首先是輸出匝數(shù)與效率的關(guān)系。。。

做過挺多個(gè)實(shí)驗(yàn)。。。發(fā)現(xiàn)輸出匝數(shù)和效率成正比。。。。

特別是5V2A的。。。提高效率明顯。。。當(dāng)然匝比必須下降。。。。

做過12V1A的實(shí)驗(yàn)。得出：反射電壓在45V左右。效率最高。。。。5V2A尚未系統(tǒng)做過實(shí)驗(yàn)。。。

試過次級圈數(shù)降低是可提高效率,但Duty是罩門,當(dāng)然反射電壓也會降低.

意思是輸出匝數(shù)越多效率越高了？？？？

所以改變輸出匝數(shù)和VCC反饋匝數(shù)是增加圈數(shù)之意嗎?

以前也做過只修改初級匝數(shù)。其它的不變的情況下。

效率都沒有改變。所以我認(rèn)為，就是輸出匝數(shù)決定了效率。。。

同樣這個(gè)實(shí)驗(yàn)也是在12V1A的CCM的條件下做的。但I(xiàn)C是用飛兆的FSQ100。。。

這個(gè)EMI跟效率相反。。。哈。。。

輸出匝數(shù)越少越容易過EMI。。。。

為此我繞了將近50個(gè)變壓器。。。

我先前以為跟反射電壓的設(shè)置有關(guān)。。。

結(jié)果讓我非常失望。。。只要輸出匝數(shù)固定。。無論怎么調(diào)都飄得好高。。。

為什么

不懂有誰有深層次地研究EMI。。。。

好像沒有這方面的理論，EMI與輸出匝數(shù)。。。。。

之前實(shí)驗(yàn)過輸出匝數(shù)減少,EMI的確是可變好,

認(rèn)為是線與線,層與層之間分布電容及漏感引起,

匝數(shù)越少，初-次級間分布電容越小，。

還跟初次級同名端位置有關(guān)

次級反繞是肯定的。。。

 jim li對無Y的電源有研究嗎？？

調(diào)整EMC 時(shí)做過一些實(shí)驗(yàn)

有這種方法。。?？梢园褵oY做到很大功率。。。。

基本上36W沒什么問題。。。。

特別變壓器變大了。。。做無Y更容易。。。。

是不是可以這樣理解：

輸出匝數(shù)多，則初次級的耦合會好（初級圈數(shù)通常已經(jīng)足夠多了），就連初級漏感測起來都會小些。所以，效率會提高；但同時(shí)初次級間的分布電容增大，EMI 因而變差。這兩者本來就是矛盾的 ~