沒人頂！

因?yàn)槟阍贑CM模式下，電感和寄生電容形成不了LC串聯(lián)諧振電路；而DCM模式下面，則可以。具體你可以分析下下兩種模式下初級(jí)電感電流的走向問題。。。

頂起！

這個(gè)要從反激式變壓器的模型說起，請(qǐng)看圖！初級(jí)由勵(lì)磁電感和漏感組成，次級(jí)由漏感組成，兩邊通過變壓器傳遞能量（實(shí)際中變壓器初級(jí)就一個(gè)繞組，次級(jí)也就一個(gè)繞組，至于模型為什么是這樣的，因?yàn)樽儔浩饕贿呴_路，另外一邊一定沒有電流，但是實(shí)際上不是這個(gè)樣子的，理論無法解釋，所以模型就這個(gè)樣子了）。

1.開關(guān)管導(dǎo)通，勵(lì)磁電感出現(xiàn)電流Im，通過開關(guān)管流到地。

2.開關(guān)管關(guān)閉，勵(lì)磁電感電流Im產(chǎn)生電流I1，能量傳遞，次級(jí)產(chǎn)生電流I2，此時(shí)開關(guān)管的漏端被嵌位到Vin+N*Vout，漏端寄生電容電壓也是此值。

3.次級(jí)電流I2變?yōu)?，開關(guān)管漏端寄生電容通過Lm和Le放電，Lm電流緩慢增加，直到電壓等于Vin。此時(shí)由于電感電流不能突變，要續(xù)流，電容還要繼續(xù)放電，直到Vin-N*Vout，此時(shí)電感電流為0；之后電源通過Lm對(duì)電容充電，電壓回升到Vin，電感電流要續(xù)流，繼續(xù)充電到Vin+N*Vout，電流變?yōu)?。如果中間沒有損耗，這個(gè)過程會(huì)持續(xù)下去。。。。等幅LC諧振。。。。

您這個(gè)是在談DCM的模式下面VDS的波形的具體過程，CCM模式下面這個(gè)過程，具體是怎么樣的呢？還有個(gè)很弱的問題請(qǐng)教一下？電感在什么情況下可以理想的等效為恒流源！

CCM模式下沒有寄生電容到電源的放電回路啊。。。開關(guān)管打開，電容電壓被直接拉到0，開關(guān)管關(guān)閉，電容電壓被嵌位在Vin+N*Vout，開關(guān)管在打開，電容電壓又被拉到0，關(guān)閉再嵌位。。。。。

電感是個(gè)儲(chǔ)能元件，電流不能突變，要續(xù)流。。。也就是說前半個(gè)周期是正向電流，后半個(gè)周期還是正向電流，直到能量為0，電流為0。

說白了，開關(guān)電源就是開關(guān)和電感在變化。。。。。

謝謝您的回答！

自己消化下，反激變壓器是一個(gè)儲(chǔ)能感性器件，CCM模式下，在MOS管開通前的那段時(shí)間沒有振蕩，此時(shí)變壓器原邊一直有能量！所以此時(shí)的電感一直被鉗位在VIN+VOR。被充滿電的COSS,此時(shí)沒有放電回路，只有在等到MOS開通，這個(gè)電壓直接被拉掉！所以CCM模式下面沒有這個(gè)振蕩！

恩，就是這個(gè)道理啊，，，，不用謝撒！相互學(xué)習(xí)才能提高啊。。。。

呵呵以后多多向你討教！

大俠，請(qǐng)教個(gè)問題。高壓MOS管的雪崩能量估算方法有研究過嗎？先謝謝了！

俺現(xiàn)在正在研究各種器件和變壓器，還處于起步階段，不曉得撒！

謙虛了您！

兄弟在那里高就呢？

嘿嘿，這個(gè)得保密啊，不能隨便說的撒。。。

呵呵

兄弟是在研究軍工國防方面的？

俺只是理論知識(shí)比較豐富一些，實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)很少啊。。。。

兄臺(tái)，估計(jì)你最少應(yīng)該是個(gè)碩士吧！

哎，不幸被你言中了啊。。。。

24樓兄臺(tái)，敢問“反激電源我們一般要盡量調(diào)到臨界模式，以保證減小損耗的同時(shí)傳遞更多能量”的依據(jù)是？

“因?yàn)檫B續(xù)模式，寄生電容放電損耗大，還有二極管反向恢復(fù)也產(chǎn)生很大的損耗”

另外連續(xù)模式變壓器容易飽和，DCM相對(duì)也有一些缺點(diǎn)，比如峰值電流大，紋波相對(duì)連續(xù)模式來說也會(huì)大

當(dāng)然這是指在輸出同等功率的情況下做比較

不同的電源情況有所不一樣！不可一慨而論吧！

我所講的是“一般盡量調(diào)到臨界模式”

當(dāng)然是不能一概而論的

不要這樣說撒，現(xiàn)在碩士一大把一大把的，俺要學(xué)的東西還很多很多。。。公司只能上網(wǎng)站，QQ是用不了了，回家也沒有時(shí)間上QQ啊。。。。不是我不想留。。。