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需要實(shí)時(shí)測(cè)量芯片的工作電流時(shí)，較通用的想法是在電源端串聯(lián)一個(gè)萬(wàn)用表，根據(jù)萬(wàn)用表的電流值得到芯片的工作電流；今天分享一種測(cè)量工作電流的方法僅供參考。

一、現(xiàn)象及原理分析

前段時(shí)間由于要做MCU芯片替代，從FAE手中拿到了一個(gè)開(kāi)發(fā)板，在開(kāi)發(fā)板的手冊(cè)介紹中發(fā)現(xiàn)有MCU電流測(cè)量的位置。如下圖中橢圓框內(nèi)的標(biāo)注。

在傳統(tǒng)的想法中以為測(cè)量芯片電流的方法是：在電流回路中串聯(lián)萬(wàn)用表。這個(gè)開(kāi)發(fā)板直接預(yù)留兩個(gè)點(diǎn)怎么測(cè)量電流的呢？懷著好奇的心態(tài)，打開(kāi)了開(kāi)發(fā)板的原理圖。發(fā)現(xiàn)在MCU的3.3V供電位置，串聯(lián)了5毫歐的電阻。

瞬間明白了，該開(kāi)發(fā)板測(cè)量MCU電流的方法是：先測(cè)量5毫歐電阻的電壓，通過(guò)歐姆定律進(jìn)而計(jì)算出芯片的工作電流。

二、總結(jié)

原理很簡(jiǎn)單，可以做到測(cè)量芯片的電流，但這種測(cè)量方式有一定的劣勢(shì)：優(yōu)劣勢(shì)分析如下：1、需要使用高精度萬(wàn)用表測(cè)試；如MCU芯片電流為200mA，5毫歐電阻上實(shí)際測(cè)量到的電壓為1mV。實(shí)際使用時(shí)也可以選用50毫歐等阻值更大的電阻；

2、這種測(cè)量方式由于會(huì)受到電阻精度的影響，計(jì)算出的電流精度不如直接串聯(lián)萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)試的精度高；

3、需要計(jì)算待測(cè)量電路的理論最大電流，進(jìn)而選擇合適功率的采樣電阻；采樣電阻功率太小可能會(huì)造成電阻發(fā)熱嚴(yán)重導(dǎo)致測(cè)量誤差變大；

4、優(yōu)點(diǎn)：對(duì)精度要求較高的場(chǎng)合，可以將采樣電阻（5毫歐電阻）去掉，通過(guò)在TP1和TP3位置串聯(lián)萬(wàn)用表實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)量；

5、本文分享的方法僅供思路擴(kuò)展；對(duì)于要求測(cè)量精度不高的場(chǎng)合可以使用此種測(cè)試方法；對(duì)要求精度較高的場(chǎng)合不太適用。