disciple2008:
前面說(shuō)的若干問(wèn)題主要原因歸結(jié)為死區(qū)時(shí)間設(shè)置(AB,CD,AF,BE),高壓MOSFET驅(qū)動(dòng)上升下降時(shí)間,環(huán)路穩(wěn)定性,其它開(kāi)關(guān)噪聲對(duì)信號(hào)的干擾?,F(xiàn)在比較頭疼的是稍微加點(diǎn)負(fù)載,CS引腳電壓就可能超過(guò)內(nèi)置閥值電壓,噪聲頻率為2倍開(kāi)關(guān)頻率,請(qǐng)高手出來(lái)指點(diǎn)一下,多謝,多謝