SIC二極管的正向壓降不小呢，只是反向回復時間理論上位0

上點資料學習一下碳化硅二極管特性研究 

這個是電源網(wǎng)論壇里面的網(wǎng)站，可以看看http://bbs.dianyuan.com/topic/681849

SIC用在頻率較高電路中的損耗主要是反向恢復時間問題。

SiC的電子遷移率低，所以，正向?qū)娊M較大，但肖特基二極管已經(jīng)做到1.5V以下了，這和器件設計有關，可以改進的。其他參數(shù)都有很大的改善。

關于MOSFET，同樣的問題，但是，任何器件都有應用范圍，能提供你的要求嗎？

SiC MOSFET的應用優(yōu)勢是在高溫下，高頻率，高電壓的場合。并且，現(xiàn)在的SiC MOSFET在大電流方面還有一些技術問題。

另外，建議大家去嘗試一下，里面還有很多問題需要解決，我們共同努力吧。

其實你應該這樣理解，sic能級比較高，所以低壓時損耗反而大。

但是對于高壓，他就不需要那么厚的層來耐壓。

所以高耐壓的產(chǎn)品中，其導通損耗反而低。

至于開關損耗，也是由于高能級帶來的好處

SiC MOS降低的主要是開關損耗而不是導通損耗。

SiC MOS的開關頻率比IGBT高，同時在關斷時，IGBT有拖尾現(xiàn)象，關斷很慢，從而導致IGBT的開關速度上不去，基本在10K左右，不超過20K，損耗很高。而SiC mos的關斷速度比較快。

相比普通MOS的優(yōu)勢是高壓情況下。SIC MOS的導通電阻會低很多。

請dx們指正。