關(guān)于同步整流
我是一個(gè)剛學(xué)電源的菜鳥,不懂同步整流是什么???有什么好處???
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@hu_chairman
請(qǐng)問這位高手能否講講它的優(yōu)勢(shì),謝謝
同步整流電路可減小導(dǎo)通損耗,可以把導(dǎo)通損耗減小喲90%,
但其也有不足之處,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,成本較高,采用此電路需綜合權(quán)衡.還有一個(gè)損耗就是驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極的損耗,其本質(zhì)就是將具有幾百到幾千PF的電容的柵極從關(guān)狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài),然后又回到關(guān)斷狀態(tài),其損耗與開關(guān)頻率和柵極電容有關(guān).
但其也有不足之處,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,成本較高,采用此電路需綜合權(quán)衡.還有一個(gè)損耗就是驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極的損耗,其本質(zhì)就是將具有幾百到幾千PF的電容的柵極從關(guān)狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài),然后又回到關(guān)斷狀態(tài),其損耗與開關(guān)頻率和柵極電容有關(guān).
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@szrg
同步整流電路可減小導(dǎo)通損耗,可以把導(dǎo)通損耗減小喲90%,但其也有不足之處,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,成本較高,采用此電路需綜合權(quán)衡.還有一個(gè)損耗就是驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極的損耗,其本質(zhì)就是將具有幾百到幾千PF的電容的柵極從關(guān)狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài),然后又回到關(guān)斷狀態(tài),其損耗與開關(guān)頻率和柵極電容有關(guān).
幾百到幾千PF的電容的柵極從關(guān)狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)
請(qǐng)問有這么大的電容嗎,我記的,Cgs 一般有1-3PF,
請(qǐng)問有這么大的電容嗎,我記的,Cgs 一般有1-3PF,
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@szrg
同步整流電路可減小導(dǎo)通損耗,可以把導(dǎo)通損耗減小喲90%,但其也有不足之處,驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜,成本較高,采用此電路需綜合權(quán)衡.還有一個(gè)損耗就是驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極的損耗,其本質(zhì)就是將具有幾百到幾千PF的電容的柵極從關(guān)狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài),然后又回到關(guān)斷狀態(tài),其損耗與開關(guān)頻率和柵極電容有關(guān).
Q值的大小除了影響開關(guān)損耗外是否對(duì)空載的電流影響很大?我用不同的管子,空載電流差別較大.
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近年來隨著電源技術(shù)的發(fā)展,同步整流技術(shù)正在向低電壓、大電流輸出的DC/DC變換器中迅速推廣應(yīng)用.DC/DC變換器的損耗主要由3部分組成:功率開關(guān)管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗.在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導(dǎo)通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出.快恢復(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降,這就導(dǎo)致整流損耗增大,電源效率降低.舉例說明,目前筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達(dá)20A.此時(shí)超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%.即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會(huì)達(dá)到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上.因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸.
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù).它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓.功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系.用功率MOSFET做整流器時(shí),要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流.
同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù).它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓.功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系.用功率MOSFET做整流器時(shí),要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流.
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@greatcn
近年來隨著電源技術(shù)的發(fā)展,同步整流技術(shù)正在向低電壓、大電流輸出的DC/DC變換器中迅速推廣應(yīng)用.DC/DC變換器的損耗主要由3部分組成:功率開關(guān)管的損耗,高頻變壓器的損耗,輸出端整流管的損耗.在低電壓、大電流輸出的情況下,整流二極管的導(dǎo)通壓降較高,輸出端整流管的損耗尤為突出.快恢復(fù)二極管(FRD)或超快恢復(fù)二極管(SRD)可達(dá)1.0~1.2V,即使采用低壓降的肖特基二極管(SBD),也會(huì)產(chǎn)生大約0.6V的壓降,這就導(dǎo)致整流損耗增大,電源效率降低.舉例說明,目前筆記本電腦普遍采用3.3V甚至1.8V或1.5V的供電電壓,所消耗的電流可達(dá)20A.此時(shí)超快恢復(fù)二極管的整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%.即使采用肖特基二極管,整流管上的損耗也會(huì)達(dá)到(18%~40%)PO,占電源總損耗的60%以上.因此,傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要,成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸. 同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET,來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù).它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓.功率MOSFET屬于電壓控制型器件,它在導(dǎo)通時(shí)的伏安特性呈線性關(guān)系.用功率MOSFET做整流器時(shí),要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步才能完成整流功能,故稱之為同步整流.
請(qǐng)問,有同步整流這方面的資料嗎?謝謝!
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