在用TI的UC3525半橋時(shí)，如何選擇開(kāi)關(guān)電源的上管、下管，除了Qg,Rds外，還有什么需要注意的，以及下管的肖特基二管參數(shù)有什么要求。
【問(wèn)】怎么選擇開(kāi)關(guān)電源的上管、下管
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對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的主功率管選擇需要基于拓?fù)?，?yīng)用和成本共同分析。
拓?fù)浜蛻?yīng)用環(huán)境（主要針對(duì)占空比，輸入電壓，負(fù)載電流等）將決定在電路中你的功率管將承受怎樣的電應(yīng)力和熱應(yīng)力。更進(jìn)一步講就是，我們?cè)谶x擇開(kāi)關(guān)管的時(shí)候，從性能上說(shuō)無(wú)非需要考慮的就是它的耐壓，耐流和耐熱?？梢酝ㄟ^(guò)開(kāi)關(guān)管的工作過(guò)程將其細(xì)分為將Vgs充電到Vgsth開(kāi)關(guān)管開(kāi)始導(dǎo)通，從Vgsth一直到miler區(qū)結(jié)束，從miller區(qū)結(jié)束到開(kāi)關(guān)管完全導(dǎo)通，然后是從導(dǎo)通到關(guān)斷的一個(gè)逆過(guò)程。這期間會(huì)包括開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗，驅(qū)動(dòng)損耗以及死區(qū)時(shí)間內(nèi)的損耗。不同的拓?fù)浜凸ぷ鳝h(huán)境（比如重載和輕載的不同），又會(huì)使得這些損耗的比例不一樣。
從與芯片相關(guān)聯(lián)的角度來(lái)說(shuō)，可以從幾個(gè)方面考慮您所關(guān)注的問(wèn)題。
1）芯片的驅(qū)動(dòng)能力。從一些datasheet里面可以看的指標(biāo)是芯片的驅(qū)動(dòng)電阻或者是驅(qū)動(dòng)電流。這個(gè)主要是影響你的開(kāi)關(guān)速度，而開(kāi)關(guān)速度直接與開(kāi)通和關(guān)斷損耗掛鉤。當(dāng)然這又是與你所選取的MOS管中的Qg共同作用的。
2）芯片的VCC。很多芯片的VCC會(huì)直接或間接影響驅(qū)動(dòng)電壓。與管子聯(lián)系起來(lái)就是影響在導(dǎo)通時(shí)候作用在Vgs上的電壓，Vcc越大，Rdson就越小，這樣管子的導(dǎo)通損耗就會(huì)相應(yīng)減小。但是值得注意的時(shí)候，有些芯片的Vcc同時(shí)也會(huì)和管子的驅(qū)動(dòng)損耗相關(guān)，Vcc增大，驅(qū)動(dòng)損耗會(huì)增大。不過(guò)通常來(lái)說(shuō)，在正常工作（考慮負(fù)載相當(dāng)）的時(shí)候，驅(qū)動(dòng)損耗相對(duì)于導(dǎo)通損耗來(lái)說(shuō)可以忽略不計(jì)。
3）死區(qū)時(shí)間。往往為防止上下管直通，在芯片中會(huì)控制上下驅(qū)動(dòng)脈沖間留有適當(dāng)?shù)拈g隔。這個(gè)死區(qū)時(shí)間主要影響的是在MOS管沒(méi)有開(kāi)通而由體二極管或者是外加肖特基管續(xù)流的過(guò)程中產(chǎn)生的電路損耗。所以一般希望在保證上下管安全工作的前提下，死區(qū)時(shí)間盡量減小。這里和管子相聯(lián)系的指標(biāo)是，MOS管的體二極管的正向?qū)▔航怠?/p>
在一個(gè)電路工作的時(shí)候，從管子的角度而言還需要關(guān)注的幾個(gè)問(wèn)題則是：
1）體二極管反向恢復(fù)過(guò)程的損耗；(與MOS管的體二極管指標(biāo)相關(guān)）
2）高速率Vds變化導(dǎo)致的管子誤開(kāi)；（與MOS管的極間電容以及Vgsth等相關(guān)）
再選擇管子的時(shí)候另外需要考慮的就是它的封裝和散熱能力，值得注意的是這個(gè)需要和你布板的有效散熱面積掛鉤。
以上是一個(gè)概括性的介紹，如果有進(jìn)一步的問(wèn)題可以聯(lián)系我們，將針對(duì)您的具體電路給予相應(yīng)的建議。
最后推薦您考慮TI的Next FET或者Power Block，他們具有很高的FOM（Rds_on和Qg的綜合指標(biāo)），在效率和可實(shí)現(xiàn)的工作頻率上具有很高的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
希望能幫到樓主。
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@電源照寶
