【問(wèn)】快恢復(fù)二極管
做PFC的快恢復(fù)二極管選型依據(jù)是什么?謝謝
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@dreamer662006
在二極管反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi),MOSFET和BOOSTDIODE將400V電壓短路。所以反向恢復(fù)時(shí)間必須得足夠快,而不至于使得PFCMOSFET的D極電流升至太高而燒掉管子。所以在很多時(shí)候,PFC的升壓二極管我們一般都選用碳化硅的。
我選擇時(shí),一般從下面三個(gè)方面考慮:
1、反向恢復(fù)時(shí)間----降低損耗減少發(fā)熱。
2.正向耐壓----避免被擊穿,留有一定余量。
3.二極管封裝散熱---即使再快的管子也會(huì)發(fā)熱,要讓產(chǎn)生的熱量散發(fā)掉
4.正向電流值
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@dreamer662006
在二極管反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi),MOSFET和BOOSTDIODE將400V電壓短路。所以反向恢復(fù)時(shí)間必須得足夠快,而不至于使得PFCMOSFET的D極電流升至太高而燒掉管子。所以在很多時(shí)候,PFC的升壓二極管我們一般都選用碳化硅的。
我調(diào)試的一500W的PFC板子,快恢復(fù)二極管用的DSEP12-12A,帶功率120多W,上電一分多鐘二極管就燒了,發(fā)熱很燙。那二級(jí)管是1200V,12A,最快恢復(fù)時(shí)間40ns。怎么就會(huì)燒呢。
另外我在調(diào)一個(gè)3.6KW的PFC時(shí),功率帶到1KW,剛開(kāi)始用的是DSEI2x61-06C(600V 2X60A),板子能正常工作。后來(lái)我換成DSEI2x101-12A(1200V,2X90A)上電10左右就燒了它。 很是不解呀
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@nkzfwjf
我調(diào)試的一500W的PFC板子,快恢復(fù)二極管用的DSEP12-12A,帶功率120多W,上電一分多鐘二極管就燒了,發(fā)熱很燙。那二級(jí)管是1200V,12A,最快恢復(fù)時(shí)間40ns。怎么就會(huì)燒呢。另外我在調(diào)一個(gè)3.6KW的PFC時(shí),功率帶到1KW,剛開(kāi)始用的是DSEI2x61-06C(600V2X60A),板子能正常工作。后來(lái)我換成DSEI2x101-12A(1200V,2X90A)上電10左右就燒了它。 很是不解呀
技術(shù)文檔中有一個(gè)反向恢復(fù)時(shí)間Trr,一般都是NS級(jí)的,越小越好
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快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng),后者則在100納秒以下。
肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)肖特基二極管(Schottky Barrier Diode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場(chǎng)合。
這兩種管子通常用于開(kāi)關(guān)電源。
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~!
前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流,超高速~!電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~!
快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.
肖特基二極管:反向耐壓值較低40V-50V,通態(tài)壓降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢復(fù)時(shí)間。它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。
快恢復(fù)二極管:有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間,在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴?fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件.
通常,5~20A的快恢復(fù)二極管采用TO-220FP塑料封裝,20A以上的大功率快恢復(fù)二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO-3P塑料封裝,5A一下的快恢復(fù)二極管則采用DO-41,DO-15,或D0-27等規(guī)格塑料封裝。
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@電源照寶
快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng),后者則在100納秒以下?! ⌒ぬ鼗O管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode),具有正向壓降低(0.4--0.5V)、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場(chǎng)合?! ∵@兩種管子通常用于開(kāi)關(guān)電源?! ⌒ぬ鼗O管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~! 前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流,超高速~!電氣特性當(dāng)然都是二極管阿~! 快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件. 肖特基二極管:反向耐壓值較低40V-50V,通態(tài)壓降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢復(fù)時(shí)間。它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響僅為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管?! 】旎謴?fù)二極管:有0.8-1.1V的正向?qū)▔航担?5-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間,在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換,提高了器件的使用頻率并改善了波形。快恢復(fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源中做整流元件. 通常,5~20A的快恢復(fù)二極管采用TO-220FP塑料封裝,20A以上的大功率快恢復(fù)二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO-3P塑料封裝,5A一下的快恢復(fù)二極管則采用DO-41,DO-15,或D0-27等規(guī)格塑料封裝。
是的。但是具體應(yīng)用時(shí)的選擇參考依據(jù)是什么呢
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