最近在搞一款小功率電源，用的原本是 華微的管子，由于沒(méi)料，用威士的替代，最后效率能夠提升將近一個(gè)點(diǎn),輻射也有所改善.
大家是不是遇見(jiàn)過(guò)這種情況呢？來(lái)探討一下嘍。
電源技術(shù)探討 群號(hào)：233403008
【手拉手】MOS管的選取對(duì)效率、EMI影響有多大呢？
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@amonson
一般來(lái)講，硬開(kāi)關(guān)的方式，效率高則EMI差。你這個(gè)輻射變好了可能只是因?yàn)榉植紖?shù)碰巧避開(kāi)了更高的諧振頻率。。。
amonson兄，您好！好久不見(jiàn)哦！最近做的是小功率的LED電源，感覺(jué)對(duì)于PF，EMI，效率要做折中選擇。否則，效率，PF值高，EMI裕量不足；如果EMI裕量足，PF，效率有所變低（相對(duì)來(lái)說(shuō)）。
剛開(kāi)始搞EMI兩星期，感覺(jué)這個(gè)東西很神秘。有時(shí)可以測(cè)試通過(guò)，有時(shí)不通過(guò)。同樣的機(jī)型，同樣的改法，有的能過(guò)，有的就不過(guò)。
因?yàn)槭切」β孰娫?，EMI整改，調(diào)整的元器件或者參數(shù)就不多，感覺(jué)不是很好整改。
amonson兄，有哪些經(jīng)驗(yàn)分享一下嘍。
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@笨小孩1114
amonson兄，您好！好久不見(jiàn)哦！最近做的是小功率的LED電源，感覺(jué)對(duì)于PF，EMI，效率要做折中選擇。否則，效率，PF值高，EMI裕量不足；如果EMI裕量足，PF，效率有所變低（相對(duì)來(lái)說(shuō)）。剛開(kāi)始搞EMI兩星期，感覺(jué)這個(gè)東西很神秘。有時(shí)可以測(cè)試通過(guò)，有時(shí)不通過(guò)。同樣的機(jī)型，同樣的改法，有的能過(guò)，有的就不過(guò)。因?yàn)槭切」β孰娫?，EMI整改，調(diào)整的元器件或者參數(shù)就不多，感覺(jué)不是很好整改。amonson兄，有哪些經(jīng)驗(yàn)分享一下嘍。
APFC吧？這個(gè)東西就是玩折中，你有成本和體積的壓力，能改的東西不多，所以不要追求完美，平衡就好。樣機(jī)的差異最可能是磁性器件的差異，一般來(lái)說(shuō)電感可能是－２５％到４５％之間的誤差，所以這個(gè)要注意，還有就是變壓器的工藝，如果是手工繞的可能一致性也要差一些。我現(xiàn)在搞EMI不過(guò)了就加濾波器件，只要體積不超不在乎成本的，所以我的搞法不一定適合你。。。
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@amonson
APFC吧？這個(gè)東西就是玩折中，你有成本和體積的壓力，能改的東西不多，所以不要追求完美，平衡就好。樣機(jī)的差異最可能是磁性器件的差異，一般來(lái)說(shuō)電感可能是－２５％到４５％之間的誤差，所以這個(gè)要注意，還有就是變壓器的工藝，如果是手工繞的可能一致性也要差一些。我現(xiàn)在搞EMI不過(guò)了就加濾波器件，只要體積不超不在乎成本的，所以我的搞法不一定適合你。。。
amonson兄，是單級(jí)PFC，英飛凌的TDA4862G，做的是12W電源。而且是低成本的，而且要求傳導(dǎo)和輻射都要求6dB的裕量以上。
最近整改的措施有以下幾點(diǎn)：
1、最重要的:調(diào)整變壓器的繞法，（個(gè)人認(rèn)為堆疊繞法相對(duì)三明治繞法對(duì)EMI有改善，而且還需要外加屏蔽銅箔）
2、輔助VCC繞組的慢管改快管
3、增大MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻
4、MOS的DS級(jí)間并高壓低容量陶瓷電容等措施
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@笨小孩1114
amonson兄，是單級(jí)PFC，英飛凌的TDA4862G，做的是12W電源。而且是低成本的，而且要求傳導(dǎo)和輻射都要求6dB的裕量以上。最近整改的措施有以下幾點(diǎn)：1、最重要的:調(diào)整變壓器的繞法，（個(gè)人認(rèn)為堆疊繞法相對(duì)三明治繞法對(duì)EMI有改善，而且還需要外加屏蔽銅箔）2、輔助VCC繞組的慢管改快管3、增大MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻4、MOS的DS級(jí)間并高壓低容量陶瓷電容等措施
問(wèn)下，你這些措施是增加效率的還是改善EMI的？我的理解是加驅(qū)動(dòng)電阻是改善效率的，并DS兩端陶瓷電容有什么用？防止LC諧振？還是改善EMI？我現(xiàn)在遇到個(gè)情況，就是下面的取樣電阻電壓波形一開(kāi)始有個(gè)很大的尖峰，現(xiàn)在換了MOS管就尖峰變得很小，那這個(gè)是結(jié)電容影響的嗎？我懷疑有兩個(gè)，一個(gè)是LC諧振了，另一個(gè)是結(jié)電容比較大，導(dǎo)通時(shí)結(jié)電容放電造成尖峰，我嘗試了在DS兩端并10nf的和160nf的電容，尖峰沒(méi)有什么變換，既沒(méi)有變小也沒(méi)有變大，我就無(wú)法理解了，求解惑。。。
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并DS兩端陶瓷電容有什么用？防止LC諧振？還是改善EMI？我現(xiàn)在遇到個(gè)情況，就是下面的取樣電阻電壓波形一開(kāi)始有個(gè)很大的尖峰，現(xiàn)在換了MOS管就尖峰變得很小，那這個(gè)是結(jié)電容影響的嗎？我懷疑有兩個(gè)，一個(gè)是LC諧振了，另一個(gè)是結(jié)電容比較大，導(dǎo)通時(shí)結(jié)電容放電造成尖峰，我嘗試了在DS兩端并10nf的和160nf的電容，尖峰沒(méi)有什么變換，既沒(méi)有變小也沒(méi)有變大，我就無(wú)法理解了，求解惑。。。
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