同步整流中MOS管功耗有哪幾部分?
今天看《開關(guān)電源的原理與設(shè)計(jì)》,里面說SR的功耗Psr＝Ifrms^2×Ron+Cin*Vgs^2*f......其中第二項(xiàng)為開關(guān)過程中功率mos管輸入電容充放電引起的損耗.可是我覺得電容不消耗功率.那這部分損耗怎么產(chǎn)生的呢?誰能解釋一下啊??
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MOS管的電容要存儲電荷,大小為cin×Vgs,它是要被放掉的,這部分能量沒有使用.
體二極管導(dǎo)通也要損耗能量,這部分能量為Vdiode×I×t×f,vdiode是體二極管的正向?qū)▔航?I為mosfet工作時流過mosfet的電流,t為同步整流時body diode導(dǎo)通的時間,f為工作頻率.
還有體二極管的反相恢復(fù)損耗.
同時mosfet的導(dǎo)通電阻跟mosfet的驅(qū)動電壓有關(guān),一般來說電壓越高Rdson越低.
驅(qū)動mosfet的時候盡量采用高一點(diǎn)的電壓,減小死區(qū)時間和反相恢復(fù)時間,這樣有利于降低整體的功耗.
體二極管導(dǎo)通也要損耗能量,這部分能量為Vdiode×I×t×f,vdiode是體二極管的正向?qū)▔航?I為mosfet工作時流過mosfet的電流,t為同步整流時body diode導(dǎo)通的時間,f為工作頻率.
還有體二極管的反相恢復(fù)損耗.
同時mosfet的導(dǎo)通電阻跟mosfet的驅(qū)動電壓有關(guān),一般來說電壓越高Rdson越低.
驅(qū)動mosfet的時候盡量采用高一點(diǎn)的電壓,減小死區(qū)時間和反相恢復(fù)時間,這樣有利于降低整體的功耗.
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