因數(shù)0.95左右截的,下面兩張是在功率因數(shù)0.99以上截得。下面為芯片驅(qū)動信號,上面為圖騰柱驅(qū)動信號,出現(xiàn)干擾極少。[圖片] [圖片]
2011-07-07 06:25 回復(fù)
原帖:并聯(lián)使用MOSFET,65KHz,應(yīng)該用一個圖騰柱還是多個圖騰柱?
sdkfz171:
芯片產(chǎn)生的驅(qū)動信號與過圖騰柱后的驅(qū)動信號下為芯片產(chǎn)生的驅(qū)動信號,上為圖騰柱驅(qū)動信號。在關(guān)斷的后半段出現(xiàn)了像波紋一樣的東西,不知是怎么產(chǎn)生的。[圖片] 兩個圖騰柱各自產(chǎn)生的驅(qū)動信號倒是對稱得很[圖片] [圖片]
2011-07-07 06:20 回復(fù)
原帖:并聯(lián)使用MOSFET,65KHz,應(yīng)該用一個圖騰柱還是多個圖騰柱?
1
2
3
4