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李龍文的書不是那么十分值得買。個人愚見

交錯雙正激，比全橋可靠

有影響的，RCD的C和R不合理的話，他會消耗掉部分Vor；當然也可以不能消耗全部的漏感能量，讓你誤以為Vor大

RCD吸收電路的參數(shù)取值合理不？RCD吸收電路的參數(shù)取值不合理的話，你測量的Vor就不能真正反映變壓器匝比n實測波形很重要，但也不要總認為側出來的就都是真理。也要看所測電路是否合理

普通全橋的ZVS，不是靠諧振，靠的是原邊變壓器勵磁電流.能否實現(xiàn)ZVS關鍵就是這勵磁電流能把MOS的cap充到那個程度。

對普通全橋而言，一對橋臂關掉后，原邊變壓器勵磁電流繼續(xù)沿原方向流動，只是逐漸減小，在死區(qū)內能將即將開通的MOSDS兩端推倒或逐漸推倒零。當然這不可能保證所有死區(qū)內的ZVS,且關段時是硬關。移向全橋也不能很好的解決問題，也不可能保證所有死區(qū)內的ZVS,且關段時也是硬關。歡迎更多的討論

寬輸出電壓是比普通橋有優(yōu)勢,但這個需求不是很迫切

關于移相全橋電磁兼容，不見得一定比普通全橋強啊

我頂我頂