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反激吸收尖峰電壓對能量傳遞的影響

在張占松老師的開關(guān)原理及設(shè)計一書中,在講解RCD吸收時,有這樣寫道在反激作用時。嵌位電壓提供
一個附加強制電壓值來驅(qū)動電能進入副邊電感,有沒有大俠分析下MOS關(guān)斷后,勵磁電感電流和漏感電流
的作用在MOS輸出電容和RCD吸收電容上面的過程,以及吸收電容上的電壓如何對能量傳遞產(chǎn)生影響的??
 

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