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同步整流關(guān)鍵性參數(shù)同步整流VTH_ON最小時(shí)間，這里為什么會(huì)有此參數(shù)出現(xiàn)，個(gè)人理解原因①同步整流開(kāi)啟過(guò)程中VDS波形性會(huì)有一定的抖動(dòng)，仿真誤關(guān)斷，②工作過(guò)程突然出現(xiàn)毛刺出現(xiàn)誤關(guān)斷③初次級(jí)耗電程度，特別輕載工作過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)，沒(méi)有VT_ON最低時(shí)間時(shí)，次級(jí)同步整流關(guān)閉后，初級(jí)VCC二極管反向恢復(fù)有一定時(shí)間，這時(shí)FB波形會(huì)有變性引起紋波大問(wèn)題。

2、同步整流使用的MOS，是RDS-on值越小效率越高嗎？同步整流使用的MOS，是RDS-on值越小效率越高這個(gè)不是絕對(duì)的，這里來(lái)回答大多數(shù)同步整流芯片都有一個(gè)VTH-OFF值，這個(gè)值決定你選擇MOS的時(shí)候MOS的RDS-on導(dǎo)通電阻，這里我們假設(shè)VTH-Off=-5mV,那么VTH-Off/RDS-on就等結(jié)束時(shí)同步整流MOS上的電流，后面電流工作的去磁就要通過(guò)MOS的寄生二極管導(dǎo)通，這里如果RDS-on越小用MOS的寄生二極管導(dǎo)通電流越大，這樣一下RDS-on小的效率反而沒(méi)有RDS-on大的好，選著合適RDS-on的MOS，既能解決效率問(wèn)題又能解決成本問(wèn)題。

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最有點(diǎn)忙閑暇時(shí)刻回答一下第一個(gè)問(wèn)題1、問(wèn)大家次級(jí)同步整流要求PSR架構(gòu)的電源和SSR架構(gòu)的電源那個(gè)對(duì)同步整流芯片精度要求高？  這里我的回答是PSR架構(gòu)的對(duì)同步整流要求高，特別是同步整流關(guān)斷點(diǎn)的要求，這里我用一個(gè)波形來(lái)說(shuō)一下。如果出現(xiàn)下圖情況的同步整流提前關(guān)斷這時(shí)次級(jí)去磁還沒(méi)有結(jié)束同步整流都已關(guān)閉，次級(jí)開(kāi)同步整流的寄生二極管來(lái)導(dǎo)通，這時(shí)就會(huì)出現(xiàn)FB采樣一段是mos導(dǎo)通和一段是寄生二極管導(dǎo)通時(shí)間，引起FB采樣錯(cuò)誤情況出現(xiàn)造成輸出電壓有波動(dòng)。關(guān)斷點(diǎn)的因主要兩個(gè)地方影響①是芯片關(guān)斷點(diǎn)（VTH-off）的值越接近于0關(guān)斷越晚，②同步MOS導(dǎo)通阻值阻值越小關(guān)斷點(diǎn)越提前。[圖片][圖片]

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