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樓上的,你有實際證據來證明IR的管子質量不好嗎?!你怎么就知道IR的驅動芯片就沒幾個人用?我就是IR公司的!

目前國外的VDMOS可以做到上GHZ的工作頻率,但功率非常小,兄弟要不要,我這里有?只要你兜里的米足夠多:)

thisisreallymissionimpossible!對有標稱雪崩耐量的器件來說,器件能夠有小范圍的承載短暫(10ns以內)overload的能力.但決沒有可能承受100ns兩倍于標稱耐壓值的器件存在,不僅是MOSFET,IGTB,FRED同樣不可能

老兄,你對封裝的要求限制死了你沒法找到你要的管子.SF30JC10是100V/30A共陰的管子.TO220芯片的面積決定了它沒法有那么大的電流容量.

穩(wěn)壓二極管,控制C10充放電的

llllrrrr2001老兄似乎并沒有把炸管的原因講明白.如果是因為IRFP460的容量不夠大,那倒是應該考慮選擇容量大一些的管子.但是老兄是否有考慮過成本問題,能夠滿足你要求的又能夠便宜到象IRF460那樣的管子還真不好找.APT5020的電流容量并不能滿足你的需求.如果你愿意試驗APT的產品,建議你試一下APT5015BVR,500V/32A.還有一顆APT5014BLL正好符合你的要求,500V/35A,而且開關速度要比APT5015BVR快很多,但是價格要貴一些.

MOS功率管大部時間是工作在飽和區(qū)而不是線性區(qū).

我想那一定是經過核算過的經驗值.用IGBT散熱好,這是無稽之談,處理單管的散熱問題,遠要比模塊復雜得多.價格低,那倒是真的.你要是想價格低,去找IR或者仙童的管子來用,一顆不夠兩顆,兩顆不夠三顆......一顆管子一塊多一點美刀,便宜著呢,兄弟.

一個PN結就是一個二級管.所有的半導體器件都存在PN結,所以沒可能有沒有體二極管的半導體器件存在.只是說通過特殊的工藝來降低或強化它的作用.你說的應該是所為的內置二極管吧?就是單獨再做一個二極管和本身的MOS管并聯(lián)封裝在一起.

我不是做變頻器的.但我在跟EMERSON變頻器部門的器件經理交談時,她說3KW以下的用分立器件成本會更低.當然,前提條件是熟悉分立器件的使用.大家現(xiàn)時使用IPM使慣了,所以到很少有人會費心思去用分立器件去搭電路.