因?yàn)?.2V/匝太大，不便于通過(guò)更改次級(jí)匝數(shù)改變輸出電壓，所以降低2.2/匝為1.2V/匝左右。我的是多路輸出，除了22V還有5V，如果每匝的電壓太高不容易調(diào)節(jié)精度，多路輸出除反饋外的精度。

主要為了解決這個(gè)問(wèn)題才想出的三種方案。

同意樓上的看法。

如果以使用為依據(jù)，這樣應(yīng)該可以。但是從計(jì)算分析來(lái)看，如果次級(jí)匝數(shù)改變較大，導(dǎo)致初級(jí)匝數(shù)也改變很大，也就是我們?nèi)绻枰獜哪壳暗?.2V/匝降低到1.1V/匝，采用什么方案呢？

你意下如何？這個(gè)問(wèn)題好像很簡(jiǎn)單啊 呵呵

學(xué)習(xí)中。

大家發(fā)表見(jiàn)解啊，是否設(shè)計(jì)時(shí)候都是模棱兩可。感性和理性的碰撞，電感和計(jì)算的碰撞。

 這樣調(diào)整后還要調(diào)速頻率.比較麻煩.呵呵.其實(shí)如果您真的理解了開(kāi)關(guān)電源原理您就會(huì)發(fā)現(xiàn)有些事很有意思的,如果您的MOS管耐壓較高,比如900V,吸收電路設(shè)計(jì)余量較大的話(huà),您在一定范圍內(nèi)不必改變初級(jí),只改變次級(jí),取得合適值即可.您這個(gè)功率不會(huì)場(chǎng)任何影響.可以試下.對(duì)于次級(jí)增加幾匝減少幾匝沒(méi)什么影響的.以實(shí)驗(yàn)為準(zhǔn)呀.

次級(jí)增加幾匝減少幾匝沒(méi)什么影響的？？？

有影響的。。。肖特基兩旁的反壓會(huì)變化。。。。?？赡茉黾雍?，管子也要換了。。。

所以變壓器設(shè)計(jì)一定要合理。。。

我以我的經(jīng)驗(yàn)（做到的實(shí)驗(yàn)來(lái)回答）：

1、直接將次級(jí)匝數(shù)NS改為18匝。此時(shí)初級(jí)匝數(shù)不變，只改變次級(jí)匝數(shù)，可得出應(yīng)該會(huì)導(dǎo)致Dmax變化，對(duì)于其他是否有些影響？

首先，要保證VCC電壓可以使IC正常工作。所以VCC的匝數(shù)，也要相應(yīng)增加。這樣就是匝比變小了。在反激中，會(huì)使輸出的效率上升。反射電壓下降了。一般反射電壓設(shè)在45V時(shí)，效率最高。

2、將開(kāi)關(guān)頻率F降低到37.5KHZ,計(jì)算得出NP=118T，NS=19T。此種設(shè)計(jì)是否合理？

降低開(kāi)關(guān)頻率，會(huì)使變壓器的溫度上升。而MOS管的溫度下降。只要溫度低于95度。能長(zhǎng)時(shí)間正常工作。就可以。呵。

3、初次級(jí)匝數(shù)同比例升高為：NP=120T，NS=20T。此種設(shè)計(jì)是否合理？

這個(gè)主要是繞不下。而且效率不見(jiàn)得提升反降了。因?yàn)殂~損增加了。

我以我的經(jīng)驗(yàn)（做到的實(shí)驗(yàn)來(lái)回答）：

1、一般反射電壓設(shè)在45V時(shí)，效率最高。

反射電壓如果做到這么低，匝比會(huì)很小。Dmax也會(huì)變化。一般設(shè)計(jì)Vor不高于135V（單片開(kāi)關(guān)電源）170V（分立電源）。

2、將開(kāi)關(guān)頻率F降低到37.5KHZ,計(jì)算得出NP=118T，NS=19T。此種設(shè)計(jì)是否合理？

降低開(kāi)關(guān)頻率，會(huì)使變壓器的溫度上升。而MOS管的溫度下降。只要溫度低于95度。能長(zhǎng)時(shí)間正常工作。就可以。呵。

是這樣的。此處的溫度95度是指的MOSFET和變壓器磁芯和線包溫度？

這個(gè)要看環(huán)境溫度，而且磁芯和線包外面測(cè)量與內(nèi)部溫度還有熱阻影響。

3、初次級(jí)匝數(shù)同比例升高為：NP=120T，NS=20T。此種設(shè)計(jì)是否合理？

這個(gè)主要是繞不下。而且效率不見(jiàn)得提升反降了。因?yàn)殂~損增加了。

如果繞的下，同時(shí)也不考慮損耗的情況下，是否可行呢？

1、可以試試。這樣就明白了。這種是書(shū)上沒(méi)有的。

2、溫升不高于70度。

3、是可以工作的。只要NP大于最小匝數(shù)即可工作。不過(guò)沒(méi)發(fā)現(xiàn)這種繞法有什么好處。

試想原邊匝數(shù)增加,電感是不是會(huì)增加?電感增加了,頻率及占空比不變的話(huà),電感加載時(shí)間是不是也不變,那么電感能傳遞的功率為P=fLI^2/2,能達(dá)到您的要求么?傳遞功率不變,那么頻率就要變了了,同時(shí)電流也會(huì)變的呀.那么你說(shuō)是不是要調(diào)整頻率呢?

錯(cuò)了朋友。反激變壓器的電感量是靠氣隙墊出來(lái)的，和圈數(shù)沒(méi)有關(guān)系 ~ 

說(shuō)的沒(méi)錯(cuò),不過(guò)氣隙的最佳尺寸是0.2mm-0.4mm左右吧,超出這個(gè)范圍您還能墊么?再說(shuō)墊大了,那又會(huì)引發(fā)好多事呢,什么這個(gè)規(guī)定那個(gè)規(guī)定的呀.是吧.

幾匝的話(huà),我認(rèn)為通過(guò)墊氣隙可以達(dá)到使用要求的!同意您的說(shuō)法.

沒(méi)錯(cuò)

多做實(shí)驗(yàn)吧？？？

你多幾圈。那個(gè)N（匝比）肯定是變化的。。。導(dǎo)致反射電壓也變化。。。。輸出肖特基上的電壓也是變化的。。。。有時(shí)會(huì)要修改肖特基。。。

所以一定要測(cè)MOS管和肖特基上的電壓。。來(lái)決定要哪種耐壓值的。。。