還有需要注意的有:1,反應(yīng)時(shí)間T(NS),包括:導(dǎo)通延遲時(shí)間TD(ON),上升時(shí)間TR,還有關(guān)斷時(shí)間TOFF.2,驅(qū)動(dòng)消耗功率P(WM),主要是柵源的電荷Q(NC),驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率的承受強(qiáng)度F(KHZ),驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O工作電壓的大小3,熱效應(yīng)E(J),包括:通態(tài)電阻RDS(ON),通態(tài)漏極電流ID(ON)
兩個(gè)上下管用成一樣的型號(hào)，就沒(méi)有問(wèn)題了。
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@bdzn
對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的主功率管選擇需要基于拓?fù)?，?yīng)用和成本共同分析。拓?fù)浜蛻?yīng)用環(huán)境（主要針對(duì)占空比，輸入電壓，負(fù)載電流等）將決定在電路中你的功率管將承受怎樣的電應(yīng)力和熱應(yīng)力。更進(jìn)一步講就是，我們?cè)谶x擇開(kāi)關(guān)管的時(shí)候，從性能上說(shuō)無(wú)非需要考慮的就是它的耐壓，耐流和耐熱?？梢酝ㄟ^(guò)開(kāi)關(guān)管的工作過(guò)程將其細(xì)分為將Vgs充電到Vgsth開(kāi)關(guān)管開(kāi)始導(dǎo)通，從Vgsth一直到miler區(qū)結(jié)束，從miller區(qū)結(jié)束到開(kāi)關(guān)管完全導(dǎo)通，然后是從導(dǎo)通到關(guān)斷的一個(gè)逆過(guò)程。這期間會(huì)包括開(kāi)關(guān)損耗，導(dǎo)通損耗，驅(qū)動(dòng)損耗以及死區(qū)時(shí)間內(nèi)的損耗。不同的拓?fù)浜凸ぷ鳝h(huán)境（比如重載和輕載的不同），又會(huì)使得這些損耗的比例不一樣。從與芯片相關(guān)聯(lián)的角度來(lái)說(shuō)，可以從幾個(gè)方面考慮您所關(guān)注的問(wèn)題。1）芯片的驅(qū)動(dòng)能力。從一些datasheet里面可以看的指標(biāo)是芯片的驅(qū)動(dòng)電阻或者是驅(qū)動(dòng)電流。這個(gè)主要是影響你的開(kāi)關(guān)速度，而開(kāi)關(guān)速度直接與開(kāi)通和關(guān)斷損耗掛鉤。當(dāng)然這又是與你所選取的MOS管中的Qg共同作用的。2）芯片的VCC。很多芯片的VCC會(huì)直接或間接影響驅(qū)動(dòng)電壓。與管子聯(lián)系起來(lái)就是影響在導(dǎo)通時(shí)候作用在Vgs上的電壓，Vcc越大，Rdson就越小，這樣管子的導(dǎo)通損耗就會(huì)相應(yīng)減小。但是值得注意的時(shí)候，有些芯片的Vcc同時(shí)也會(huì)和管子的驅(qū)動(dòng)損耗相關(guān)，Vcc增大，驅(qū)動(dòng)損耗會(huì)增大。不過(guò)通常來(lái)說(shuō)，在正常工作（考慮負(fù)載相當(dāng)）的時(shí)候，驅(qū)動(dòng)損耗相對(duì)于導(dǎo)通損耗來(lái)說(shuō)可以忽略不計(jì)。3）死區(qū)時(shí)間。往往為防止上下管直通，在芯片中會(huì)控制上下驅(qū)動(dòng)脈沖間留有適當(dāng)?shù)拈g隔。這個(gè)死區(qū)時(shí)間主要影響的是在MOS管沒(méi)有開(kāi)通而由體二極管或者是外加肖特基管續(xù)流的過(guò)程中產(chǎn)生的電路損耗。所以一般希望在保證上下管安全工作的前提下，死區(qū)時(shí)間盡量減小。這里和管子相聯(lián)系的指標(biāo)是，MOS管的體二極管的正向?qū)▔航?。在一個(gè)電路工作的時(shí)候，從管子的角度而言還需要關(guān)注的幾個(gè)問(wèn)題則是：1）體二極管反向恢復(fù)過(guò)程的損耗；(與MOS管的體二極管指標(biāo)相關(guān)）2）高速率Vds變化導(dǎo)致的管子誤開(kāi)；（與MOS管的極間電容以及Vgsth等相關(guān)）再選擇管子的時(shí)候另外需要考慮的就是它的封裝和散熱能力，值得注意的是這個(gè)需要和你布板的有效散熱面積掛鉤。以上是一個(gè)概括性的介紹，如果有進(jìn)一步的問(wèn)題可以聯(lián)系我們，將針對(duì)您的具體電路給予相應(yīng)的建議。最后推薦您考慮TI的NextFET或者PowerBlock，他們具有很高的FOM（Rds_on和Qg的綜合指標(biāo)），在效率和可實(shí)現(xiàn)的工作頻率上具有很高的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。希望能幫到樓主。
哇哇
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