lianghn：
IGBT不停的開關(guān)帶來的開關(guān)損耗是造成IGBT過熱的主要原因:IGBT的導(dǎo)通損耗主要由IGBT可靠導(dǎo)通時(shí)C、E極間的電壓VCE(sat)決定,VCE(sat)越小,導(dǎo)通損耗越小,而VCE(sat)與G極的驅(qū)動(dòng)電壓和可靠導(dǎo)通時(shí)流過IGBT的電流有關(guān).另外IGBT導(dǎo)通瞬間C、E極間的電壓uCE會(huì)產(chǎn)生尖峰電流致使IGBT發(fā)熱IGBT的關(guān)斷損耗主要取決于關(guān)斷時(shí)的電流大小及關(guān)斷速度,由于IGBT的G、E極間存在寄生電容CGE及驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻,使得IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓在關(guān)斷過程中不能很快的下降,因而可能會(huì)導(dǎo)致IGBT工作在放大區(qū).