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對(duì)，我覺(jué)得你的說(shuō)法是對(duì)的但我在想，次級(jí)側(cè)有漏感存在，在MOS關(guān)斷期間，次級(jí)側(cè)電流雖然是一直減小，但漏感是一直儲(chǔ)存能量的。進(jìn)入死區(qū)，也就是次級(jí)電流降為零時(shí)，漏感中的能量需要釋放，但如果二極管截至，那釋放能量的路徑又是怎樣的呢？看二極管兩端波形可以看出，在死區(qū)期間電壓是震蕩的（因?yàn)槌跫?jí)電壓震蕩耦合到次級(jí)），但值始終都是小于零，二極管確實(shí)是不會(huì)導(dǎo)通另外：在MOS開(kāi)通的一瞬間，二極管兩端出現(xiàn)一個(gè)反壓尖峰是怎么形成的？我覺(jué)得這個(gè)尖峰體現(xiàn)的正是漏感中的能量，但為什么是這個(gè)時(shí)刻才釋放呢？不解啊 

鉗位到800V用的就是四個(gè)穩(wěn)壓二極管啦！如果不串一個(gè)合適的電阻，下管關(guān)斷時(shí)VCE是出現(xiàn)震蕩！

你發(fā)的文檔中間，圖三電源效率曲線(xiàn)表達(dá)出來(lái)的問(wèn)題很?chē)?yán)峻，為什么在高壓輸入時(shí)效率會(huì)如此低？文檔中說(shuō)是因?yàn)殚_(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗增大造成，開(kāi)關(guān)損耗增大能理解，但是導(dǎo)通損耗是怎么增大的，能幫解釋下嗎？謝謝

上管的開(kāi)通關(guān)斷時(shí)間會(huì)很長(zhǎng)，這樣導(dǎo)致動(dòng)態(tài)損耗增大！

下管MOS的VCE電壓容易出現(xiàn)振鈴電壓，可能會(huì)搞過(guò)他的耐壓，一般的做法是在穩(wěn)壓管上串聯(lián)一個(gè)電阻，這個(gè)電阻的阻值應(yīng)該怎么考慮？還是說(shuō)只能通過(guò)實(shí)際測(cè)試中來(lái)調(diào)整？另外，能不能用隔離變壓器來(lái)同時(shí)驅(qū)動(dòng)上下管，這種方式會(huì)不會(huì)更好點(diǎn)。

太感謝你了，這份資料對(duì)我有很大的幫助

那么下關(guān)的最高承受電壓不會(huì)高過(guò)800V，上管的耐壓就是反射電壓加上漏感尖峰咯？

謝謝！  多指教